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公开(公告)号：CN117238958A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202210638912.6
申请日：2022-06-08
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/778 , H01L27/092 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种基于GaN与碳纳米管的CMOS逻辑电路及其制备方法。所述CMOS逻辑电路由制备在同一个芯片上的GaN n型晶体管和碳纳米管p型晶体管组成，在衬底上依次层叠缓冲层、电子导电沟道层和势垒层，GaN n型晶体管的源极、漏极和栅极结构位于势垒层上，栅极位于栅极结构上，GaN n型晶体管上覆盖钝化层；碳纳米管p型晶体管包括碳纳米管沟道及其两端的漏极和源极，在碳纳米管沟道上依次为其栅介质层和栅极；碳纳米管p型晶体管位于GaN n型晶体管侧面或者上方的钝化层上。本发明的CMOS逻辑电路饱和电流密度大，工作速度高，可以作为GaN功率器件的外围电路，实现单片集成，有效解决目前Si电路带来的片间寄生电感问题，从而充分发挥出GaN功率器件的性能优势。
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公开(公告)号：CN115411102A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210976880.0
申请日：2022-08-15
Applicant: 北京大学 , 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司 , 华为技术有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本公开提供一种冷源晶体管器件，其包括：基底层，冷源层，所述冷源层设置于所述基底层；其中，所述冷源层通过可打开带隙的冷源材料制备；过渡区，所述过渡区设置于所述基底层，并且与所述冷源层连接；沟道层，所述沟道层设置于所述基底层，并且与所述过渡区连接；第一栅介质层，所述第一栅介质层的至少部分形成于所述沟道层的部分，所述第一栅介质层的至少部分形成于所述过渡区的部分；以及第一栅电极，所述第一栅电极设置于所述第一栅介质层。本公开还提供一种冷源晶体管器件的制备方法。
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公开(公告)号：CN103964413A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410154960.3
申请日：2014-04-17
Applicant: 北京大学
CPC classification number: C01B31/0253 , B82Y40/00 , C01B32/168 , H01L25/00
Abstract: 本发明公开了一种在转移碳纳米管的过程中同时提高其密度的方法。首先将基片上生长的碳纳米管平行阵列，转移到可沿单一方向收缩的伸缩膜上，如硅橡胶、聚酯、形状记忆合金等具有收缩性的材料；接着沿着垂直于碳纳米管延伸的方向收缩此膜，提高碳纳米管平行阵列的密度；最后利用化学方法将该膜上的碳纳米管平行阵列转移到目标基片上。本发明的方法效率高，成本低，得到高质量高密度的碳纳米管平行阵列，成功解决现有碳纳米管转移的难题。
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公开(公告)号：CN115692511A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211275332.1
申请日：2022-10-18
Applicant: 北京大学 , 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
IPC: H01L29/861 , H01L21/329
Abstract: 本公开提供了一种基底；至少一个第一电极，第一电极形成于基底之上；至少一个第二电极，第二电极形成于基底之上，且与第一电极间隔开；以及半导体沟道层，至少设置在第一电极和第二电极之间，其中，沟道层形成有第一类型掺杂区和第二类型掺杂区。本公开还提供了一种二极管的制备方法。
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公开(公告)号：CN114843401A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210493952.6
申请日：2022-05-08
Applicant: 北京大学 , 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
Abstract: 本公开提供一种冷源晶体管器件，包括：基底层；冷源层，冷源层设置于基底层；条带层，条带层与冷源层连接，并通过相同材料制备；栅介质层，栅介质层的部分形成于冷源层的部分，栅介质层的部分覆盖条带层的部分；栅电极，栅电极设置于栅介质层；其中，冷源层和条带层连接的界面形成为同质结，栅介质层覆盖同质结。本公开还提供一种冷源晶体管器件的制备方法。
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公开(公告)号：CN104229770B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201410447621.4
申请日：2014-09-04
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种借助弹性材料泊松比提高碳纳米管平行阵列密度的方法。首先将基片片上生长的碳纳米管平行阵列，转移到弹性材料上，如聚甲基丙烯酸甲酯、硅橡胶或聚酯等其他弹性材料；接着沿着碳纳米管延伸的方向拉伸所述的弹性材料，使其在垂直于碳纳米管延伸方向上发生收缩，从而获得高密度碳纳米管；最后将该膜上的碳纳米管平行阵列转移到目标基片上。本发明的方法简单实用，效率高，成本低，可制得高密度高质量的纯半导体性碳纳米管平行阵列。
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公开(公告)号：CN103964413B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201410154960.3
申请日：2014-04-17
Applicant: 北京大学
CPC classification number: C01B31/0253 , B82Y40/00 , C01B32/168 , H01L25/00
Abstract: 本发明公开了一种在转移碳纳米管的过程中同时提高其密度的方法。首先将基片上生长的碳纳米管平行阵列，转移到可沿单一方向收缩的伸缩膜上，如硅橡胶、聚酯、形状记忆合金等具有收缩性的材料；接着沿着垂直于碳纳米管延伸的方向收缩此膜，提高碳纳米管平行阵列的密度；最后利用化学方法将该膜上的碳纳米管平行阵列转移到目标基片上。本发明的方法效率高，成本低，得到高质量高密度的碳纳米管平行阵列，成功解决现有碳纳米管转移的难题。
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公开(公告)号：CN104229770A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410447621.4
申请日：2014-09-04
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种借助弹性材料泊松比提高碳纳米管平行阵列密度的方法。首先将基片片上生长的碳纳米管平行阵列，转移到弹性材料上，如聚甲基丙烯酸甲酯、硅橡胶或聚酯等其他弹性材料；接着沿着碳纳米管延伸的方向拉伸所述的弹性材料，使其在垂直于碳纳米管延伸方向上发生收缩，从而获得高密度碳纳米管；最后将该膜上的碳纳米管平行阵列转移到目标基片上。本发明的方法简单实用，效率高，成本低，可制得高密度高质量的纯半导体性碳纳米管平行阵列。
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