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公开(公告)号：CN118946254A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411008437.X
申请日：2024-07-26
Abstract: 本发明为一种塑性可调的石墨烯纳米带基突触晶体管及其制备方法。该突触晶体管的结构自下而上分别为衬底、半导体层、源漏电极和离子胶栅介电层；所述半导体为宽度可调的石墨烯纳米带阵列。本发明可以有效调控石墨烯的带隙，使其在应用中表现出不同的电学特性，克服了石墨烯零带隙的固有局限，促进了石墨烯纳米带在神经形态电子领域的实际应用，丰富了石墨烯材料的应用领域，可以得到可塑性调节范围较大的石墨烯纳米带基人工突触器件。
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公开(公告)号：CN112199687B
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202011267164.2
申请日：2020-11-13
Abstract: 本申请提供了一种芯片安全监测和自毁执行系统、方法及存储介质，该系统包括自毁监测模块和自毁指令执行模块；自毁指令执行模块包括自毁指令执行单元和高能膜；其中，自毁监测模块包括上电监测单元、封装监测单元、自毁指令启动单元以及系统电源；通过上电监测单元和封装监测单元对被保护芯片的上电工作状态和封装进行实时监测，通过将监测参数与预设阈值进行对比，一旦发现被保护芯片处于危险状态，立即执行自程序，点燃高能膜来破坏芯片结构，保护芯片内存储的信息。
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公开(公告)号：CN118946255A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411008597.4
申请日：2024-07-26
Abstract: 本发明为一种基于石墨烯/全氟酞菁铜的突触晶体管及其制备方法。该突触晶体管的结构自下而上分别为衬底、功能层、源漏电极和离子胶栅介电层；所述功能层为石墨烯/全氟酞菁铜薄膜，厚度为2.5～25nm；其中，石墨烯薄膜厚度为0.5～5nm，全氟酞菁铜薄膜厚度为2～20nm。本发明制备的石墨烯/全氟酞菁铜突触晶体管，通过切换栅极施加的突触前脉冲刺激的正负极性，改变沟道中传输的载流子类型(电子或空穴)，可以实现短程/长程可塑性的快速切换。
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公开(公告)号：CN118908192A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411008377.1
申请日：2024-07-26
IPC: C01B32/184 , C01B32/194 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , B33Y10/00 , B33Y70/00 , H01L29/16 , H01L29/06
Abstract: 本发明为一种基于纳米线掩膜打印工艺的石墨烯纳米带的制备方法。该方法由电流体动力打印、等离子刻蚀、和超声剥离技术组成，首先使用的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)溶液在石墨烯表面形成可转移的薄膜，再通过过硫酸铵刻蚀去除石墨烯底部的铜箔，采用数码可控的纳米线技术在石墨烯表面精确打印有机聚合物纳米线作为掩膜；通过反应离子刻蚀技术精确移除未被掩膜覆盖的石墨烯，并使用超声剥离技术去除掩膜，制得具有高横纵比的一维石墨烯纳米带。本发明通过细致调整纳米线掩膜的直径、间距及刻蚀时间等关键参数，优化了石墨烯纳米带的宽度和间距分布，提升了制备质量的一致性和可控性。
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公开(公告)号：CN112199687A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202011267164.2
申请日：2020-11-13
Abstract: 本申请提供了一种芯片安全监测和自毁执行系统、方法及存储介质，该系统包括自毁监测模块和自毁指令执行模块；自毁指令执行模块包括自毁指令执行单元和高能膜；其中，自毁监测模块包括上电监测单元、封装监测单元、自毁指令启动单元以及系统电源；通过上电监测单元和封装监测单元对被保护芯片的上电工作状态和封装进行实时监测，通过将监测参数与预设阈值进行对比，一旦发现被保护芯片处于危险状态，立即执行自程序，点燃高能膜来破坏芯片结构，保护芯片内存储的信息。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114744116B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202210417751.8
