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公开(公告)号：CN117617980A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202210966667.1
申请日：2022-08-12
Applicant: 北京大学
Abstract: 本公开提供了一种可穿戴式表面肌电监测系统，包括：柔性传感器，柔性传感器用于采集待监测对象的目标区域的表面肌电信号；以及柔性电路板，柔性电路板用于对柔性传感器采集的表面肌电信号进行降噪且提升抗干扰能力，并传输信号以用于获得信号时域与频域特征，分析肌肉力量和肌肉疲劳两大指标；其中，柔性电路板能够被佩戴于待监测对象，柔性传感器包括镂空结构和超薄特性(微米级)，使得柔性传感器具有拉伸性能以与目标区域进行共形接触。本公开还提供一种柔性传感器的制备方法。
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公开(公告)号：CN117288081A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202310293523.9
申请日：2023-03-23
Applicant: 北京大学
IPC: G01B7/16
Abstract: 本公开提供了一种柔性应变传感器及其制备方法。本公开实施例的柔性应变传感器包括：衬底、导电层和封装层，导电层由两个或两个以上的异种金属叠层堆叠而成，每个异种金属叠层包括第一金属层和第二金属层，第二金属层形成于第一金属层之上且第二金属层的厚度大于第一金属层的厚度，第一金属层由第一金属材料形成，第二金属层由第二金属材料形成，所述第一金属材料的延展性低于所述第二金属材料的延展性。本公开实施例实现了灵敏度与工作范围可以大幅度调整的柔性应变传感器。
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公开(公告)号：CN100505264C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200710121804.7
申请日：2007-09-14
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本发明提出了一种简单的完全不采用掺杂在一维半导体纳米材料上实现高性能CMOS电路的制备和集成的方法。本发明的CMOS电路中的p型场效应晶体管是通过控制高功函数的金属电极直接与碳纳米管或其它一维半导体纳米材料的价带交换电子来实现的，n型场效应晶体管是通过控制低功函数的金属电极直接与碳纳米管或其它一维半导体纳米材料的导带交换电子来实现的。在此基础上，本发明提出了采用背栅和顶栅两种器件结构分别实现反相器、与非门、或非门以及全加器等基本逻辑单元和更为复杂的逻辑电路。本发明大大降低了CMOS电路制作的工艺复杂性和成本，提高了器件性能的均匀性，为规模集成纳米电路提供了全新的设计思路和有效的实施方法。
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公开(公告)号：CN113299832B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202110549606.0
申请日：2021-05-20
Abstract: 本公开提供了一种基于碳纳米管的瞬态场效应晶体管的CMOS电路，包括：衬底，所述衬底由环境可降解材料形成；沟道区，所述沟道区的沟道材料为碳纳米管；栅介质层，所述栅介质层的材料为金属氧化物；栅电极，所述栅电极的材料为铝；以及源电极和漏电极，所述源电极和漏电极由叠层金属形成。本公开还提供了一种基于碳纳米管的瞬态场效应晶体管的CMOS电路的制备方法。
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公开(公告)号：CN113299832A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110549606.0
申请日：2021-05-20
Abstract: 本公开提供了一种基于碳纳米管的瞬态场效应晶体管，包括：衬底，所述衬底由环境可降解材料形成；沟道区，所述沟道区的沟道材料为碳纳米管；栅介质层，所述栅介质层的材料为金属氧化物；栅电极，所述栅电极的材料为铝；以及源电极和漏电极，所述源电极和漏电极由叠层金属形成。本公开还提供了一种基于碳纳米管的瞬态场效应晶体管的制备方法及集成器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111251688A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010208242.5
申请日：2020-03-23
Applicant: 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京大学 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
IPC: B32B33/00 , B32B27/06 , B32B27/28 , B32B15/08 , B32B9/00 , B32B9/04 , B32B37/24 , B32B38/10 , G01B7/16
