公开(公告)号：CN104488080A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201380039179.5

申请日：2013-07-18

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 小西繁 ,  久保田芳宏

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 本发明涉及能够投入半导体生产线的混合基板的制造方法，即，从硅基板1的表面注入离子而形成离子注入区域3，使上述硅基板的经离子注入的表面与蓝宝石基板4的表面直接或经由绝缘膜2贴合后，在上述离子注入区域3使硅基板1剥离而得到在蓝宝石基板4上具有硅薄膜(半导体层)6的混合基板8的混合基板的制造方法，其特征在于，预先在还原性气氛中将上述蓝宝石基板4进行热处理后，与硅基板1贴合。

公开(公告)号：CN111403265A

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN202010233868.1

申请日：2015-12-16

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  川合信 ,  小西繁 ,  茂木弘

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/16 ,  C01B32/188

Abstract: 本发明涉及复合基板、纳米碳膜的制作方法和纳米碳膜。本发明提供一种纳米碳膜形成用复合基板的制造方法，其中，从单晶碳化硅基板的表面注入离子以形成离子注入区域，在该单晶碳化硅基板的离子注入面、以及操作基板的与单晶碳化硅基板贴合的表面分别形成薄膜，使得这些薄膜的合计膜厚为2nm以上且1μm以下，接着，将所述单晶碳化硅基板的离子注入面上的薄膜与操作基板上的薄膜贴合后，在所述离子注入区域剥离单晶碳化硅基板，使单晶碳化硅薄膜转印到操作基板上，进而对该单晶碳化硅薄膜进行研磨，从而获得的纳米碳膜形成用复合基板。

公开(公告)号：CN104488080B

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201380039179.5

申请日：2013-07-18

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 小西繁 ,  久保田芳宏

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 本发明涉及能够投入半导体生产线的混合基板的制造方法，即，从硅基板1的表面注入离子而形成离子注入区域3，使上述硅基板的经离子注入的表面与蓝宝石基板4的表面直接或经由绝缘膜2贴合后，在上述离子注入区域3使硅基板1剥离而得到在蓝宝石基板4上具有硅薄膜(半导体层)6的混合基板8的混合基板的制造方法，其特征在于，预先在还原性气氛中将上述蓝宝石基板4进行热处理后，与硅基板1贴合。

公开(公告)号：CN110892506A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201880046539.7

申请日：2018-07-10

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 久保田芳宏 ,  小西繁

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

Abstract: 提供一种具有高热导率、高散热性并且在高频损耗小的器件基板，以及该器件基板的制造方法。本发明的器件基板1可以通过以下方法制造：使用临时贴合粘合剂31将SOI器件基板10的Si器件层侧临时贴合到支撑基板20，该SOI器件基板包括Si基础基板11、形成在Si基础基板上的具有高热导率且为电绝缘体的Box层12、和形成在Box层上的Si器件层13；去除临时贴合的SOI器件基板的Si基础基板11，直到露出Box层，从而获得减薄的器件晶片10a；使用耐热温度至少150℃的转移粘合剂32，通过施加热量和压力，将减薄的器件晶片的Box层侧与转移基板40彼此转移贴合，该转移基板具有高热导率并且是电绝缘体；以及分离支撑基板20。

公开(公告)号：CN104040685B

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201280063158.2

申请日：2012-12-20

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 小西繁 ,  久保田芳宏 ,  川合信

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/02 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/2007

Abstract: 一种复合基板，具备热传导率为5W/m·K以上且体积电阻率为1×108Ω·cm以上的无机绝缘性烧结体基板和单晶体半导体膜，或上述无机绝缘性烧结体基板、单晶体半导体膜以及介于它们之间的选自氧化物、氮化物、氮氧化物的至少一种的薄层。根据本发明，可以采用对可见光不透明、热传导性好、进而在高频区域的损耗小的廉价无机绝缘性烧结体，提供抑制了金属杂质污染的廉价复合基板。

公开(公告)号：CN106062922A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201580009375.7

