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公开(公告)号：CN112202049A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202011068518.0
申请日：2020-09-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 北京工业大学
Abstract: 本公开提供一种基于液晶调控的垂直腔面发射激光器，包括：第一半导体层，用于发射激发光，其表面为开设有凹槽的GaAs保护层，所述凹槽处作为所述激发光的中心出光孔，微调控层位于所述GaAs保护层上，所述微调控层对应所述凹槽设置有一容纳空间，所述凹槽和所述容纳空间共同构成一液晶盒，所述液晶盒内填充有液晶材料；本公开还包括一种基于液晶调控的垂直腔面发射激光器的制备方法；本公开可以根据激光器工作状态和需要，动态调控输出的模式，不用高度依赖表面反相结构的精度，可以灵活地调节激光器的输出功率，可精确控制凹槽部分和非凹槽部分对谐振波长的反射率，从而控制不同横模的往返损耗。
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公开(公告)号：CN112202049B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202011068518.0
申请日：2020-09-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 北京工业大学
Abstract: 本公开提供一种基于液晶调控的垂直腔面发射激光器，包括：第一半导体层，用于发射激发光，其表面为开设有凹槽的GaAs保护层，所述凹槽处作为所述激发光的中心出光孔，微调控层位于所述GaAs保护层上，所述微调控层对应所述凹槽设置有一容纳空间，所述凹槽和所述容纳空间共同构成一液晶盒，所述液晶盒内填充有液晶材料；本公开还包括一种基于液晶调控的垂直腔面发射激光器的制备方法；本公开可以根据激光器工作状态和需要，动态调控输出的模式，不用高度依赖表面反相结构的精度，可以灵活地调节激光器的输出功率，可精确控制凹槽部分和非凹槽部分对谐振波长的反射率，从而控制不同横模的往返损耗。
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公开(公告)号：CN115561294B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202211064854.7
申请日：2022-09-01
Applicant: 华中科技大学 , 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N27/414 , H01L29/778
Abstract: 本发明提供了一种栅敏场效应晶体管嗅觉传感器及其制备方法，属于智能传感器领域。嗅觉传感器包括高电子迁移率晶体管和气敏薄膜；晶体管的栅极包括控制栅与延长栅，二者之间的气敏薄膜作为气味受体，与气体分子作用后薄膜电阻发生改变引起栅压变化，进而引起源漏电流的改变，实现信号转导与放大。本发明提供的嗅觉传感器具有高灵敏度、高信噪比与低功耗的特点，通过传感器阵列化并结合算法，可实现高可靠智能嗅觉感知。
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公开(公告)号：CN117117626A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202211554220.X
申请日：2022-12-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/0237 , H01S5/183 , H01S5/02315 , H01S5/02 , H01S5/065
Abstract: 本发明提供了一种自锁模VECSEL锁模稳定的芯片封装装置、方法及控制方法，该封装装置包括：增益芯片，金属圆薄片，压力装置，所述压力装置设于所述金属圆薄片的下表面，用于产生压力使所述金属圆薄片和所述增益芯片发生形变，当所述增益芯片的表面形变焦距达到其中心形变的二分之一时，增益芯片非线性等效焦距增强，实现锁模稳定；其中，所述非线性等效焦距由所述增益芯片的表面形变自散焦焦距和其材料内部决定的非线性克尔透镜焦距组合成的微透镜组焦距来调节。该封装装置结构简单，操作方便，便于稳定自锁模脉冲的输出。该封装方法实现了低功率的状态下就能达到稳定的锁模，无需持续增加泵浦功率实现光强的增大达到稳定锁模状态。
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公开(公告)号：CN102867837A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210340102.9
申请日：2012-09-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L27/15
Abstract: 一种阵列式高压LED器件的制作方法，包括：在外延结构的P型氮化镓层上制作掩膜，选择性刻蚀外延结构，形成N型台阶结构；在外延结构的N型氮化镓层的表面制作掩膜，形成隔离的深槽；进行高温硫磷酸腐蚀；在刻蚀后的外延结构的表面沉积绝缘介质层；腐蚀掉深槽侧壁以外的绝缘介质层；在相邻的各N型台阶结构之间制作透明导电层；部分腐蚀掉最外侧的N型台阶结构上面的P型氮化镓层表面的透明导电层；在其上制作P金属电极和N金属电极。本发明可以减少电极吸光，增加芯片外延的侧面与底部出光面积，与后工艺相互配合，可以提高高压发光二极管芯片的发光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102157640B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110064300.2
