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公开(公告)号：CN117877975A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410274495.0
申请日：2024-03-11
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L21/311
Abstract: 本申请提供一种利用ICP刻蚀二氧化硅的方法。该方法包括：向抽真空后的反应腔内通入第一刻蚀气体、第二刻蚀气体和掺杂气体，控制刻蚀压力达到1~20mTorr后，开启并控制ICP功率为500~2500w，偏压功率为30~500w，对二氧化硅进行刻蚀，所述第一刻蚀气体为含氟化合物，所述含氟化合物中氟的分子量大于3，所述第二刻蚀气体为含有氟和碳的化合物，氟与碳的分子量之比小于3，所述第一刻蚀气体、第二刻蚀气体和掺杂气体三者的体积流量之比为1：（2~4）：（5~10）。该方案可以刻蚀出陡直且光滑的二氧化硅侧壁形貌。
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公开(公告)号：CN117026194A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311150986.6
申请日：2023-09-07
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本公开是关于一种磁控溅射镀膜装置及薄膜制备方法。磁控溅射镀膜装置包括传递仓、镀膜仓、可开合的连通部以及传递部。镀膜仓内设有供电端、靶位组件和基底组件，供电端与靶位组件和基底组件分别电连接。连通部设于传递仓和镀膜仓之间，用于连通或阻断传递仓和镀膜仓。传递部可活动地设于传递仓和镀膜仓。薄膜制备方法包括对镀膜仓抽真空；对基底进行物理清洗；将基底放入传递仓中的传递部，对传递仓抽真空；打开连通部，将基底运输至镀膜仓；对基底进行化学清洗；对靶材进行预溅射；在基底表面沉积薄膜。本公开提供的磁控溅射镀膜装置和薄膜制备方法能够减少抽真空时间，提高镀膜效率，并且生成致密均匀的薄膜。
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公开(公告)号：CN116865900A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310898433.2
申请日：2023-07-21
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种全光同时多频段多波束相控阵发射机及其方法。属于射频无线通信及雷达探测技术领域。N个波长连续可调激光器输出的光信号经第一波分复用器合束后，经光功分器功分为两束。其中一束光信号经第二波分复用器解复用为N个光信号，并输入到对应的N个载波抑制单边带调制器中，被N个不同频率的电信号调制以及光放大器放大；然后再经第三波分复用器合束以及光功分器功分为M+1束后输入到对应的(M+1)个光电探测器中。另一束光信号经1×(M+1)光相移网络相移后，被对应的(M+1)个光移相器调相，然后输入到对应的(M+1)个光电探测器中。光电探测器拍频得到的N个不同射频信号耦合到阵列天线中，通过调控N个激光器的波长，可以独立调控N个波束的连续扫描。
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公开(公告)号：CN114137743B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202111348386.1
申请日：2021-11-15
Applicant: 之江实验室
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明公开了一种基于级联硅基微环调制器的高线性调制器芯片和调制方法。两个不同波长的激光器输出光载波信号并通过片上合束器或波分复用器进行合束，由于微环调制器本身具有波长选择功能，两路光载波经总线波导分别耦合到两个硅基微环调制器中。电调制信号经过一个功分比可调的电功分器分成两路并分别调制两个微环调制器。通过调控两个微环调制器的工作点，使其中一个微环调制器工作在一阶谐波分量最大点，另一个微环调制器工作在三阶非线性最大点。同时调控电功分器的分配比，在光电探测器端解调时，通过上述操作可以使两个微环中的三阶非线性可以相互抵消同时保证一阶谐波分量变化较小。
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公开(公告)号：CN116540368A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310749514.6
申请日：2023-06-25
Applicant: 之江实验室
IPC: G02B6/42
Abstract: 本申请公开了一种芯片冷却结构及其制造方法及光子集成芯片。芯片冷却结构包括基底；光子集成回路，设置于基底的一侧，光子集成回路包括若干光电器件；冷却层，设置于基底远离光子集成回路的一侧，冷却层包括微流道、微流道入口以及微流道出口；密封层，设置于冷却层远离基底的一侧，用于密封微流道。本申请通过在光子集成回路的背面集成包含微流道的冷却层，通过流体带走光子集成回路的热量，可以有效的给光子集成回路进行降温。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116384472A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310348758.3
