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公开(公告)号:CN111987183A
公开(公告)日:2020-11-24
申请号:CN202010842044.4
申请日:2020-08-20
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/074 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明提出一种基于双极性的SnOx晶硅太阳电池。本发明在晶硅太阳电池中借助一种技术手段,通过调控Sn和O元素的比例,即x值,同时引入了x≤1.8的双极性的SnOx作为空穴选择性接触材料和x≥1.9的SnOx作为电子选择性接触材料,简化工艺流程,同时也避免了高温扩散工艺或者高成本的制造工艺,降低成本;另一方面,无掺杂、宽带隙的载流子选择材料SnOx引起较低的光学损失,有利于提高电池的光学性能。
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公开(公告)号:CN115440891A
公开(公告)日:2022-12-06
申请号:CN202211198371.6
申请日:2022-09-29
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及钙钛矿基太阳电池技术领域,尤其涉及一种钙钛矿基太阳电池。本发明提供了一种钙钛矿基太阳电池,包括由下到上依次层叠设置的底层基板、空穴传输层、钙钛矿吸收层、电子传输层和金属电极;或包括由下到上依此层叠设置的底层基板、电子传输层、钙钛矿吸收层、空穴传输层和金属电极;所述钙钛矿吸收层和电子传输层之间设置有导电钝化层;所述导电钝化层的导电钝化材料为噻吩烷胺卤化盐类化合物、噻吩烷胺卤化盐类化合物的同分异构体、噻吩甲脒卤化盐类化合物或噻吩甲脒卤化盐类化合物的同分异构体。所述钙钛矿基太阳电池中钝化材料工艺窗口宽,使钙钛矿基太阳电池具有较好的电学性能。
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