公开(公告)号：CN100432284C

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200610013295.1

申请日：2006-03-14

Applicant: 南开大学

Inventor： 蔡宏琨 ,  齐龙茵 ,  赵飞 ,  冯凯 ,  张晓 ,  崔光龙 ,  陶科 ,  席强 ,  张德贤

IPC: C23C14/30 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明涉及电子束蒸发低温制备锡掺杂氧化铟ITO薄膜的方法。通过控制蒸发条件，在氧分压5.0×10-2Pa，衬底温度100℃，电子枪电压-8.0kV等条件下，实现采用电子束蒸发低温高效无损伤制备锡掺杂氧化铟ITO薄膜，薄膜材料的光学透过率为90%，电阻率为2.168×10-4Ω·cm，方块电阻为22Ω，厚度为100nm，霍尔系数为-4.55×10-2m2/v，迁移率为21.4cm2/v·s，其光电性能满足柔性太阳透明电极的需求，减小太阳电池串联电阻，提高输出效率。

公开(公告)号：CN101177777A

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200710150785.0

申请日：2007-12-06

Applicant: 南开大学

Inventor： 张德贤 ,  蔡宏琨 ,  隋妍萍 ,  陶科 ,  薛颖 ,  席强 ,  姜元建 ,  冯凯 ,  齐龙茵 ,  赵敬芳 ,  王林申 ,  孙云

IPC: C23C14/30 ,  C23C14/54 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明涉及一种蒸发具有较高熔点粉末状材料的新型电子束加热蒸发方法与装置。所述方法结合电子束加热蒸发和电阻加热蒸发两种蒸发方式，由高压直流电源为灯丝阴极提供负偏压，使之与接地坩埚间形成强电场；另由低压交流电源为灯丝热阴极提供一个可调的工作电流，使灯丝热阴极发射电子束流；电子束束流在强电场作用下，高速轰击坩埚，将坩埚加热。使用本发明的电子束加热蒸发的方法与装置可以制备用于电致变色器件的变色层三氧化钨WO3薄膜和电解质层氟化锂LiF薄膜，制备的薄膜材料致密、电荷传输性能优良；用于聚酰亚胺衬底柔性薄膜太阳电池镍阻挡层薄膜蒸发制备时，膜厚可以得到精确控制。且设备操作简单。

公开(公告)号：CN100516285C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200710150785.0

申请日：2007-12-06

Applicant: 南开大学

Inventor： 张德贤 ,  蔡宏琨 ,  隋妍萍 ,  陶科 ,  薛颖 ,  席强 ,  姜元建 ,  冯凯 ,  齐龙茵 ,  赵敬芳 ,  王林申 ,  孙云

IPC: C23C14/30 ,  C23C14/54 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明涉及一种蒸发具有较高熔点粉末状材料的新型电子束加热蒸发方法与装置。所述方法结合电子束加热蒸发和电阻加热蒸发两种蒸发方式，由高压直流电源为灯丝阴极提供负偏压，使之与接地坩埚间形成强电场；另由低压交流电源为灯丝热阴极提供一个可调的工作电流，使灯丝热阴极发射电子束流；电子束束流在强电场作用下，高速轰击坩埚，将坩埚加热。使用本发明的电子束加热蒸发的方法与装置可以制备用于电致变色器件的变色层三氧化钨WO3薄膜和电解质层氟化锂LiF薄膜，制备的薄膜材料致密、电荷传输性能优良；用于聚酰亚胺衬底柔性薄膜太阳电池镍阻挡层薄膜蒸发制备时，膜厚可以得到精确控制。且设备操作简单。

公开(公告)号：CN1818129A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200610013295.1

申请日：2006-03-14

Applicant: 南开大学

Inventor： 蔡宏琨 ,  齐龙茵 ,  赵飞 ,  冯凯 ,  张晓 ,  崔光龙 ,  陶科 ,  席强 ,  张德贤

IPC: C23C14/30 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明涉及电子束蒸发低温制备锡掺杂氧化铟ITO薄膜的方法。通过控制蒸发条件，在氧分压5.0×10－2Pa，衬底温度100℃，电子枪电压－8.0kv等条件下，实现采用电子束蒸发低温高效无损伤制备锡掺杂氧化铟ITO薄膜，薄膜材料的光学透过率为90％，电阻率为2.168×10－4Ω·cm，方块电阻为22Ω，厚度为100nm，霍尔系数为－4.55×10－2m2/v，迁移率为21.4cm2/v·s，其光电性能满足柔性太阳透明电极的需求，减小太阳电池串联电阻，提高输出效率。