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公开(公告)号：CN118017984A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410194169.9
申请日：2024-02-21
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种适用于SAR ADC电容失配校正的复用型比较器，属于集成电路技术领域。该复用型比较器的输入端与SAR ADC电容阵列相连，复用型比较器的输出端和亚稳态检测电路输入端相连，所述复用型比较器包括前级放大器、可再生锁存比较器和四个开关S1、S2、S3、S4，分别实现粗比较器和细比较器的复用。与传统的利用亚稳态检测进行电容失配校正的方案相比，本发明复用型比较器不仅可以降低高位量化的功耗，也可以有效节省比较器占用的芯片面积。
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公开(公告)号：CN114421892A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210012346.8
申请日：2022-01-06
Applicant: 北京大学
IPC: H03B19/14
Abstract: 本发明公布了一种谐波生成倍频器的基波电流消除方法，属于集成电路技术领域。本发明采用谐波生成倍频器架构，差分信号输入驱动器件，工作在不同导通角偏置下，谐波生成倍频器的晶体管在差分信号的驱动下，产生的基波电流反相，调整晶体管的尺寸比例，使其输出的基波分量幅值相等，当工作在不同偏置下的晶体管的输出端相连时，基波电流抵消，实现谐波生成倍频器的基波电流消除。本发明避免了限制倍频器工作带宽的高Q值滤波器，因而具有优异的宽带性能。
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公开(公告)号：CN112582002A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011218130.4
申请日：2020-11-04
Applicant: 北京大学(天津滨海)新一代信息技术研究院
IPC: G11C11/419
Abstract: 本申请公开了一种静态随机存取存储器单元电路和存储器，包括：均包括隧穿场效应晶体管的双反相器子电路、第一串联门管子电路、第二串联门管子电路和读缓冲子电路；第一串联门管子电路的第一栅端和第二串联门管子电路的第一栅端均与写字线连接，第二栅端与第一写位线连接，漏端通过第一存储节点与双反相器子电路的一端连接；第二串联门管子电路的第二栅端与第二写位线连接，漏端通过第二存储节点与双反相器子电路的另一端连接以及读缓冲子电路的第一栅端连接；读缓冲子电路的第二栅端与读字线连接，漏端与读位线连接。第一串联门管子电路和第二串联门管子电路能够防止隧穿场效应晶体管产生p‑i‑n电流，从而降低静态功耗，减小静态保持噪声容限退化。
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公开(公告)号：CN109525527A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811061205.5
申请日：2018-09-12
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种超低功耗伪背散射调制器，包括在片集成的定向耦合器、相位调制模块、幅度调制模块和天线，定向耦合器接收端与相位调制模块的输入端相连，相位调制模块的输出端与幅度调制模块的输入端相连，幅度调制模块的输出端与定向耦合器的发射端相连，天线与定向耦合器的天线端相连。
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公开(公告)号：CN106209093A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610482554.9
申请日：2016-06-27
Applicant: 北京大学
IPC: H03L7/197
CPC classification number: H03L7/1974 , H03L2207/50
Abstract: 本发明提供一种全数字小数分频锁相环结构，包括：时数转换器TDC、数字滤波器DLF、数控振荡器DCO、数控相位插值器DPI、∑Δ调制器SDM、整数分频器DIV和前馈校正模块。通过使用数控相位插值器DPI完成数字控制信号到相位信息的转换，并且采用前馈校正手段消除由DPI引入的非线性。这种结构不仅降低电路设计的复杂度，同时解决现有结构中功耗高，设计复杂，噪声差等问题。适用于高性能、低功耗无线通讯领域。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN104639580A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201310556773.3
申请日：2013-11-11
Applicant: 北京大学
IPC: H04L29/08 , H04B13/00 , A61B5/00 , A61B5/0402
Abstract: 本发明公开了一种新型的无线传感器网络通信方法及系统。本方法为：1）将有源传感器设置于待测者身上；所述有源传感器包括一电极，该电极贴于该待测者体表；该待测者体表或该电极上设有一与该电极通信连接的微型收发机芯片；2）所述微型收发机芯片以该待测者为天线接收远程网络中心控制器发送的信号，并将该信号发送给所述有源传感器；3）所述有源传感器根据该信号对该待测者进行数据采集，并将采集的数据发送给所述微型收发机芯片；所述微型收发机芯片以该待测者为天线将采集的数据发送给所述远程网络中心控制器。本发明具有成本低、便捷性好、传输距离远、适用范围广等特点。
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公开(公告)号：CN104639579A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201310556493.2
申请日：2013-11-11
Applicant: 北京大学
IPC: H04L29/08
Abstract: 本发明公开了一种利用体表信道进行传感器网络能量传输的方法及系统，本方法为：1）在待测者身上设置不含电池的无源传感器，该无源传感器的电极设于待测者体表或体内；在该待测者的身上设置传感器控制器，所述传感器控制器上设有电池和电极，该传感器控制的电极设于该待测者体表上；2）远程无线控制端向所述传感器控制器发送信号，启动所述传感器控制器；3）所述传感器控制器通过其贴于该待测者体表的电极向所述无源传感器发送载波能量；4）所述载波能量通过该待测者的体表信道传输至所述无源传感器的电极；5）所述无源传感器将所述载波能量转换为工作电压为自身提供能源。本发明具有传输效率高、便捷性安全性好、成本低、适用范围广等特点。
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公开(公告)号：CN104362095A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410616285.1
申请日：2014-11-05
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66477 , H01L21/761 , H01L29/1033
Abstract: 本发明公开了一种带隔离的隧穿场效应晶体管的制备方法，属于CMOS超大集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。在该方法中，采用相对高阻的p型硅片直接用作TFET器件的沟道区和体区，且相比标准CMOS IC工艺，增加了一块用于注入N—的掩膜版，通过在沟道较深处注入N—隔离区，实现了隧穿场效应晶体管(TFET)在电路应用中器件的隔离，同时不影响器件性能和器件面积。
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公开(公告)号：CN102170296B
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201110102585.4
申请日：2011-04-22
Applicant: 北京大学
IPC: H04B1/40
Abstract: 本发明提供了一种射频前端电路结构，包括接收机射频前端和发射机射频前端，所述接收机射频前端结构中的低噪声放大器与阻抗匹配网络之间接入第一开关管，所述低噪声放大器与电源之间接入第二开关管；所述发射机射频前端结构中的射频功率放大器与阻抗匹配网络之间接入第三开关管，所述射频功率放大器与电源之间接入第四开关管；上述开关管的开启由数字基带产生的使能信号控制，所述低噪声放大器和射频功率放大器复用同一个片外电感，所述片外电感与接收天线连接。本发明的射频前端电路结构省去双工器，电路结构简单，并能保证收发机的两种状态正常工作；将两个片外电感节省为一个，减少无源器件的成本和面积；保证收发机的各项性能。
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