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公开(公告)号：CN119774656A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411979549.X
申请日：2024-12-31
Applicant: 华北水利水电大学
Abstract: 本发明提出了一种金属离子插层二氧化钒及其制备方法和应用，属于水系铁离子电池的技术领域，用以解决水系铁离子电池正极材料能量密度低的技术问题。本发明金属离子插层二氧化钒的制备包括以下步骤：将五氧化二钒、还原剂和金属源分散到溶剂中得到混合溶液；将混合溶液进行反应，得到金属离子插层二氧化钒纳米片。本发明提供的合成方法为一步水热法，合成方法较为简单、环保、成本较低，所制得的材料为较为均匀的纳米片。本发明制备得到的金属离子插层二氧化钒纳米片在铁离子电池作为正极材料，在0.1A g‑1的电流密度下可提供284.32mAh g‑1，平均放电效率高达99％。
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公开(公告)号：CN108373345B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201810039154.X
申请日：2018-01-16
Applicant: 华北水利水电大学
Abstract: 本发明提供了一种激光打标刀片的涂层前预处理方法，将已经进行激光打标处理，具有激光打标槽的成品刀片，放入80‑95℃的热水中浸泡冲洗，去除杂质、油脂等，方便后续的酸碱溶液腐蚀处理、或者疏水层/保护层涂覆；将冲洗后的刀片置于氢氧化钠溶液中进行扩槽处理。本发明对刀具的预处理是酸或碱处理，或者涂覆处理，因为是批处理工艺，可以将大量刀具一次处理完成，之后进行硬质涂层的涂覆时便不再需要再次打标，避免了逐片打标的问题，节省了人力，更重要的是缩短了交货周期。
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公开(公告)号：CN108373345A
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201810039154.X
申请日：2018-01-16
Applicant: 华北水利水电大学
Abstract: 本发明提供了一种激光打标刀片的涂层前预处理方法，将已经进行激光打标处理，具有激光打标槽的成品刀片，放入80-95℃的热水中浸泡冲洗，去除杂质、油脂等，方便后续的酸碱溶液腐蚀处理、或者疏水层/保护层涂覆；将冲洗后的刀片置于氢氧化钠溶液中进行扩槽处理。本发明对刀具的预处理是酸或碱处理，或者涂覆处理，因为是批处理工艺，可以将大量刀具一次处理完成，之后进行硬质涂层的涂覆时便不再需要再次打标，避免了逐片打标的问题，节省了人力，更重要的是缩短了交货周期。
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公开(公告)号：CN104022160A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410278159.X
申请日：2014-06-20
Applicant: 华北水利水电大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/22
Abstract: 本发明公开了一种高价态过渡金属掺杂的氧化锌基半导体材料，在氧化锌基材料中掺杂高价态过渡金属。本发明还公开了一种高价态过渡金属掺杂的氧化锌基薄膜晶体管，包括栅极、半导体沟道层、绝缘层、源极和漏极，其中，半导体沟道层材料为高价态过渡金属掺杂的氧化锌基半导体材料。本发明薄膜晶体管载流子迁移率、偏压稳定性高，制备方法简单，可控程度高，成本低廉，可大面积批量生产，可重复性高，环境友好。
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公开(公告)号：CN119907312A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510140648.7
申请日：2025-02-08
Applicant: 华北水利水电大学
IPC: H10D89/60