申请日：2015-02-16

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 川合信 ,  小西繁

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L27/1203 ,  B32B9/04 ,  B32B37/025 ,  B32B2255/20 ,  B32B2307/206 ,  B32B2313/00 ,  B32B2315/02 ,  B32B2315/08 ,  B32B2457/14 ,  C30B29/06 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1218 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7812 ,  H01L29/78603

Abstract: 本发明涉及复合基板，是在热导率为5W/m·K以上并且体积电阻率为1×108Ω·cm以上的无机绝缘性烧结体基板11的至少表面具有单晶半导体薄膜13的复合基板，其中，在上述无机绝缘性烧结体基板11和单晶半导体薄膜13之间具有由多晶硅或非晶硅构成的硅被覆层12。根据本发明，即使是在对于可见光为不透明、导热性良好、而且高频区域中的损失小、并且价格低的陶瓷烧结体上设置了单晶硅薄膜的复合基板，也可以抑制来自烧结体的金属杂质污染，使特性提高。

公开(公告)号：CN104040685A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201280063158.2

申请日：2012-12-20

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 小西繁 ,  久保田芳宏 ,  川合信

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/02 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/2007

Abstract: 一种复合基板，具备热传导率为5W/m·K以上且体积电阻率为1×108Ω·cm以上的无机绝缘性烧结体基板和单晶体半导体膜，或上述无机绝缘性烧结体基板、单晶体半导体膜以及介于它们之间的选自氧化物、氮化物、氮氧化物的至少一种的薄层。根据本发明，可以采用对可见光不透明、热传导性好、进而在高频区域的损耗小的廉价无机绝缘性烧结体，提供抑制了金属杂质污染的廉价复合基板。

公开(公告)号：CN106062922B

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201580009375.7

申请日：2015-02-16

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 川合信 ,  小西繁

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明涉及复合基板，是在热导率为5W/m·K以上并且体积电阻率为1×108Ω·cm以上的无机绝缘性烧结体基板11的至少表面具有单晶半导体薄膜13的复合基板，其中，在上述无机绝缘性烧结体基板11和单晶半导体薄膜13之间具有由多晶硅或非晶硅构成的硅被覆层12。根据本发明，即使是在对于可见光为不透明、导热性良好、而且高频区域中的损失小、并且价格低的陶瓷烧结体上设置了单晶硅薄膜的复合基板，也可以抑制来自烧结体的金属杂质污染，使特性提高。

公开(公告)号：CN104798176B

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201380061023.7

申请日：2013-11-19

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 小西繁 ,  白井省三

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/316 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/265 ,  H01L21/302 ,  H01L21/6835 ,  H01L29/0649 ,  H01L2221/68327

Abstract: 复合基板的制造方法，是通过将半导体基板1与支持基板3贴合后，对上述半导体基板1进行薄化，得到在支持基板3上具有半导体层6的复合基板8的复合基板的制造方法，其中,在支持基板3的进行贴合的面形成含有聚硅氮烷的涂膜4a，进行将该涂膜4a加热到600℃以上1200℃以下的烧成处理而形成含硅绝缘膜4，然后经由该绝缘膜4将上述半导体基板1与支持基板3贴合，抑制支持基板的面粗糙度、缺陷引起的贴合不良，简便地得到复合基板。

公开(公告)号：CN104488081B

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201380039471.7

申请日：2013-07-18

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 小西繁 ,  久保田芳宏 ,  川合信 ,  秋山昌次 ,  永田和寿

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/86 ,  H01L29/78657

Abstract: 本发明涉及能够再现性好地制作缺陷数少并且不存在其波动的SOS基板、而且能够投入半导体生产线的SOS基板的制造方法，即，从硅基板1的表面注入离子从而形成离子注入区域3，将上述硅基板1的经离子注入的表面与蓝宝石基板4的表面直接或经由绝缘膜2贴合后，在上述离子注入区域3使硅基板1剥离而得到在蓝宝石基板4上具有硅6层的SOS基板8的SOS基板的制造方法，其特征在于，上述蓝宝石基板4的面方位为偏离角1度以下的C面。