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公开(公告)号：CN117871422B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410267880.2
申请日：2024-03-08
Applicant: 之江实验室
IPC: G01N21/17 , G01N21/3504 , G01N21/01
Abstract: 本申请提供一种光声光谱气体传感器及其制备方法。该光声光谱气体传感器包括基底层、形成于基底层上的绝缘层、以及形成于绝缘层上的功能层，功能层包括激光器、光声探测器及专用集成电路模块，激光器用于产生红外激光，光声探测器用于对目标气体被红外激光照射后产生的声波信号进行探测，专用集成电路模块用于对光声探测器探测到的声波信号进行处理以对目标气体进行检测。本申请的光声光谱气体传感器能够在同一片晶圆上实现激光器、光声探测器及专用集成电路模块的片上集成，从而能够降低传感器的体积和成本。
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公开(公告)号：CN117871422A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410267880.2
申请日：2024-03-08
Applicant: 之江实验室
IPC: G01N21/17 , G01N21/3504 , G01N21/01
Abstract: 本申请提供一种光声光谱气体传感器及其制备方法。该光声光谱气体传感器包括基底层、形成于基底层上的绝缘层、以及形成于绝缘层上的功能层，功能层包括激光器、光声探测器及专用集成电路模块，激光器用于产生红外激光，光声探测器用于对目标气体被红外激光照射后产生的声波信号进行探测，专用集成电路模块用于对光声探测器探测到的声波信号进行处理以对目标气体进行检测。本申请的光声光谱气体传感器能够在同一片晶圆上实现激光器、光声探测器及专用集成电路模块的片上集成，从而能够降低传感器的体积和成本。
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公开(公告)号：CN116878666A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310759172.6
申请日：2023-06-26
Applicant: 之江实验室
IPC: G01J5/46
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹动态电感热辐射计，包括超导薄膜层、太赫兹天线、截止层和Si衬底，超导薄膜层和太赫兹天线分别沉积于截止层上，截止层沉积于Si衬底上；超导薄膜层包括超导馈线、叉指电容和电感线圈，叉指电容与电感线圈并连形成振荡电路，太赫兹天线与电感线圈相邻，用于将接收的太赫兹信号转换成热量使得电感线圈产生电感变化，通过电感变化使得叉指电容内的共振频率发生改变，超导馈线接收变化的共振频率，通过变化的共振频率能够得到太赫兹信号的光强从而完成太赫兹信号的探测。该太赫兹动态电感热辐射计能够准确的探测太赫兹信号，受温度影响较少；本发明还提供了一种太赫兹动态电感热辐射计的制备方法和太赫兹探测系统。
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公开(公告)号：CN117410300A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311350658.0
申请日：2023-10-18
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L27/146 , G01J1/42
Abstract: 本发明公开了一种基于超透镜的超导动态电感探测器，包括硅衬底；超导动态电感像素单元阵列，所述超导动态电感像素单元阵列沉积在所述硅衬底表面；和超透镜阵列，所述超透镜阵列通过以超导动态电感像素单元阵列为基准采用背面光刻对准工艺刻蚀所述硅衬底背面得到，所述超透镜阵列用于将垂直入射光聚焦到所述超导动态电感像素单元阵列上，通过所述超导动态电感像素单元阵列将聚焦的入射光转化为电信号从而完成对入射光的探测。该超导动态电感探测器能够将入射光准确的聚焦到超导动态电感像素单元阵列上从而能够准确的探测入射光。本发明还公开了该基于超透镜的超导动态电感探测器的制备方法。
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公开(公告)号：CN117026194A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311150986.6
申请日：2023-09-07
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本公开是关于一种磁控溅射镀膜装置及薄膜制备方法。磁控溅射镀膜装置包括传递仓、镀膜仓、可开合的连通部以及传递部。镀膜仓内设有供电端、靶位组件和基底组件，供电端与靶位组件和基底组件分别电连接。连通部设于传递仓和镀膜仓之间，用于连通或阻断传递仓和镀膜仓。传递部可活动地设于传递仓和镀膜仓。薄膜制备方法包括对镀膜仓抽真空；对基底进行物理清洗；将基底放入传递仓中的传递部，对传递仓抽真空；打开连通部，将基底运输至镀膜仓；对基底进行化学清洗；对靶材进行预溅射；在基底表面沉积薄膜。本公开提供的磁控溅射镀膜装置和薄膜制备方法能够减少抽真空时间，提高镀膜效率，并且生成致密均匀的薄膜。
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公开(公告)号：CN117888080A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410294017.6
申请日：2024-03-14
Applicant: 之江实验室
IPC: C23C16/40 , C23C16/513 , C23C16/455
Abstract: 本申请公开二氧化硅薄膜及其制备方法。制备方法采用PECVD工艺，包括如下：S1）将衬底置于反应腔内，加热直至反应腔内部温度为第一温度预设值，并保持第一预设时长；S2）对反应腔抽真空至第一压力预设值，反应腔内的温度值为第一温度预设值；S3）向反应腔内通入TEOS气体，反应腔内的温度值为第二温度预设值，真空度为第二压力预设值；S4）开启射频电源，反应腔内的温度值为第三温度预设值，以及反应腔内的真空度为第三压力预设值，在衬底上沉积二氧化硅薄膜，以获得所需的二氧化硅薄膜。第一温度预设值、第二温度预设值和第三温度预设值为0℃‑80℃。由于采用TEOS源并结合前述工艺条件，形成的二氧化硅薄膜耐腐蚀性好。
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公开(公告)号：CN117684125A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311611199.7
申请日：2023-11-29
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种室温优化Si衬底上NbN薄膜超导转变温度的方法及其应用，包括以下步骤：固定Si衬底温度为室温，溅射功率为100W～300W，沉积气压为1mTorr～5mTorr，反应气体N2和工作气体Ar的气体质量流量比为15％～35％，溅射时间为1200s～1500s，在Si衬底上沉积得到具有高超导转变温度的NbN超导薄膜。本发明方法制备出的NbN超导薄膜的超导转变温度能够达到14.07K，且沉积温度为室温，制备方法简单可靠，可重复性好，可工业批量化生产，同时为后续NbN超导材料的机制研究、超导动态电感探测器研制及其工程应用提供了有力的材料支撑。
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公开(公告)号：CN117070892A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311002593.0
申请日：2023-08-10
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种两步控制N2分压降低NbN薄膜内应力和提高超导转变温度的方法，包括以下步骤：先使用N2/Ar气体质量流量比40％～65％沉积NbN缓冲薄膜层，溅射时间为1～112s，NbN缓冲薄膜层厚度为0.1～5nm；再使用N2/Ar气体质量流量比15％～35％沉积NbN主要薄膜层，溅射时间为150～450s，NbN主要薄膜层厚度为10～30nm；最终得到低内应力和高超导转变温度的NbN超导薄膜。本发明方法通过两步控制N2分压在衬底上实现两层薄膜层生长，制备工艺简单，改善效果良好，可实现大规模生产。
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公开(公告)号：CN118401088B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410854175.2
申请日：2024-06-28
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种超导动态电感探测器及其制备方法，该超导动态电感探测器包括衬底和超导层，该衬底内设有多个深硅槽；该超导层包括电容、电感线圈和超导馈线，该电容覆盖深硅槽内壁和位于衬底表面，该超导馈线和电感线圈位于衬底表面，通过电感线圈将各电容相互连接，通过超导馈线将电容产生的电信号导出。该超导动态电感探测器尺寸较小，且受到噪音影响较小。
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