Abstract: 本申请公开了一种柔性导电薄膜及其制备方法、传感器，该柔性导电薄膜在拉伸过程中，主要由柔性薄膜的形变缓冲单元外围的微结构底部发生拉伸形变，多产生垂直于拉伸方向的裂纹，并随拉伸程度的增大而扩展，从而使导电薄膜在拉伸方向上的电阻明显增大，使其具有较高的拉伸灵敏度。此外在拉伸过程中，微结构的形貌几乎不变，且柔性薄膜中平行于拉伸方向上连接形变缓冲单元之间的沟壑裂纹较少，从而形成连接的形变缓冲单元微岛，保证了柔性导电薄膜在近70％的拉伸应变下仍然能够导通电流，提高了器件的拉伸范围。在释放应力后，柔性薄膜恢复到施力前的尺寸，裂纹闭合，导电膜层的电阻恢复到起始大小，使得柔性导电膜层可以反复拉伸重复使用。
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公开(公告)号：CN119984580A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202411941503.9
申请日：2024-12-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发提供一种基于边缘场的浮栅碳纳米管晶体管柔性压力传感器，包括弹性体复合电极、分层复合介电质层、叉指电极、浮栅碳纳米管晶体管和柔性衬底；弹性体复合电极包括弹性体电极和金属电极；弹性体电极由PDMS和CNT复合材料制备而成，其外表面形成多尺度微结构；金属电极蒸镀在多尺度微结构外表面上；分层复合介电质层包括有机介电质和无机介电质；叉指电极为共面设计，其中一个电极朝不延长的电极的相反方向延长至弹性体复合电极之外，作为浮栅电极；晶体管介电层、沟道、源漏电极位于弹性体复合电极之外的延迟电极的延长部分之上。本发明加强了对边缘场的调控能力，大幅度提高了传感器的灵敏度和力学稳定性，降低了工作电压，有利于阵列化拓展。
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公开(公告)号：CN119984380A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202411928150.9
申请日：2024-12-25
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明具体涉及一种基于边缘场效应的柔性接近和压力传感器，包括弹性体复合浮动电极、复合介电层、叉指电极和超薄柔性衬底，其特征在于，所述弹性体复合浮动电极由弹性体电极和金属电极复合而成，所述弹性体电极为由聚二甲基硅氧烷和碳纳米管复合材料制备而成的弹性体，所述弹性体电极在朝向复合介电层的外表面形成多尺度微结构；所述金属电极为蒸镀在弹性体电极具有多尺度微结构外表面上的金属层电极；所述复合介电层由有机介电层和无机金属氧化物介电层形成上下层结构复合而成，厚度小于220nm；所述叉指电极采用共面的设计，其上表面与复合介电层中的无机金属氧化物介电层相连，其下表面与氧化铪相连；所述氧化铪下表面与超薄柔性衬底相连，所述超薄柔性衬底厚度小于2μm。本发明提供的基于边缘场效应的柔性接近和压力传感器，加强了对边缘场的调控能力，在不损失对接近信号探测性能的同时，提高了压力传感的灵敏度及线性度，扩大了传感范围，并降低外部电磁信号对压力探测的干扰。
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公开(公告)号：CN116364767A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310238260.1
申请日：2023-03-13
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/40 , H01L29/786 , H10K50/82
Abstract: 本公开提供了一种低功函数电极、半导体器件及其制备方法。本公开的低功函数电极，包括：低功函数材料层和保护层；其中，保护层通过在低功函数材料层之上沉积具有化学惰性或自限制氧化特性的材料而形成；低功函数材料层通过在衬底层上沉积低功函数材料而形成，低功函数材料层除下表面之外的所有其他表面均被保护层包覆。本公开实现了对低功函数材料表面进行包覆式保护的电极结构，能够避免低功函数材料氧化导致电极退化，降低低功函数材料在微纳加工过程中的退化，提升低功函数电极的稳定性。使用本公开提供的低功函数电极作为半导体器件的电极，可显著提升半导体器件的稳定性和性能表现，降低半导体器件的加工封装工艺要求和存储环境要求。
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公开(公告)号：CN115313901A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210836229.3
申请日：2022-07-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本公开提供一种具有恒定固有电容的摩擦发电装置，包括：摩擦对，包括相对设置的第一摩擦层和第二摩擦层，第一摩擦层和第二摩擦层由不同材料制成；以及电极对，包括第一电极和第二电极，第一电极和第二电极隔离设置，并且第一电极和第二电极能够在第一摩擦层和第二摩擦层之间进行移动，其中，第一电极和第二电极纵向相对设置并且第一电极和第二电极的相对位置及表面面积固定，第一电极和第二电极构成的电极对能够在纵向相对设置的第一摩擦层和第二摩擦层之间的空间以恒定速度横向移动以便进出，其中第一电极与第一摩擦层接触，第二电极与第二摩擦层接触。本公开还提供了一种自供电传感器及能量提供装置。
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