公开(公告)号：CN117855289A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202311771333.X

申请日：2023-12-21

Applicant: 华北水利水电大学

Inventor： 许磊 ,  张新楠 ,  宋增才 ,  朱治华 ,  李军明 ,  刘河潮 ,  罗世钧 ,  梁茹钰 ,  宗石

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  H01L29/24 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明公开了一种Hf掺杂的ITO基薄膜晶体管及其制备方法。ITO基薄膜晶体管包括栅极、栅介质、沟道层和源漏电极，其中沟道层是由ITO层和Hf掺杂ITO层复合而成。采用P型重掺杂硅作为栅极，SiO2薄膜作为栅介质层；在栅介质层上首先通过磁控溅射制备ITO层，在制备的ITO层上，利用ITO靶和HfO2靶通过共溅射技术制备成Hf掺杂ITO层，形成沟道层；将溅射的沟道层进行分割；分割后，采用直流溅射沉积Mo金属层、并采用掩模版图案形成源漏电极，得到Hf掺杂的ITO基薄膜晶体管。通过本发明能够有效减少背沟道中氧空位缺陷，抑制背沟道表面电子捕获和去捕获，从而提高ITO基薄膜晶体管的稳定性。

公开(公告)号：CN119907312A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202510140648.7

申请日：2025-02-08

Applicant: 华北水利水电大学

Inventor： 朱治华 ,  余功堂 ,  张新伟 ,  许磊 ,  杨兆年 ,  田彦姗 ,  刘俊杰

IPC: H10D89/60

Abstract: 本发明公开了一种应用于电源轨电路的复合管触发SCR静电防护器件，通过结构改变、器件内嵌和金属线互联，将NMOSFET，NPN型晶体管和SCR三种器件集成为新的器件，其中NMOSFET1的漏极和NMOSFET2的漏极是同一个电极，NMOSFET晶体管的衬底同时是NPN晶体管的基极。利用NMOSFET和NPN组成复合管，使其实现较高的开关速度、较低的导通电阻以及较好的热稳定性。通过NMOSFET和NPN组成的复合管快速导通SCR，将SCR作为主要的泄放电流路径。这种新的器件结构简称为CTTSCR，当ESD信号来临时，NMOSFET和NPN组成的复合管快速开启，将早期的电流注入SCR路径中，降低SCR的触发电压和开启时间，可以使SCR作为主要泄放电流路径快速开启。CTTSCR相较传统NMOSFET而言，具有更快开启速度和更好的鲁棒性。