申请日：2023-03-29
Abstract: 本说明书公开了一种数据处理系统、方法、设备及存储介质，可以通过任务调度模块针对目标图数据中包含的每个节点，在生成该节点的特征聚合任务时，可以判断预设的指定缓存区中是否包含有执行该节点的特征聚合任务所需的关联对象的特征表示，如果存在，则可以从指定缓存区中直接获取到关联对象的特征表示，如果不存在再去提取关联对象的特征表示。其中，指定缓存区中包含的执行该节点的特征聚合任务所需的关联对象的特征表示是在历史执行的其他节点的特征聚合任务时保存的，从而可以避免关联对象的特征表示进行重复提取，进而可以降低在对目标图数据中的每个节点的节点特征表示进行更新时的冗余计算操作，从而可以提升目标图数据的处理效率。
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公开(公告)号：CN115037379B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210953640.9
申请日：2022-08-10
Applicant: 之江实验室
IPC: H04B10/548 , H04B10/2575 , G02F1/29
Abstract: 本发明公开了一种基于硅基微环调制器的光子RF倍频芯片及其控制方法。该芯片基于绝缘体上硅(Silicon on Insulator,SOI)半导体加工工艺制造而成。芯片上集成了光纤耦合器、可调光功分器、上下话路型微环调制器、多模耦合干涉仪和锗硅光电探测器。通过调控可调光功分器和微环调制器的工作点，可以实现RF信号的四倍频。由于该芯片基于CMOS硅光工艺，具有低功耗和低成本优势。除此之外，该倍频器在光域实现了射频信号的高阶倍频，具有超宽带、抗电磁干扰等优势。因此可以用于超宽带无线通信和雷达系统。
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公开(公告)号：CN115037379A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210953640.9
申请日：2022-08-10
Applicant: 之江实验室
IPC: H04B10/548 , H04B10/2575 , G02F1/29
Abstract: 本发明公开了一种基于硅基微环调制器的光子RF倍频芯片及其控制方法。该芯片基于绝缘体上硅(Silicon on Insulator,SOI)半导体加工工艺制造而成。芯片上集成了光纤耦合器、可调光功分器、上下话路型微环调制器、多模耦合干涉仪和锗硅光电探测器。通过调控可调光功分器和微环调制器的工作点，可以实现RF信号的四倍频。由于该芯片基于CMOS硅光工艺，具有低功耗和低成本优势。除此之外，该倍频器在光域实现了射频信号的高阶倍频，具有超宽带、抗电磁干扰等优势。因此可以用于超宽带无线通信和雷达系统。
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公开(公告)号：CN114527535B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210035658.0
申请日：2022-01-13
Applicant: 之江实验室
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明公开了一种基于电光预失真器的高线性硅基调制器芯片和高线性方法。该芯片基于硅光集成工艺，集成了一个光功分器、一个主调制器、一个电光预失真器和一个低带宽锗硅光电探测器。输入光信号经光功分器分成两路并分别输入到主调制器和电光预失真器中。射频双音信号经电功分器分成两路，其中一路调制电光预失真器，经片上低带宽锗硅探测器解调出的二阶交调信号放大后与另一路射频双音信号经电合成器调制主调制器。调控光功分器和电功分器的功率分配比，抑制主调制器产生三阶交调信号，提高其调制线性度，从而极大地提高所在模拟光链路的无杂散动态范围。
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公开(公告)号：CN114531205A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210035581.7
申请日：2022-01-13
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种可编程二维同时多波束光控相控阵接收机芯片及多波束控制方法。该芯片可基于包含氮化硅(SiN)工艺的绝缘体上硅(SOI)和磷化铟(InP)等半导体加工工艺制造而成。InP基半导体用来制备激光器阵列芯片和半导体光放大器阵列芯片，SiN用来制备光功分器、SOI半导体用来制备硅光调制器、锗硅探测器、光波长复用器和真延时线等无源光器件。InP基与SOI基芯片通过异构集成实现该接收机芯片的整体集成。通过外围电路编程控制可以实现同时多波束扫描。由于该芯片不仅可以实现二维多波束扫描功能，还具有很强的可拓展性，因此可以用于超宽带大容量无线通信和同时多目标雷达识别系统。
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