申请日：2011-03-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法，包括：采用金属有机化学气相沉积的方法，在半导体衬底上依次生长低温GaN缓冲层、不掺杂GaN层、N-GaN层、多量子阱层和P-GaN层，形成GaN外延片；将GaN外延片放入蒸发台，在P-GaN层的表面蒸镀CsCl或氯化物；蒸镀结束后，向蒸发台腔室中充入水汽，控制相对湿度使P-GaN层表面的CsCl或氯化物吸收水分逐渐长大形成CsCl或氯化物的纳米岛；将CsCl或氯化物纳米岛作为刻蚀掩膜，对GaN外延片进行刻蚀，形成表面粗化的GaN外延片；再将GaN外延片的一侧进行刻蚀，形成台面；在GaN外延片的上表面蒸镀一层ITO薄膜；在GaN外延片的上表面制作P电极，在台面上制作N电极，完成器件制备。
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公开(公告)号：CN101470347A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200710304255.7
申请日：2007-12-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明是一种环形孔阵列结构的二维光子晶体的制作方法。包括：使用清洗液清洗SOI材料称底；在SOI称底上甩电子束胶，并进行前烘；以设计版图为掩模，进行电子束曝光；通过剂量补偿的方法对版图进行修正，消除图形进行电子束曝光时会受邻近效应的影响导致的曝光图形大小不一致；进行显影和定影，并进行后烘，形成环形阵列结构；刻蚀SOI材料的顶层硅，形成环形空气孔状阵列结构，孔中间为硅柱，完成二维光子晶体的制作。本发明实现了纳米量级的环形结构的制作工艺，该光子晶体结构在高频段出现了禁带，实现了制备具有高频段禁带的新型光子晶体结构。
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公开(公告)号：CN118588777A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410769008.8
申请日：2024-06-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/105 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种光电探测器及其制备方法，该光电探测器包括：衬底；在所述衬底上依次叠置缓冲层、N型接触层、N型层、I型层、P型层以及P型接触层；P型接触电极，设置在台面上的中心处，并通过第一电极隔离层的窗口与所述P型接触层接触，其中所述台面为通过光刻刻蚀并露出至所述N型接触层的台面；N型接触电极，设置在所述台面下，并通过第一电极隔离层的窗口与所述N型接触层接触。该光电探测器不仅有利于电流注入均匀性提高，而且降低了探测器边缘电流密度与暗电流，提高了探测器光电性能。
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公开(公告)号：CN115603177A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211160594.3
申请日：2022-09-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所(CN)
Abstract: 本发明涉及硅基光电子学技术领域，提供一种使用单向光注入调制的激光器阵列，包括：阵列排布的多个激光器单元，每个激光器单元包括：波导光栅耦合器、主激光器和从激光器；波导光栅耦合器包括：光栅单元、波导单元和氧化单元；其中，光栅单元包括第一光栅和第二光栅，波导单元的两侧下方分别与第一光栅和第二光栅相连，氧化单元位于波导单元的上表面；主激光器位于第一光栅的下方，从激光器位于第二光栅的斜下方，且从激光器的出光区域在水平方向上的投影与第二光栅在水平方向上的投影不重叠。本发明可以采用简单的工艺和结构实现波导光的单向注入。
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公开(公告)号：CN115561294A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211064854.7
申请日：2022-09-01
Applicant: 华中科技大学 , 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N27/414 , H01L29/778
Abstract: 本发明提供了一种栅敏场效应晶体管嗅觉传感器及其制备方法，属于智能传感器领域。嗅觉传感器包括高电子迁移率晶体管和气敏薄膜；晶体管的栅极包括控制栅与延长栅，二者之间的气敏薄膜作为气味受体，与气体分子作用后薄膜电阻发生改变引起栅压变化，进而引起源漏电流的改变，实现信号转导与放大。本发明提供的嗅觉传感器具有高灵敏度、高信噪比与低功耗的特点，通过传感器阵列化并结合算法，可实现高可靠智能嗅觉感知。
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