Abstract: 本发明公开了一种应用于电源轨电路的复合管触发SCR静电防护器件，通过结构改变、器件内嵌和金属线互联，将NMOSFET，NPN型晶体管和SCR三种器件集成为新的器件，其中NMOSFET1的漏极和NMOSFET2的漏极是同一个电极，NMOSFET晶体管的衬底同时是NPN晶体管的基极。利用NMOSFET和NPN组成复合管，使其实现较高的开关速度、较低的导通电阻以及较好的热稳定性。通过NMOSFET和NPN组成的复合管快速导通SCR，将SCR作为主要的泄放电流路径。这种新的器件结构简称为CTTSCR，当ESD信号来临时，NMOSFET和NPN组成的复合管快速开启，将早期的电流注入SCR路径中，降低SCR的触发电压和开启时间，可以使SCR作为主要泄放电流路径快速开启。CTTSCR相较传统NMOSFET而言，具有更快开启速度和更好的鲁棒性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113179586A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110365941.5
申请日：2021-04-06
Applicant: 华北水利水电大学
Abstract: 本发明公开一种提高COF基挠性覆铜板剥离强度的方法，包括以下步骤：a.对基材进行电晕处理，得到表面改性的基材；b.用等离子体对基材表面进行清洁；c.直接溅镀Cu/Ni层，在Cu/Ni层表面溅镀Cu层；d.在Cu层表面电镀沉铜层得到2L‑FCCL。本发明主要是采用卷对卷生产方式，电晕处理和等离子体处理工艺同时使用，对基材表面处理效果可以达到最优化；IR加热、等离子体处理、溅镀Cu/Ni层和Cu层在设备中依次完成，减少中间环节，防止污染基材；seed layer层用Cu/Ni层代替，其靶材比例为55/45，相比于Ni/Cr靶材，环境污染小。
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公开(公告)号：CN109632542B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201811625665.6
申请日：2018-12-28
Applicant: 华北水利水电大学
IPC: G01N3/40
Abstract: 本发明属于物理测量技术领域，具体涉及一种测量硬质涂层硬度的方法。本发明的测量方法包括以下步骤：在待测样品的硬质涂层上设置热塑性有机材料涂层；将热塑性有机材料涂层加热软化，然后在热塑性有机材料涂层上压出压痕，冷却，测量压痕尺寸，计算硬质涂层硬度。本发明通过在硬质涂层上设置具有一定塑性的有机材料涂层来降低压头对压痕周边的涂层的冲击作用，减小其碎裂程度；同时未被压头直接压到的涂层，被塑性的有机材料涂层包裹，即使其下方的粘合层失效，也不会大片脱落。本发明的方法能够减少硬度测量时压头压出的压痕四周的裂纹数量以及裂纹尺寸，同时对压痕尺寸具有一定的放大，从而使得硬质涂层的硬度测量波动性小。
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公开(公告)号：CN104022160B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201410278159.X
申请日：2014-06-20
Applicant: 华北水利水电大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/22
Abstract: 本发明公开了一种高价态过渡金属掺杂的氧化锌基半导体材料，在氧化锌基材料中掺杂高价态过渡金属。本发明还公开了一种高价态过渡金属掺杂的氧化锌基薄膜晶体管，包括栅极、半导体沟道层、绝缘层、源极和漏极，其中，半导体沟道层材料为高价态过渡金属掺杂的氧化锌基半导体材料。本发明薄膜晶体管载流子迁移率、偏压稳定性高，制备方法简单，可控程度高，成本低廉，可大面积批量生产，可重复性高，环境友好。
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公开(公告)号：CN117855289A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311771333.X
申请日：2023-12-21
Applicant: 华北水利水电大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/10 , H01L29/24 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开了一种Hf掺杂的ITO基薄膜晶体管及其制备方法。ITO基薄膜晶体管包括栅极、栅介质、沟道层和源漏电极，其中沟道层是由ITO层和Hf掺杂ITO层复合而成。采用P型重掺杂硅作为栅极，SiO2薄膜作为栅介质层；在栅介质层上首先通过磁控溅射制备ITO层，在制备的ITO层上，利用ITO靶和HfO2靶通过共溅射技术制备成Hf掺杂ITO层，形成沟道层；将溅射的沟道层进行分割；分割后，采用直流溅射沉积Mo金属层、并采用掩模版图案形成源漏电极，得到Hf掺杂的ITO基薄膜晶体管。通过本发明能够有效减少背沟道中氧空位缺陷，抑制背沟道表面电子捕获和去捕获，从而提高ITO基薄膜晶体管的稳定性。
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