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公开(公告)号：CN100575539C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200810052489.1
申请日：2008-03-21
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种多元共蒸发制备铟镓锑类多晶薄膜的方法。该方法包括：将衬底与铟源、镓源、锑源蒸发源置入真空镀膜系统的钟罩内抽真空；将衬底均匀加热至200-600℃之间，并保持这一衬底温度；同时打开锑源、铟源、镓源蒸发源的加热电源，分别控制其蒸发温度，锑源加热至300-500℃之间，铟源加热至400-1200℃之间，镓源加热至500-1300℃之间，使其各自蒸发，可分别制备出锑化镓(GaSb)、锑化铟(InSb)或铟镓锑(InGaSb)等多晶化合物半导体薄膜。通过调节锑源、镓源和铟源等蒸发源温度，控制各元素的蒸发速率，可得到不同比例的铟镓锑(InGaSb)类薄膜材料，从而调节材料的禁带宽度。通过移动衬底或改变蒸发源位置，可提高薄膜的均匀性用以制备大面积半导体功能器件。
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公开(公告)号：CN101245442A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810052489.1
申请日：2008-03-21
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种多元共蒸发制备铟镓锑类多晶薄膜的方法。该方法包括：将衬底与铟源、镓源、锑源蒸发源置入真空镀膜系统的钟罩内抽真空；将衬底均匀加热至200－600℃之间，并保持这一衬底温度；同时打开锑源、铟源、镓源蒸发源的加热电源，分别控制其蒸发温度，锑源加热至300－500℃之间，铟源加热至400－1200℃之间，镓源加热至500－1300℃之间，使其各自蒸发，可分别制备出锑化镓(GaSb)、锑化铟(InSb)或铟镓锑(InGaSb)等多晶化合物半导体薄膜。通过调节锑源、镓源和铟源等蒸发源温度，控制各元素的蒸发速率，可得到不同比例的铟镓锑(InGaSb)类薄膜材料，从而调节材料的禁带宽度。通过移动衬底或改变蒸发源位置，可提高薄膜的均匀性用以制备大面积半导体功能器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100373635C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200510122529.1
申请日：2005-12-22
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/02 , H01L31/042 , H01L31/18 , C23C14/24
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及柔性衬底薄膜太阳电池阻挡层及其制备方法，它是金属镍层或金属钛层，阻挡层的厚度为30-50nm。柔性衬底薄膜太阳电池阻挡层可以防止背电极金属铝在制备电池的过程中扩散进入电池主体，在背电极与电池硅基薄膜之间制备一层阻挡层，不影响入射光的反射，增加其在电池吸收层中的光程的作用，还可以保证电池性能，显著提高柔性衬底倒结构薄膜太阳电池的输出特性和均匀性。
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公开(公告)号：CN100433375C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200510122528.7
申请日：2005-12-22
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种柔性衬底薄膜太阳电池衬底的清洗方法，由褪火、支撑、蹭试、加热超声清洗、真空烘干五个步骤组成的清洗方法，其中，200-230℃褪火1-3小时，水温至50-80℃加热，超声波清洗衬底30-60分钟，120-140℃真空条件下烘干。本发明实现对有机柔性衬底的清洗，使之达到半导体器件制造的清洁标准而不对其造成损伤。本发明是清洗用于半导体器件制造的柔性衬底的一种有效方法。
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公开(公告)号：CN1819281A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200510122528.7
申请日：2005-12-22
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种柔性衬底薄膜太阳电池衬底的清洗方法，由褪火、支撑、蹭试、加热超声清洗、真空烘干五个步骤组成的清洗方法，其中，200－230℃褪火1－3小时，水温至50－80℃加热，超声波清洗衬底30－60分钟，120－ 140℃真空条件下烘干。本发明实现对有机柔性衬底的清洗，使之达到半导体器件制造的清洁标准而不对其造成损伤。本发明是清洗用于半导体器件制造的柔性衬底的一种有效方法。
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公开(公告)号：CN1819274A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200510122529.1
申请日：2005-12-22
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/02 , H01L31/042 , H01L31/18 , C23C14/24
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及柔性衬底薄膜太阳电池阻挡层及其制备方法，它是金属镍层或金属钛层，阻挡层的厚度为30－50nm。柔性衬底薄膜太阳电池阻挡层可以防止背电极金属铝在制备电池的过程中扩散进入电池主体，在背电极与电池硅基薄膜之间制备一层阻挡层，不影响入射光的反射，增加其在电池吸收层中的光程的作用，还可以保证电池性能，显著提高柔性衬底倒结构薄膜太阳电池的输出特性和均匀性。
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公开(公告)号：CN2862331Y
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200520130695.1
申请日：2005-12-22
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/687
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本实用新型涉及一种用于柔性衬底薄膜太阳电池制备的衬底支撑装置。它是由框形底座，凹槽，框形压板，螺丝和不锈钢柱组成，框形底座对应的两侧有凹槽，不锈钢柱放置在凹槽内匹配，框形压板放置在框形底座上面，框形底座与框形压板对应，并且分别设置螺孔，螺丝插入螺孔固定框形底座和框形压板，框形内挖空面积处是薄膜衬底工作面。用不锈钢柱将抻紧的有机柔性薄膜边缘挤进底座的凹槽中，用压板将不锈钢柱压住并拧紧螺丝，即实现对有机柔性薄膜的夹持，使其展平固定，以便在其上进行薄膜沉积和器件制造。
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