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公开(公告)号：CN112582002A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011218130.4
申请日：2020-11-04
Applicant: 北京大学(天津滨海)新一代信息技术研究院
IPC: G11C11/419
Abstract: 本申请公开了一种静态随机存取存储器单元电路和存储器，包括：均包括隧穿场效应晶体管的双反相器子电路、第一串联门管子电路、第二串联门管子电路和读缓冲子电路；第一串联门管子电路的第一栅端和第二串联门管子电路的第一栅端均与写字线连接，第二栅端与第一写位线连接，漏端通过第一存储节点与双反相器子电路的一端连接；第二串联门管子电路的第二栅端与第二写位线连接，漏端通过第二存储节点与双反相器子电路的另一端连接以及读缓冲子电路的第一栅端连接；读缓冲子电路的第二栅端与读字线连接，漏端与读位线连接。第一串联门管子电路和第二串联门管子电路能够防止隧穿场效应晶体管产生p‑i‑n电流，从而降低静态功耗，减小静态保持噪声容限退化。
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