公开(公告)号：CN117855289A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202311771333.X

申请日：2023-12-21

Applicant: 华北水利水电大学

Inventor： 许磊 ,  张新楠 ,  宋增才 ,  朱治华 ,  李军明 ,  刘河潮 ,  罗世钧 ,  梁茹钰 ,  宗石

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  H01L29/24 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明公开了一种Hf掺杂的ITO基薄膜晶体管及其制备方法。ITO基薄膜晶体管包括栅极、栅介质、沟道层和源漏电极，其中沟道层是由ITO层和Hf掺杂ITO层复合而成。采用P型重掺杂硅作为栅极，SiO2薄膜作为栅介质层；在栅介质层上首先通过磁控溅射制备ITO层，在制备的ITO层上，利用ITO靶和HfO2靶通过共溅射技术制备成Hf掺杂ITO层，形成沟道层；将溅射的沟道层进行分割；分割后，采用直流溅射沉积Mo金属层、并采用掩模版图案形成源漏电极，得到Hf掺杂的ITO基薄膜晶体管。通过本发明能够有效减少背沟道中氧空位缺陷，抑制背沟道表面电子捕获和去捕获，从而提高ITO基薄膜晶体管的稳定性。