公开(公告)号：CN104022160B

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201410278159.X

申请日：2014-06-20

Applicant: 华北水利水电大学

Inventor： 许磊 ,  廖蕾 ,  王艳艳 ,  蔡洪涛 ,  张天杰

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/22

Abstract: 本发明公开了一种高价态过渡金属掺杂的氧化锌基半导体材料，在氧化锌基材料中掺杂高价态过渡金属。本发明还公开了一种高价态过渡金属掺杂的氧化锌基薄膜晶体管，包括栅极、半导体沟道层、绝缘层、源极和漏极，其中，半导体沟道层材料为高价态过渡金属掺杂的氧化锌基半导体材料。本发明薄膜晶体管载流子迁移率、偏压稳定性高，制备方法简单，可控程度高，成本低廉，可大面积批量生产，可重复性高，环境友好。

公开(公告)号：CN104022160A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201410278159.X

申请日：2014-06-20

Applicant: 华北水利水电大学

Inventor： 许磊 ,  廖蕾 ,  王艳艳 ,  蔡洪涛 ,  张天杰

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/22

Abstract: 本发明公开了一种高价态过渡金属掺杂的氧化锌基半导体材料，在氧化锌基材料中掺杂高价态过渡金属。本发明还公开了一种高价态过渡金属掺杂的氧化锌基薄膜晶体管，包括栅极、半导体沟道层、绝缘层、源极和漏极，其中，半导体沟道层材料为高价态过渡金属掺杂的氧化锌基半导体材料。本发明薄膜晶体管载流子迁移率、偏压稳定性高，制备方法简单，可控程度高，成本低廉，可大面积批量生产，可重复性高，环境友好。