-
公开(公告)号：CN118795034B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411284619.X
申请日：2024-09-13
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明提供了一种基于双探测器相位成像的声场探测系统、方法、电子设备、介质，包括：平行光场发射模块，用于产生脉冲平行光场以照明声场介质，脉冲平行光场经声场介质进行波前调制，经成像模块放大成像，经分束器将脉冲平行光场分束为透射波前和反射波前，通过第一光场探测器记录透射波前对应的第一光场强度分布，通过第二光场探测器记录反射波前对应的第二光场强度分布；超声换能器模块，用于产生待测高频声场；控制及计算模块，用于控制平行光场发射模块和第一光场探测器、第二光场探测器的同步，存储第一光场强度分布以及第二光场强度分布以计算待测的高频声场的复振幅分布。
-
公开(公告)号：CN118759641A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411251008.5
申请日：2024-09-06
Applicant: 之江实验室
IPC: G02B6/138
Abstract: 本申请提供一种光子引线及其制备方法和应用。所述光子引线的制备方法包括将光子引线虚拟原型进行细分处理得到多个细分部分，将多个细分部分中虚拟支撑台的中心线设计成直线，虚拟支撑跨梁的中心线设计成抛物线或悬链线。在制图软件中建立空间直角坐标系并绘制出各个细分部分的中心线，然后对各个中心线进行三维等距离拉伸形成光子引线的三维模型，输出光子引线文件并将其导入至光刻设备中，将光刻设备内置的三维空间坐标系与空间直角坐标系进行对准，并设计光刻设备的工艺参数，对形成于基板上的光刻胶进行光刻，再进行显影和干燥处理制备得到光子引线。本申请提供的制备方法可以制备出结构稳定可靠的光子引线。
-
公开(公告)号：CN117888080A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410294017.6
申请日：2024-03-14
Applicant: 之江实验室
IPC: C23C16/40 , C23C16/513 , C23C16/455
Abstract: 本申请公开二氧化硅薄膜及其制备方法。制备方法采用PECVD工艺，包括如下：S1）将衬底置于反应腔内，加热直至反应腔内部温度为第一温度预设值，并保持第一预设时长；S2）对反应腔抽真空至第一压力预设值，反应腔内的温度值为第一温度预设值；S3）向反应腔内通入TEOS气体，反应腔内的温度值为第二温度预设值，真空度为第二压力预设值；S4）开启射频电源，反应腔内的温度值为第三温度预设值，以及反应腔内的真空度为第三压力预设值，在衬底上沉积二氧化硅薄膜，以获得所需的二氧化硅薄膜。第一温度预设值、第二温度预设值和第三温度预设值为0℃‑80℃。由于采用TEOS源并结合前述工艺条件，形成的二氧化硅薄膜耐腐蚀性好。
-
公开(公告)号：CN117070892A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311002593.0
申请日：2023-08-10
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种两步控制N2分压降低NbN薄膜内应力和提高超导转变温度的方法，包括以下步骤：先使用N2/Ar气体质量流量比40％～65％沉积NbN缓冲薄膜层，溅射时间为1～112s，NbN缓冲薄膜层厚度为0.1～5nm；再使用N2/Ar气体质量流量比15％～35％沉积NbN主要薄膜层，溅射时间为150～450s，NbN主要薄膜层厚度为10～30nm；最终得到低内应力和高超导转变温度的NbN超导薄膜。本发明方法通过两步控制N2分压在衬底上实现两层薄膜层生长，制备工艺简单，改善效果良好，可实现大规模生产。
-
公开(公告)号：CN118401088B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410854175.2
申请日：2024-06-28
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种超导动态电感探测器及其制备方法，该超导动态电感探测器包括衬底和超导层，该衬底内设有多个深硅槽；该超导层包括电容、电感线圈和超导馈线，该电容覆盖深硅槽内壁和位于衬底表面，该超导馈线和电感线圈位于衬底表面，通过电感线圈将各电容相互连接，通过超导馈线将电容产生的电信号导出。该超导动态电感探测器尺寸较小，且受到噪音影响较小。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118401088A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410854175.2
