公开(公告)号：CN117250829A

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202311186933.X

申请日：2023-09-14

Applicant: 之江实验室

Inventor： 刘玲玲 ,  余辉 ,  张强 ,  尹坤 ,  王盼 ,  马欣艳

IPC: G03F7/16

Abstract: 本申请提供一种光刻胶除泡装置、系统及方法。其中，该光刻胶除泡装置包括光刻胶喷胶器、气泡检测传感器和气泡排除器，光刻胶喷胶器用于将光刻胶喷在载体表面。气泡检测传感器用于获取所述光刻胶中的气泡所在的位置。气泡排除器用于排除所述光刻胶中的气泡。可实现，在将光刻胶喷在载体表面之后，通过气泡检测传感器确定光刻胶中的气泡所在的位置，然后通过气泡排除器排除光刻胶表面产生的气泡，从而可以避免涂胶过程中气泡对光刻胶膜的质量产生影响，相较于常规方法，滴胶之后表面产生气泡的晶圆不需要去胶反工，提升了光刻工艺的效率和良率。

公开(公告)号：CN117877975A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202410274495.0

申请日：2024-03-11

Applicant: 之江实验室

Inventor： 夏志强 ,  马欣艳 ,  刘玲玲 ,  洪悦 ,  王海涛 ,  李湘 ,  余辉

IPC: H01L21/311

Abstract: 本申请提供一种利用ICP刻蚀二氧化硅的方法。该方法包括：向抽真空后的反应腔内通入第一刻蚀气体、第二刻蚀气体和掺杂气体，控制刻蚀压力达到1~20mTorr后，开启并控制ICP功率为500~2500w，偏压功率为30~500w，对二氧化硅进行刻蚀，所述第一刻蚀气体为含氟化合物，所述含氟化合物中氟的分子量大于3，所述第二刻蚀气体为含有氟和碳的化合物，氟与碳的分子量之比小于3，所述第一刻蚀气体、第二刻蚀气体和掺杂气体三者的体积流量之比为1：（2~4）：（5~10）。该方案可以刻蚀出陡直且光滑的二氧化硅侧壁形貌。