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公开(公告)号：CN115954312A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211717095.X
申请日：2022-12-29
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: H01L21/683 , H01L21/687
Abstract: 本公开提供一种动态载物台及面形调整方法，动态载物台包括：支撑板，支撑板上设有导线通道和真空通道；面形控制模块，安装在支撑板表面，包括压电陶瓷阵列及气密墙，气密墙围绕压电陶瓷阵列；其中，压电陶瓷阵列由阵列排布的压电陶瓷单元组成，每一个压电陶瓷单元通过穿过导线通道的电极线与外部电路独立连接，外部电路向各个压电陶瓷单元两端独立施加电势差，使压电陶瓷单元独立产生纵向形变；压电陶瓷阵列用于支撑待调整工件，真空通道用于对气密墙、支撑板和待调整工件围成的空间抽真空，将待调整工件吸附在压电陶瓷阵列上。该动态载物台实现了对不同工件面形地灵活精确调整。
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公开(公告)号：CN103474775A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310403445.X
申请日：2013-09-06
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于动态调控人工电磁结构材料的相控阵天线，包括喇叭馈源和覆盖在馈源上方的多层动态调控人工电磁结构材料；每层材料是通过在介质板正面印刷含有周期排列的环形缝隙的金属贴片、在环形缝隙上下中心位置嵌入变容二极管，在不同列的环形缝隙之间刻蚀出用于隔离直流的缝隙线，并且通过在介质板反面印刷金属引线、金属化过孔的方式为不同行的环形缝隙内的金属贴片提供直流电压；通过控制直流电压源调节不同行或不同列之间变容二极管的电容，使相邻行或相邻列区域的辐射位相递增或递减，动态调节位相差值即能实现天线波束的动态扫描。本发明结构简单，加电方便，插损低，成本低等优势，能实现E面和H面二维动态扫描。
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公开(公告)号：CN103399461A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310361799.2
申请日：2013-08-19
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于双层胶技术的掩模平坦化方法，其主要步骤为：在平面或者曲面基底上沉积铬膜层并制备掩模图形，之后在其上先后涂敷光刻胶A和光刻胶B，采用中心波长为365nm的紫外曝光光源从基底的背面入射，使光刻胶B感光，利用光刻胶A在光刻胶B显影液中的溶解速率大于光刻胶B在光刻胶B显影液中的显影速率的特性形成侧向沟槽，再利用电子束蒸镀沉积二氧化硅，厚度和掩模铬层厚度相等。将掩模浸泡于有机溶剂中去除A、B光刻胶，最后得到平坦化的掩模。该方法可以应用到一体式曝光器件的掩模平坦化工艺中，如Superlens和缩小Hyperlens器件的掩模平坦化工艺。
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公开(公告)号：CN103399459A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310340709.1
申请日：2013-08-07
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F7/00
Abstract: 本发明提供一种用于制备金属/介质纳米多层膜高质量断面的方法，其步骤为：在基底上制备平面或曲面金属/介质纳米多层膜；在多层膜上旋涂光刻胶，前烘，得到样片；用玻璃刀在样片背面划痕，掰断，得到多层膜粗糙断面；在断口边缘处进行掩模移动曝光；显影、坚膜，得到截面边缘平整的光刻胶掩蔽层；坚膜后的样片放入离子束刻蚀设备中，选择合适的离子束流和角度进行刻蚀；刻蚀后，取出样片，去除样片上剩余的光刻胶，金属/介质纳米多层膜高质量断面制作完成。基于离子束流刻蚀制备金属/介质纳米多层膜断面的方法，能得到边缘整齐、低缺陷的金属/介质纳米多层膜高质量断面。
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公开(公告)号：CN103457157B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201310340691.5
申请日：2013-08-07
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明提供一种纳米激光器激光合束器件的制备方法，包括：曲面多层膜的制备；曲面多层膜的平坦化；曲面多层膜的减薄；涂覆、固化溶胶层；在溶胶层上沉积金属Ag层；反复涂覆溶胶层-沉积Ag层，最终得到这种纳米激光器激光合束器件。该纳米激光器激光合束器件利用人工材料结构实现对激光光束的定向耦合、传输，克服了单个纳米激光器激光功率有限的不足，进而实现多束激光的合束。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116234413A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202211741780.6
