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公开(公告)号：CN102194685B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201110087697.7
申请日：2011-04-08
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/285 , H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种调控Ge衬底与TixAlyO薄膜间能带补偿的方法，首先对锗衬底进行清洗，吹干。接着放入ALD反应室中，沉积以Al2O3为开始层，交替Al2O3和TiO2的沉积循环，且最终沉积的薄膜中Al/Ti的摩尔比率为Al：Ti=1：1.2-4.5；将沉积薄膜后的锗衬底进行退火，即得到成品。本方法中，当Al/Ti的摩尔比率减小时，积累态电容增大；漏电流上升。而且，随着Al/Ti比率增大，Al2O3/TiO2在Ge上的价带和导带补偿以及带隙都会同时增大。这些结果说明：ALDAl2O3/TiO2纳米叠层结构能够有效地调节栅介质与Ge之间的界面质量和能带结构，从而改善MOS器件的工作性能。表明此方法在Ge基MOSFET制备中具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN101962758A
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN201010276921.2
申请日：2010-09-09
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/02 , C23C16/06
Abstract: 本发明公开了一种在锗衬底上低温原子层沉积Hf基栅介质薄膜的方法，首先对锗衬底进行清洗、钝化；将钝化好的衬底放入ALD反应室中，温度为140-170℃，以三甲基铝Al(CH3)3和硝酸铪Hf(NO3)4为前躯体，先通入金属源TMA脉冲，接着通入清洗脉冲；再通入金属源Hf(NO3)4脉冲，最后再通入清洗脉冲，即为一个原子层沉积循环周期；根据欲沉积的Hf基栅介质薄膜厚度，重复循环周期，即得到在锗衬底上低温原子层沉积Hf基栅介质薄膜。本发明通过在低温下沉积栅介质氧化物，有效地减少了表面的锗氧化物，防止了Ge的扩散和GeOx的生成，明显地改进了电学性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101962758B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201010276921.2
申请日：2010-09-09
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/02 , C23C16/06
Abstract: 本发明公开了一种在锗衬底上低温原子层沉积Hf基栅介质薄膜的方法，首先对锗衬底进行清洗、钝化；将钝化好的衬底放入ALD反应室中，温度为140-170℃，以三甲基铝Al(CH3)3和硝酸铪Hf(NO3)4为前躯体，先通入金属源TMA脉冲，接着通入清洗脉冲；再通入金属源Hf(NO3)4脉冲，最后再通入清洗脉冲，即为一个原子层沉积循环周期；根据欲沉积的Hf基栅介质薄膜厚度，重复循环周期，即得到在锗衬底上低温原子层沉积Hf基栅介质薄膜。本发明通过在低温下沉积栅介质氧化物，有效地减少了表面的锗氧化物，防止了Ge的扩散和GeOx的生成，明显地改进了电学性能。
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公开(公告)号：CN102517632A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201210006512.X
申请日：2012-01-11
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种采用MOCVD制备外延Gd2-xLaxO3栅介质薄膜的方法，首先对（100）Si衬底进行清洗；将清洗好的衬底移入MOCVD反应室，Gd源和La源分别为四甲基庚二酮钆Gd(dpm)3和四甲基庚二酮镧La(dpm)3，以MOCVD方法在Si衬底上沉积Gd2-xLaxO3金属氧化物薄膜，将沉积好薄膜的衬底放于快速退火炉中退火后即得到成品。本发明采用MOCVD工艺，在（100）Si衬底上成功制备了外延的（111）Gd2-xLaxO3栅介质薄膜。本发明工艺简单，外延Gd2-xLaxO3栅介质薄膜在微电子领域具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN102194685A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110087697.7
申请日：2011-04-08
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/285 , H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种调控Ge衬底与TixAlyO薄膜间能带补偿的方法，首先对锗衬底进行清洗，吹干。接着放入ALD反应室中，沉积以Al2O3为开始层，交替Al2O3和TiO2的沉积循环，且最终沉积的薄膜中Al/Ti的摩尔比率为Al：Ti=1：1.2-4.5；将沉积薄膜后的锗衬底进行退火，即得到成品。本方法中，当Al/Ti的摩尔比率减小时，积累态电容增大；漏电流上升。而且，随着Al/Ti比率增大，Al2O3/TiO2在Ge上的价带和导带补偿以及带隙都会同时增大。这些结果说明：ALDAl2O3/TiO2纳米叠层结构能够有效地调节栅介质与Ge之间的界面质量和能带结构，从而改善MOS器件的工作性能。表明此方法在Ge基MOSFET制备中具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN102517632B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201210006512.X
申请日：2012-01-11
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种采用MOCVD制备外延Gd2-xLaxO3栅介质薄膜的方法，首先对（100）Si衬底进行清洗；将清洗好的衬底移入MOCVD反应室，Gd源和La源分别为四甲基庚二酮钆Gd(dpm)3和四甲基庚二酮镧La(dpm)3，以MOCVD方法在Si衬底上沉积Gd2-xLaxO3金属氧化物薄膜，将沉积好薄膜的衬底放于快速退火炉中退火后即得到成品。本发明采用MOCVD工艺，在（100）Si衬底上成功制备了外延的（111）Gd2-xLaxO3栅介质薄膜。本发明工艺简单，外延Gd2-xLaxO3栅介质薄膜在微电子领域具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN102671894A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210159230.3
申请日：2012-05-22
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种清洗钝化GaAs衬底表面的方法，首先将GaAs衬底用有机溶液处理，除去表面的油污；然后用氢溴酸溶液浸泡GaAs衬底，除去表面的氧化层；接着放入加热到50℃的(NH4)2S溶液中浸泡20－30分钟进行钝化；最后将钝化后的GaAs衬底用去离子水冲洗表面并用高纯氮气吹干。本发明采用绿色环保的氢溴酸溶液清洗去除GaAs衬底表面氧化物，再用硫化铵溶液钝化衬底表面，有效地提高表面平整性，极大改善栅介质薄膜与GaAs衬底间的界面质量，明显改善了GaAs基MOS器件的电学性能。此方法工艺简单，在GaAs基MOSFET器件的制备上具有重要的应用前景。
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