公开(公告)号：CN116364767A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202310238260.1

申请日：2023-03-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 胡又凡 ,  龙冠桦 ,  蔡翔 ,  樊晨炜

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/40 ,  H01L29/786 ,  H10K50/82

Abstract: 本公开提供了一种低功函数电极、半导体器件及其制备方法。本公开的低功函数电极，包括：低功函数材料层和保护层；其中，保护层通过在低功函数材料层之上沉积具有化学惰性或自限制氧化特性的材料而形成；低功函数材料层通过在衬底层上沉积低功函数材料而形成，低功函数材料层除下表面之外的所有其他表面均被保护层包覆。本公开实现了对低功函数材料表面进行包覆式保护的电极结构，能够避免低功函数材料氧化导致电极退化，降低低功函数材料在微纳加工过程中的退化，提升低功函数电极的稳定性。使用本公开提供的低功函数电极作为半导体器件的电极，可显著提升半导体器件的稳定性和性能表现，降低半导体器件的加工封装工艺要求和存储环境要求。