申请日：2022-04-20
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明为一种基于数码可控打印ITO纳米线的三端人工突触器件及其制备方法。该器件的组成是在衬底上分布有纳米线阵列，阵列两端分别分布有源极和漏极，源极、漏极之间有离子胶为栅极；制备方法首先利用电流体打印机制备ITO纳米线，将其作为突触器件的沟道材料；然后在经过高温退火的ITO纳米线上蒸镀金属电极作为源极和漏极，最后利用离子胶作为栅极制得三端人工突触器件。本发明工艺简单、操作简便、成本低廉、节能环保、适宜大规模生产，为神经形态计算领域的材料选择和器件设计提供了有益的指导。
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公开(公告)号：CN118507106A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410629710.4
申请日：2024-05-21
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明为一种基于纳米线突触晶体管的神经形态触觉感知系统及其制备方法。该系统的组成包括衬底、半导体纳米线阵列、叉指电极、栅极介质层和顶电极；其中，衬底表面为纳米线阵列层，纳米线阵列层表面设有叉指电极，叉指电极的上部覆盖有栅极介质层，顶电极附着在栅极介质层上；所述的栅极介质层采用壳聚糖凝胶薄膜；凝胶薄膜的厚度范围是10μm‑50μm。本发明不仅简化了系统结构，提高了系统的整体性能和可靠性，还可以用于对触觉刺激压力和刺激数量的判别，为触觉科技领域带来了新的应用前景。
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公开(公告)号：CN115718124A
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202211451400.5
申请日：2022-11-18
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明为一种基于SnO2纳米线突触器件的味觉神经形态系统及其制备方法和应用。该系统的组成包括SiO2衬底、中间层、栅介质层和间隔电极；其中，SiO2衬底表面的中部为中间层，两端为间隔电极；中间层的上部覆盖有栅介质层；所述的中间层为SnO2半导体纳米线阵列；所述的栅介质层为壳聚糖离子凝胶。本发明得到的壳聚糖离子凝胶传感器，可以通过电流变化感知和识别不同浓度的生理盐水，在SnO2纳米线人工突触的协同作用下，突触电子器件对不同浓度下的壳聚糖离子凝胶传感器传来的信号进行信息处理，从而实现了对味觉的感知、检测和信息处理。
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公开(公告)号：CN115200615A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210871580.6
申请日：2022-07-22
Applicant: 南开大学
IPC: G01D5/16 , B32B27/28 , B32B27/36 , B32B9/00 , B32B9/04 , B32B25/20 , B32B33/00 , B32B3/30 , B32B7/12 , B32B37/12 , B32B38/14
Abstract: 本发明为一种三维立体柔性结构触觉传感器及其制备方法。该触觉传感器自上而下由仿指纹层、压阻传感层、可拉伸电极层和柔性衬底层紧密层叠而成；所述的压阻传感器的材质为壳聚糖和CNT的混合材料；该传感器通过仿指纹结构、壳聚糖/CNT压阻层的加入，具有拱桥形三维立体柔性结构，形成传感器阵列。本发明可以对于形变、震动在内的微弱触觉刺激进行传感。
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公开(公告)号：CN112103388B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202011019085.X
申请日：2020-09-23
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明为一种基于Ti3C2‑MXene/电解质结构的人工突触器件的制备方法。该方法包括如下步骤：1)用异丙醇热蒸汽熏蒸衬底表面；2)将Ti3C2‑MXene分散液于所得的硅衬底上，旋涂，退火后获得Ti3C2‑MXene薄膜；3)在Ti3C2‑MXene薄膜构筑聚合物电解质薄膜：4)在聚合物电解质薄膜的表面上蒸镀金属电极，制备得到基于Ti3C2‑MXene的两端人工突触电子器件；本发明得到的Ti3C2‑MXene薄膜本身能够收纳多种类的碱金属离子，可以调节器件在脉冲作用后的突触后电流，特别是可以通过Ti3C2‑MXene/电解质结构的突触器件实现更为灵敏的脉冲响应。
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