一种全方位激光检测装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116380137A

    公开(公告)日:2023-07-04

    申请号:CN202310279022.5

    申请日:2023-03-21

    Abstract: 本发明公开了一种全方位激光检测装置,涉及激光检测技术领域,包括检测装置主体和电机,所述检测装置主体的上方设置有检测箱,且检测箱的外表面前方设置有透明舱门,所述电机安装于检测箱的上方,所述检测箱的内部设置有第一转轴,且第一转轴的下方设置有横杆,所述横杆的下方设置有第一检测器,所述横杆的右侧设置有第二转轴,且第二转轴的下方设置有竖杆。该全方位激光检测装置,与现有的普通激光检测装置相比,通过启动检测箱的上方的电机带动第一转轴的转动,带动横杆带动竖杆带动第二检测器匀速转动,并且第一检测器与横杆转动连接,从而达到了对于待检测产品全方位的检测,提高了产品的质量,降低了检测的误差。

    一种应用于电源轨电路的复合管触发SCR静电防护器件

    公开(公告)号:CN119907312A

    公开(公告)日:2025-04-29

    申请号:CN202510140648.7

    申请日:2025-02-08

    Abstract: 本发明公开了一种应用于电源轨电路的复合管触发SCR静电防护器件,通过结构改变、器件内嵌和金属线互联,将NMOSFET,NPN型晶体管和SCR三种器件集成为新的器件,其中NMOSFET1的漏极和NMOSFET2的漏极是同一个电极,NMOSFET晶体管的衬底同时是NPN晶体管的基极。利用NMOSFET和NPN组成复合管,使其实现较高的开关速度、较低的导通电阻以及较好的热稳定性。通过NMOSFET和NPN组成的复合管快速导通SCR,将SCR作为主要的泄放电流路径。这种新的器件结构简称为CTTSCR,当ESD信号来临时,NMOSFET和NPN组成的复合管快速开启,将早期的电流注入SCR路径中,降低SCR的触发电压和开启时间,可以使SCR作为主要泄放电流路径快速开启。CTTSCR相较传统NMOSFET而言,具有更快开启速度和更好的鲁棒性。

    原子核形变模型
    3.
    实用新型

    公开(公告)号:CN213781370U

    公开(公告)日:2021-07-23

    申请号:CN202023167693.3

    申请日:2020-12-25

    Abstract: 本实用新型涉及一种原子核形变模型,单元球包括球体及其表面上设置的沿球径延伸的插孔,插孔的盲端粘接有位于孔内的衔铁,插孔的孔壁上设有围绕在孔腔周围的工作线圈,工作线圈依次串接有位于球体内的第一开关、第二开关和电源,第一开关和第二开关的触发部位于球体表面上,电源为可拆连接在球体上设置的电池仓内的蓄电池;连接件包括铝制的阻磁基座,阻磁基座的一端固定有插入一单元球的所述插孔中的第一铁芯,相对另一端固定有插入另一单元球的所述插孔中的第二铁芯。本实用新型采用电磁铁形式实现单元球之间的连接,这样对标记为不同颜色的单元球可通过该方式进行多单元拼接,实现了多个单元球快速结合,从而能够模拟更多形式原子核形态。

Patent Agency Ranking