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公开(公告)号：CN113823549B
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202010566943.6
申请日：2020-06-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供的一种半导体结构的制造方法，涉及半导体制造技术领域，包括：提供已完成阱注入的衬底；进行双栅极氧化物沉积；进行氮化硅沉积；在沉积有氮化硅膜的衬底正面、侧面和至少一部分背面形成疏水层。在上述技术方案中，通过在晶圆(即衬底)的背面形成适当的疏水层以后，便可以因晶圆背面的疏水功能有效的降低化学液体对晶圆最外层涂层破损位置的渗透，减少或消除晶圆背面涂层脱落的碎片，使晶圆的正面不受到碎片落入影响，从而提高晶圆的产品良率。
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公开(公告)号：CN114054288B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202010761685.7
申请日：2020-07-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种涂胶机的控制方法、涂胶机的控制系统以及涂胶机，该涂胶机的控制方法包括获取光刻胶膜层的需求厚度，控制光刻胶流向晶圆，根据需求厚度，改变晶圆的转速。根据发明实施例的涂胶机的控制方法，在进行晶圆涂胶的过程中，控制晶圆的转速发生变化，能够实现一种光刻胶采用不同的转速进行旋转，形成不同厚度的膜层，扩大了一种光刻胶在不同的转速下所形成的膜层厚度的范围，进而减少涂胶机上所装设的光刻胶的种类，降低了成本投入。另外，通过改变晶圆的旋转速度，快速去除光刻胶中的气泡，改善线宽粗糙度。
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公开(公告)号：CN114955879A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110217402.7
申请日：2021-02-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本申请公开了一种晶圆运输防撞系统及晶圆运输防撞方法，该晶圆运输防撞系统包括运输装置，监测装置和控制装置，运输装置包括轨道和以可滑动的方式设置在轨道上的天车；监测装置安装在天车上，监测装置用于监测天车周围多个方向的障碍物；控制装置与监测装置和天车分别通信连接，控制装置用于根据监测装置传递的信号控制天车的运行；本申请提出的晶圆运输防撞系统通过在天车上设置监测多个方向的障碍物的监测装置，提高了天车移动时的安全性，防止天车与障碍物碰撞，降低或消除了晶圆运输过程中存在的安全隐患。
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公开(公告)号：CN114345644A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202011091893.7
申请日：2020-10-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: B05C11/10
Abstract: 本发明公开了一种光刻胶输送系统，该光刻胶输送系统包括光刻胶供给瓶、缓冲罐和排液胶泵，其中，缓冲罐的顶部设置有进液口和排液口，进液口与光刻胶供给瓶通过进液管路连通，以使光刻胶流入；缓冲罐的底部设置有光刻胶出口，光刻胶出口用于与光刻胶喷嘴连通，以使光刻胶流入光刻胶喷嘴中；排液胶泵与排液口通过排液管路连通，以抽取缓冲罐中的空气。本发明中排液胶泵通过抽取的方式促使光刻胶进入缓冲罐，降低或避免了光刻胶中产生气泡的可能性；而且排液口设置在缓冲罐的顶部，能够将缓冲罐中的空气以及含有气泡的光刻胶抽取出去，不仅避免了浪费大量光刻胶，而且避免了后续光刻胶涂布时由于气泡造成的晶圆缺陷。
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公开(公告)号：CN114253311A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202011017833.0
申请日：2020-09-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本申请涉及一种恒温控制系统及具有其的涂布显影装置。恒温控制系统包括：输水管路；恒温控制器，在恒温控制器的内部设置有内部水路，输水管路和内部水路连接以形成水循环回路，在恒温控制器的内部还设置有布置在内部水路上的真空泵。本申请提出的恒温控制系统，其输水管路和恒温控制器的内部管路连接，从而形成水循环回路，输水管路和在其中循环流动的恒温水，用于保证涂布显影装置中的光刻胶或显影液处于恒温的状态。本申请中的恒温控制系统以真空泵作为水循环的动力源，以真空泵作为水循环的动力的方式，将现有的给水加压的方式改变为给水减压的方式，由此使得输水管路不易发生泄漏，进而可以避免因泄漏而导致产品质量事故的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111399345B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202010275233.8
