公开(公告)号：CN117238958A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202210638912.6

申请日：2022-06-08

Applicant: 北京大学

Inventor： 魏进 ,  司佳 ,  余晶晶 ,  樊晨炜 ,  杨俊杰

IPC: H01L29/778 ,  H01L27/092 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种基于GaN与碳纳米管的CMOS逻辑电路及其制备方法。所述CMOS逻辑电路由制备在同一个芯片上的GaN n型晶体管和碳纳米管p型晶体管组成，在衬底上依次层叠缓冲层、电子导电沟道层和势垒层，GaN n型晶体管的源极、漏极和栅极结构位于势垒层上，栅极位于栅极结构上，GaN n型晶体管上覆盖钝化层；碳纳米管p型晶体管包括碳纳米管沟道及其两端的漏极和源极，在碳纳米管沟道上依次为其栅介质层和栅极；碳纳米管p型晶体管位于GaN n型晶体管侧面或者上方的钝化层上。本发明的CMOS逻辑电路饱和电流密度大，工作速度高，可以作为GaN功率器件的外围电路，实现单片集成，有效解决目前Si电路带来的片间寄生电感问题，从而充分发挥出GaN功率器件的性能优势。

公开(公告)号：CN116364767A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202310238260.1

申请日：2023-03-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 胡又凡 ,  龙冠桦 ,  蔡翔 ,  樊晨炜

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/40 ,  H01L29/786 ,  H10K50/82

Abstract: 本公开提供了一种低功函数电极、半导体器件及其制备方法。本公开的低功函数电极，包括：低功函数材料层和保护层；其中，保护层通过在低功函数材料层之上沉积具有化学惰性或自限制氧化特性的材料而形成；低功函数材料层通过在衬底层上沉积低功函数材料而形成，低功函数材料层除下表面之外的所有其他表面均被保护层包覆。本公开实现了对低功函数材料表面进行包覆式保护的电极结构，能够避免低功函数材料氧化导致电极退化，降低低功函数材料在微纳加工过程中的退化，提升低功函数电极的稳定性。使用本公开提供的低功函数电极作为半导体器件的电极，可显著提升半导体器件的稳定性和性能表现，降低半导体器件的加工封装工艺要求和存储环境要求。