公开(公告)号：CN103346168A

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201310248583.5

申请日：2013-06-20

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾祥斌 ,  文西兴 ,  文国知 ,  郑文俊 ,  廖武刚 ,  冯枫 ,  曹陈晨

IPC: H01L29/788 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8247

Abstract: 本发明公开了一种基于SiCx织构的硅量子点浮栅非易失性半导体存储器及其制备方法，包括硅衬底，在硅衬底上掺杂形成的源导电区和漏导电区，以及在源漏之间的载流子沟道上依次生长的隧穿氧化层、电荷存储层、控制栅氧化层及金属栅层；所述电荷存储层包括SiCx织构和横纵向均匀分布于SiCx织构中的硅量子点。本发明有效利用硅量子点-SiCx织构间的隧穿势垒，构成了控制栅氧化层-SiCx织构-Si量子点-SiCx织构-隧穿氧化层双阶梯势垒电荷存储结构；不仅可实现电荷的有效分立存储，增强电荷保持特性，还允许器件具有更薄的隧穿氧化层，加快了电荷的擦写速度，使存储器的综合性能得到全面提升，并为器件的尺寸进一步缩小提供了技术支持。

公开(公告)号：CN103618037A

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201310606319.4

申请日：2013-11-25

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾祥斌 ,  廖武刚 ,  文西兴 ,  郑文俊 ,  冯枫 ,  文杨阳 ,  黄诗涵

IPC: H01L33/26 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/005 ,  H01L33/025 ,  H01L33/26

Abstract: 本发明公开了一种掺杂硅量子点发光二极管，包括硅衬底，沉积银纳米颗粒层，以及在银纳米颗粒结构上沉积多层分布均匀且包含掺杂硅量子点的SiNx薄膜，透明导电薄膜AZO层以及Si3N4钝化层。还公开了该发光二极管的制备方法，利用掺杂硅量子点-SiNx薄膜的电致发光特性，构成发光二极管的发光有源层；利用掺杂可以钝化量子点，同时掺杂硅量子点与硅衬底形成的p-n结增强电子空穴的辐射复合。此外，利用银纳米结构增加电致发光的强度，提高了发光器件的发光效率，且与传统的CMOS工艺兼容。

公开(公告)号：CN103618037B

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201310606319.4

申请日：2013-11-25

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾祥斌 ,  廖武刚 ,  文西兴 ,  郑文俊 ,  冯枫 ,  文杨阳 ,  黄诗涵

IPC: H01L33/26 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种掺杂硅量子点发光二极管，包括硅衬底，沉积银纳米颗粒层，以及在银纳米颗粒结构上沉积多层分布均匀且包含掺杂硅量子点的SiNx薄膜，透明导电薄膜AZO层以及Si3N4钝化层。还公开了该发光二极管的制备方法，利用掺杂硅量子点‑SiNx薄膜的电致发光特性，构成发光二极管的发光有源层；利用掺杂可以钝化量子点，同时掺杂硅量子点与硅衬底形成的p‑n结增强电子空穴的辐射复合。此外，利用银纳米结构增加电致发光的强度，提高了发光器件的发光效率，且与传统的CMOS工艺兼容。

公开(公告)号：CN103346168B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201310248583.5

申请日：2013-06-20

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾祥斌 ,  文西兴 ,  文国知 ,  郑文俊 ,  廖武刚 ,  冯枫 ,  曹陈晨

IPC: H01L29/788 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8247

Abstract: 本发明公开了一种基于SiCx织构的硅量子点浮栅非易失性半导体存储器及其制备方法，包括硅衬底，在硅衬底上掺杂形成的源导电区和漏导电区，以及在源漏之间的载流子沟道上依次生长的隧穿氧化层、电荷存储层、控制栅氧化层及金属栅层；所述电荷存储层包括SiCx织构和横纵向均匀分布于SiCx织构中的硅量子点。本发明有效利用硅量子点-SiCx织构间的隧穿势垒，构成了控制栅氧化层-SiCx织构-Si量子点-SiCx织构-隧穿氧化层双阶梯势垒电荷存储结构；不仅可实现电荷的有效分立存储，增强电荷保持特性，还允许器件具有更薄的隧穿氧化层，加快了电荷的擦写速度，使存储器的综合性能得到全面提升，并为器件的尺寸进一步缩小提供了技术支持。