申请日：2020-04-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本公开提供了一种用于光刻工艺的气压控制系统及方法、涂胶显影系统，该系统包括：外部气压检测装置，用于实时检测光刻设备外部环境的外部气压值，以及用于将外部气压值反馈给控制器；内部气压检测装置，用于实时检测风机过滤单元出口的内部气压值，以及用于将内部气压值反馈给控制器；控制器，用于利用得到的外部、内部气压值确定压差以及根据压差实时控制风机过滤单元变换器和/或风机。该方法包括：实时外部气压值和内部气压值；利用外部气压值和内部气压值确定压差；根据压差实时控制风机过滤单元变换器和/或风机。涂胶显影系统，包括气压控制系统。本公开能够实时调节涂胶显影设备内各区域的气压，具有压差调节速度快、可靠性高等优点。
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公开(公告)号：CN114967349A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110189290.9
申请日：2021-02-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种套刻测量装置，该套刻测量装置包括测量室、测量机构和调控机构，测量室用于放置具有套刻标记的晶圆，测量机构设置在测量室内，用于测量晶圆的套刻标记，调控机构用于调控测量室的温度。具体地，当需要对晶圆进行检测时，将晶圆放置在测量室内，利用调控机构对测量室内的温度进行调节，使得测量室内维持在一定的温度，以满足测量机构的测量需求，测量机构对晶圆上的套刻标记进行测量，由于测量室内的温度符合测量需求，避免了温度对测量数据的影响，使得数据误读的情况得到了消除，从而准确地反映出晶圆的加工质量。
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公开(公告)号：CN114967347A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110206519.5
申请日：2021-02-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: G03F7/16
Abstract: 本发明属于光刻胶涂布技术领域，具体涉及一种供胶机构及其控制方法、光刻胶涂布系统。供胶机构包括：供胶瓶，供胶瓶内容纳有光刻胶；分配泵，分配泵通过供胶管与供胶瓶连接，分配泵通过供胶管使供胶瓶内形成负压的方式将光刻胶吸出，并且分配泵将光刻胶以固定流速输出；测压单元，测压单元用于获取分配泵输出光刻胶的输出压力值；控制单元，控制单元与测压单元电连接，控制系统用于根据输出压力值与预设压力值的大小判断光刻胶是否为所需光刻胶。根据本发明的供胶机构，无需添加昂贵的视频识别系统，从而降低了供胶机构的成本。
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公开(公告)号：CN114967344A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110189115.X
申请日：2021-02-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本申请公开了一种光刻胶涂布设备及晶圆疏水性检测方法，光刻胶涂布设备包括载台、检测液滴管和监测器，载台用于放置经疏水化处理的晶圆；检测液滴管位于载台的上方，检测液滴管用于朝晶圆滴涂检测液以形成液滴；监测器用于监测液滴的接触角α，以判断晶圆的疏水性。由此，本申请提出的光刻胶涂布设备具备在光刻胶涂布前实时监测晶圆的疏水性的功能，避免由于晶圆的疏水化处理不良导致的影响后续光刻胶涂布工艺的问题，进而提高产品良率。
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公开(公告)号：CN114815511A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110130278.0
申请日：2021-01-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明涉及一种用于调节狭缝式曝光带均匀性的装置和光刻机，包括：校正模块，其位于狭缝式曝光带测量区域与狭缝式曝光带的相反侧，其中，狭缝式曝光带测量区域位于狭缝式曝光带的两侧；在所述校正模块和所述狭缝式曝光带测量区域之间，具有狭缝式曝光带控制区域，滤光板可移动至所述狭缝式曝光带控制区域中；其中，校正模块和滤光板在朝向所述曝光狭缝的方向上都是可移动的。通过可移动的校正模块和滤光板，控制滤光板在狭缝式曝光带控制区域移动改变光强和焦距，从而改善狭缝均匀性，最小化由于狭缝均匀性改变而产生的问题。通过对狭缝式曝光带均匀性的调整，能够精细的调整关键尺寸一致，从而提升产品的良率。
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