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公开(公告)号：CN117908306A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410110993.1
申请日：2024-01-26
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明提供了一种带有短路金属线电极结构的调制器，包括：衬底、绝缘介质层、共面波导行波电极、多个具有不同掺杂浓度的脊型光波导以及金属线组；所述绝缘介质层设置在衬底上，多个具有不同掺杂浓度的脊型光波导设置在绝缘介质层上；每个脊型光波导通过通孔与共面波导行波电极相连；所述共面波导行波电极中所有的地电极通过通孔与金属线组连接；所述金属线组包含通过周期性排布的金属线。本发明中的调制器通过短路金属线结构抑制了共面波导行波电极中寄生模式的产生，有效优化了微波信号的传输损耗频率响应曲线，有利于高速光通信中高质量眼图的产生。
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公开(公告)号：CN116540368B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202310749514.6
申请日：2023-06-25
Applicant: 之江实验室
IPC: G02B6/42
Abstract: 本申请公开了一种芯片冷却结构及其制造方法及光子集成芯片。芯片冷却结构包括基底；光子集成回路，设置于基底的一侧，光子集成回路包括若干光电器件；冷却层，设置于基底远离光子集成回路的一侧，冷却层包括微流道、微流道入口以及微流道出口；密封层，设置于冷却层远离基底的一侧，用于密封微流道。本申请通过在光子集成回路的背面集成包含微流道的冷却层，通过流体带走光子集成回路的热量，可以有效的给光子集成回路进行降温。
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公开(公告)号：CN116500814B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310750843.2
申请日：2023-06-25
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于全光线性化的高线性硅基薄膜铌酸锂调制芯片及方法，属于射频无线通信技术领域。外部激光器输出的光信号经端面耦合器输入到本发明的调制器芯片中，先经硅基热光功分器分成两路，分别输入到两个相同的调制深度可调的硅基铌酸锂薄膜马赫曾德尔调制器中。将两个马赫曾德尔调制器的工作点设置在相反的两个正交偏置点，通过调控输入到两个马赫曾德尔调制器的光功率分配比以及各自的调制深度，使两个马赫曾德尔调制器产生的三阶交调信号相互抵消，从而实现基于全光线性化的高线性调制。本发明能够极大降低链路噪声系数，进而大幅提升其所在额微波光子系统的动态范围SFDR3。
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公开(公告)号：CN116430510B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310705250.4
申请日：2023-06-14
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本申请提供一种光波导和光波导设计方法。光波导包括衬底层、包层、弯曲波导层和沟槽。包层设于衬底层上方。弯曲波导层设于包层内。沟槽刻蚀于包层，沟槽自包层的外表面向衬底层的方向凹陷，在衬底层的延伸方向上，沟槽位于弯曲波导层的外侧。本申请提供的光波导通过在弯曲波导层的外侧的包层上刻蚀沟槽，可以补偿局部波前相速度，扩大辐射焦散半径，有效降低光波导的弯曲损耗，且制作工艺简单，成本较低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116679375A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310710472.5
申请日：2023-06-15
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本申请提供一种光子芯片及其制备方法，该光子芯片包括：基底、光放大器和光滤波器，其中，光放大器集成于基底上，具有相对设置的输入端和输出端，输入端用于接收光信号，输出端用于输出经光放大器放大的光信号；光滤波器集成于基底上，与光放大器的输出端连接，光滤波器的传输响应曲线根据光放大器输出的光信号的波长的不同而具有对应不同的分布；用于补偿光放大器输出的光信号的频率啁啾。可以实现功率均衡，消除码型效应。可支持高功率、高速信号的高质量放大，提升系统无误码性能。同时可提高光子链路的输出功率，延长传输距离，增加光信号的接收灵敏度。
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公开(公告)号：CN116540368A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310749514.6
申请日：2023-06-25
Applicant: 之江实验室
IPC: G02B6/42
Abstract: 本申请公开了一种芯片冷却结构及其制造方法及光子集成芯片。芯片冷却结构包括基底；光子集成回路，设置于基底的一侧，光子集成回路包括若干光电器件；冷却层，设置于基底远离光子集成回路的一侧，冷却层包括微流道、微流道入口以及微流道出口；密封层，设置于冷却层远离基底的一侧，用于密封微流道。本申请通过在光子集成回路的背面集成包含微流道的冷却层，通过流体带走光子集成回路的热量，可以有效的给光子集成回路进行降温。
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公开(公告)号：CN116500814A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310750843.2
申请日：2023-06-25
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于全光线性化的高线性硅基薄膜铌酸锂调制芯片及方法，属于射频无线通信技术领域。外部激光器输出的光信号经端面耦合器输入到本发明的调制器芯片中，先经硅基热光功分器分成两路，分别输入到两个相同的调制深度可调的硅基铌酸锂薄膜马赫曾德尔调制器中。将两个马赫曾德尔调制器的工作点设置在相反的两个正交偏置点，通过调控输入到两个马赫曾德尔调制器的光功率分配比以及各自的调制深度，使两个马赫曾德尔调制器产生的三阶交调信号相互抵消，从而实现基于全光线性化的高线性调制。本发明能够极大降低链路噪声系数，进而大幅提升其所在额微波光子系统的动态范围SFDR3。
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公开(公告)号：CN116430510A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310705250.4
申请日：2023-06-14
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本申请提供一种光波导和光波导设计方法。光波导包括衬底层、包层、弯曲波导层和沟槽。包层设于衬底层上方。弯曲波导层设于包层内。沟槽刻蚀于包层，沟槽自包层的外表面向衬底层的方向凹陷，在衬底层的延伸方向上，沟槽位于弯曲波导层的外侧。本申请提供的光波导通过在弯曲波导层的外侧的包层上刻蚀沟槽，可以补偿局部波前相速度，扩大辐射焦散半径，有效降低光波导的弯曲损耗，且制作工艺简单，成本较低。
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公开(公告)号：CN116054952A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310040416.5
申请日：2023-01-11
Applicant: 之江实验室
IPC: H04B10/524 , H04B10/50 , H04Q11/04 , H04Q11/00
Abstract: 本发明公开了一种基于Nyquist光脉冲的单片集成OTDM信号发生芯片，包括半导体材料基底及集成在基底上的分布式反馈激光器、第一马赫曾德尔调制器、第二马赫曾德尔调制器、半导体光放大器、1×m多模干涉耦合器、光延迟线阵列、马赫曾德尔调制器阵列和m×1多模干涉耦合器。第一马赫曾德尔调制器和第二马赫曾德尔调制器级联，用于将连续激光调制成周期可调的Nyquist光脉冲；1×m多模干涉耦合器将增益后的光脉冲等功率分为m路光脉冲信号，光延迟线阵列用于改变光脉冲信号的相对延时，m路光脉冲信号经马赫曾德尔调制器调制，并由m×1多模干涉耦合器合束。该芯片通过DFB激光器与两个马赫曾德尔调制器级联代替传统的锁模激光器作为片上OTDM光源，可实现高速OTDM信号传输。
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