申请日：2022-12-29
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本公开提供一种压电陶瓷驱动阵列及面形调整方法，压电陶瓷驱动阵列包括：依次叠设的底板电极层、压电陶瓷阵列及绝缘层，底板电极层包括阵列排布的底板电极；压电陶瓷阵列包括至少一层压电陶瓷阵列单元，多层压电陶瓷阵列单元层叠设置，每一层压电陶瓷阵列单元包括叠设的正电极层和负电极层；正电极层包括第一压电陶瓷薄片及形成于其表面的正电极阵列，负电极层包括第二压电陶瓷薄片及形成于其表面的负电极阵列；同一正电极层上各个正电极之间相互独立，不同正电极层上相同位置的正电极之间邻接后连接至对应位置的底板电极；同一负电极层上每一个负电极与相邻的至少一个负电极连接，不同负电极层边缘上相同位置的负电极之间邻接后连接至外部电路。
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公开(公告)号：CN111987452A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010901591.5
申请日：2020-09-01
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: H01Q1/42
Abstract: 本发明公开了一种透射/反射可切换且幅度可调的超构材料，该超构材料为层状结构，从下到上依次为：有源频率选择表面、微波介质层和石墨烯电容层。其中，有源频率选择表面由介质基板和印刷在介质基板两侧的周期金属微结构图案组成，金属微结构中加载了PIN二极管。微波介质层为微波段常用的透波材料，石墨烯电容层由高方阻薄膜层，浸润离子液的绝缘介质层和PET基底单层石墨烯层构成。本发明的优点在于：通过控制PIN二极管通断，可实现透射和反射模式的动态切换，进一步通过外置偏压调节石墨烯费米能级来改变其方阻，还可实现透射幅度和反射幅度的动态调谐。本发明中的超构材料具有全极化响应特性，集成了多种电磁调控功能，且结构简单、易于实现。
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公开(公告)号：CN103474775B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201310403445.X
申请日：2013-09-06
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于动态调控人工电磁结构材料的相控阵天线，包括喇叭馈源和覆盖在馈源上方的多层动态调控人工电磁结构材料；每层材料是通过在介质板正面印刷含有周期排列的环形缝隙的金属贴片、在环形缝隙上下中心位置嵌入变容二极管，在不同列的环形缝隙之间刻蚀出用于隔离直流的缝隙线，并且通过在介质板反面印刷金属引线、金属化过孔的方式为不同行的环形缝隙内的金属贴片提供直流电压；通过控制直流电压源调节不同行或不同列之间变容二极管的电容，使相邻行或相邻列区域的辐射位相递增或递减，动态调节位相差值即能实现天线波束的动态扫描。本发明结构简单，加电方便，插损低，成本低等优势，能实现E面和H面二维动态扫描。
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公开(公告)号：CN103457157A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310340691.5
申请日：2013-08-07
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明提供一种纳米激光器激光合束器件的制备方法，包括：曲面多层膜的制备；曲面多层膜的平坦化；曲面多层膜的减薄；涂覆、固化溶胶层；在溶胶层上沉积金属Ag层；反复涂覆溶胶层-沉积Ag层，最终得到这种纳米激光器激光合束器件。该纳米激光器激光合束器件利用人工材料结构实现对激光光束的定向耦合、传输，克服了单个纳米激光器激光功率有限的不足，进而实现多束激光的合束。
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公开(公告)号：CN117894733A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311713566.4
申请日：2023-12-13
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: H01L21/683
Abstract: 本公开提供一种动态静电吸盘及其制备方法，该动态静电吸盘自上而下依次包括：静电吸附模块(1)，包括介电层(12)、电极层(13)和基体(14)，介电层(12)上设有凸点阵列(11)，用于通过静电力吸附晶圆(4)；面型调节模块(2)，包括压电陶瓷驱动器阵列(21)，用于通过施加电压动态调控晶圆(4)的面型；底座(3)，用于承载静电吸附模块(1)和面型调节模块(2)，以及引出压电陶瓷驱动器阵列(21)的电极引线。本公开的动态静电吸盘在稳定吸附晶圆的同时可以实现对晶圆面型的精密控制。
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