申请日：2024-06-28
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种超导动态电感探测器及其制备方法，该超导动态电感探测器包括衬底和超导层，该衬底内设有多个深硅槽；该超导层包括电容、电感线圈和超导馈线，该电容覆盖深硅槽内壁和位于衬底表面，该超导馈线和电感线圈位于衬底表面，通过电感线圈将各电容相互连接，通过超导馈线将电容产生的电信号导出。该超导动态电感探测器尺寸较小，且受到噪音影响较小。
-
公开(公告)号：CN117070892B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202311002593.0
申请日：2023-08-10
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种两步控制N2分压降低NbN薄膜内应力和提高超导转变温度的方法，包括以下步骤：先使用N2/Ar气体质量流量比40％～65％沉积NbN缓冲薄膜层，溅射时间为1～112s，NbN缓冲薄膜层厚度为0.1～5nm；再使用N2/Ar气体质量流量比15％～35％沉积NbN主要薄膜层，溅射时间为150～450s，NbN主要薄膜层厚度为10～30nm；最终得到低内应力和高超导转变温度的NbN超导薄膜。本发明方法通过两步控制N2分压在衬底上实现两层薄膜层生长，制备工艺简单，改善效果良好，可实现大规模生产。
-
公开(公告)号：CN116878666A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310759172.6
申请日：2023-06-26
Applicant: 之江实验室
IPC: G01J5/46
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹动态电感热辐射计，包括超导薄膜层、太赫兹天线、截止层和Si衬底，超导薄膜层和太赫兹天线分别沉积于截止层上，截止层沉积于Si衬底上；超导薄膜层包括超导馈线、叉指电容和电感线圈，叉指电容与电感线圈并连形成振荡电路，太赫兹天线与电感线圈相邻，用于将接收的太赫兹信号转换成热量使得电感线圈产生电感变化，通过电感变化使得叉指电容内的共振频率发生改变，超导馈线接收变化的共振频率，通过变化的共振频率能够得到太赫兹信号的光强从而完成太赫兹信号的探测。该太赫兹动态电感热辐射计能够准确的探测太赫兹信号，受温度影响较少；本发明还提供了一种太赫兹动态电感热辐射计的制备方法和太赫兹探测系统。
-
公开(公告)号：CN119376015A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411239785.8
申请日：2024-09-05
Applicant: 之江实验室
IPC: G02B6/13 , B29C64/106 , B33Y10/00 , G01B11/30 , G06N10/40 , G02B6/132 , G02B6/136 , G02B6/42 , G02B27/00
Abstract: 本发明公开了一种基于垂直微镜的量子计算芯片、晶上系统及其仿真器修正方法，通过对深刻蚀垂直结构进行侧壁平滑可以形成小于5nm粗糙度的垂直微镜结构，可以大幅降低光照射在硅基光学器件侧壁界面上的损耗，在硅晶圆上开发了量子计算芯片，实现了宏观空间光学和硅基光电子学之外的另一种光计算芯片结构，且工艺过程与先进封装工艺完全兼容，可以实现感、存、算的光电晶圆级系统集成。对于集成量子计算芯片、集成电路芯片(和光传感芯片)的晶上系统，通过垂直微镜技术降低TSV传输信号的串扰、损耗和延迟，而且通过法珀干涉实现了侧壁粗糙度的间接测量，进而对理想晶上系统仿真器进行修正，使其仿真器的仿真结果更接近晶上系统的真实测量结果。
-
公开(公告)号：CN118759641B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202411251008.5
申请日：2024-09-06
Applicant: 之江实验室
IPC: G02B6/138
Abstract: 本申请提供一种光子引线及其制备方法和应用。所述光子引线的制备方法包括将光子引线虚拟原型进行细分处理得到多个细分部分，将多个细分部分中虚拟支撑台的中心线设计成直线，虚拟支撑跨梁的中心线设计成抛物线或悬链线。在制图软件中建立空间直角坐标系并绘制出各个细分部分的中心线，然后对各个中心线进行三维等距离拉伸形成光子引线的三维模型，输出光子引线文件并将其导入至光刻设备中，将光刻设备内置的三维空间坐标系与空间直角坐标系进行对准，并设计光刻设备的工艺参数，对形成于基板上的光刻胶进行光刻，再进行显影和干燥处理制备得到光子引线。本申请提供的制备方法可以制备出结构稳定可靠的光子引线。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
13
records
(took 0.013 seconds)
