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公开(公告)号：CN118778173A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410913282.8
申请日：2024-07-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于亚波长硅柱的3dB光功分器，包括：衬底；绝缘埋层，位于所述衬底的上表面；覆盖层，位于所述所述绝缘埋层的上表面；弯曲定向耦合器，形成在所述覆盖层内，并位于所述绝缘埋层的上表面；多个硅柱结构，形成在所述覆盖层内，并位于所述绝缘埋层的上表面且周期性排列在所述弯曲定向耦合器的弯曲部的凸出一侧。本发明能够实现稳定的3dB功分。
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公开(公告)号：CN118759737A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410913180.6
申请日：2024-07-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明涉及一种基于逆向设计算法的热光移相器，其特征在于，包括从下到上依次生成的衬底、埋氧层和覆盖层，所述覆盖层内设有芯层波导和加热器，所述芯层波导置于所述埋氧层上且与所述埋氧层相接，所述加热器包括位于所述芯层波导上方且与所述芯层波导平行的长方体热源，所述长方体热源的两端分别连接有金属电极；所述长方体热源的参数是通过逆向设计算法来优化获得的。本发明能够精确设计TiN薄膜的相关参数以提高热光效应的效率和稳定性，进而提高热光移相器的性能。
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公开(公告)号：CN118759646A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410913269.2
申请日：2024-07-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于逆向设计的多通道波分复用器，包括第一滤波器、第二滤波器和第三滤波器，所述第一滤波器、第二滤波器和第三滤波器均由马赫曾德尔干涉仪结构级联构成；所述第一滤波器的输入端与输入波导相连，上输出端与所述第二滤波器的下输入端相连，下输出端与所述第三滤波器的上输入端相连。本发明能够实现实现超大的通带平坦度和超低的通道串扰。
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公开(公告)号：CN118759635A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410913084.1
申请日：2024-07-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种可连续调节的光功分器，包括光耦合器，以及置于所述光耦合器的模式演化区的加热器，所述加热器根据其两端施加电压的不同来调节所述模式演化区的温度，进而调节所述光耦合器的功分比。本发明能够减少光功分器的分光比偏差，实现功分比可实时调节的效果。
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公开(公告)号：CN115902709A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211722464.4
申请日：2022-12-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海科技大学
IPC: G01R31/66
Abstract: 本发明涉及一种用于大面阵芯片对芯片倒装焊焊点导通性测试电路，包括第一芯片和第二芯片，所述第一芯片和第二芯片的电路层设计均为像素结构，所述第一芯片上的每个像素对应一个焊点，每相邻两个像素对应的焊点相互导通；所述第二芯片上的每个像素对应一个焊点，每相邻两个像素对应的焊点相互导通；所述第一芯片上的每个像素对应的焊点与所述第二芯片上每个像素对应的焊点导通，形成完整电路。本发明能够进行链路级电导通性测试。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112817086B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110014134.9
申请日：2021-01-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于TM0模式光的马赫曾德尔干涉仪及其制备方法，结构包括：输入波导、第一模式转换器、连接臂、第二模式转换器及输出波导，其中，第二模式转化器与第一模式转换器的结构相同，具有双层锥形结构。本发明实现无论输入端输入TM0模式的入射光还是TE1模式的输入光，连接臂包括直波导段，其输出端均可以输出TM0模式和TE1模式的出射光；可以有效解决现有技术存在的马赫曾德尔干涉仪对温度较为敏感、结构复杂、尺寸大等问题：可以实现与CMOS工艺兼容，便于批量化生产。
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公开(公告)号：CN108153001B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201611103311.6
申请日：2016-12-05
Applicant: 上海新微科技服务有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中科院南通光电工程中心
IPC: G02F1/05
Abstract: 本发明提供一种大带宽硅基光调制器，包括：基底及其上的绝缘层；n型掺杂硅层，位于所述绝缘层之上；p型掺杂硅层，位于所述n型掺杂硅层之上；铁电薄膜，位于所述p型掺杂硅层之上；其中，所述n型掺杂硅层接地，所述p型掺杂硅层接控制信号，所述铁电薄膜接控制信号。本发明有效的将铁电薄膜与普通的硅基光调制器集成在一起，利用铁电薄膜极化时的场强，大幅度提升了光调制器中载流子浓度的变化范围及灵敏度，从而提升了光调制器的调制带宽。本发明可直接用于硅基光调制器，也可以用于马赫‑曾德尔型光调制器的两臂，后者可以进一步增大调制器的调制宽度。本发明结构简单，控制方便，工艺与CMOS兼容，很适合工业推广。
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公开(公告)号：CN112240748A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202011284773.9
申请日：2020-11-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种带有非厄米耦合角度检测纠正装置的微位移机构，其中刚性底板的上表面固定有衬底，所述衬底上固设有一层绝缘层，所述绝缘层上设置有两组完全相同的硅导线组，所述硅导线组包括若干根相互平行且形状尺寸相同的硅导线，且相邻的硅导线之间距离相等；所述硅导线垂直于所述刚性底板的前后面；所述刚性上板的下表面设置有散射光源；所述散射光源发出的激光照射硅导线组上时，所述硅导线与衬底之间发生近场耦效应，并使得硅导线组中的一根硅导线完全抑制。本发明能够同步检测与纠正平行四边形柔性铰链构机构刚性上板在F力作用下沿x轴方向产生的位移误差以及刚性上板绕y轴的寄生转角误差。
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公开(公告)号：CN109283616A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201811501015.0
申请日：2018-12-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种温度不敏感马赫曾德尔干涉仪，包括：第一模式转换器；第二模式转换器，位于第一模式转换器的一侧，且与第一模式转换器具有间距；连接臂，位于第一模式转换器与第二模式转换器之间，一端与第一模式转换器相连接，另一端与第二模式转换器相连接；连接臂包括直波导连接臂。本发明的温度不敏感马赫曾德尔干涉仪通过设置所述连接臂的宽度及厚度等参数可以实现对温度不敏感。
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公开(公告)号：CN105629522B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201410620813.0
申请日：2014-11-06
Applicant: 中科院南通光电工程中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02F1/025
Abstract: 本发明提供一种硅基光调制器，至少包括：脊型波导，所述脊型波导包括平板部和位于所述平板部中间的凸条，所述凸条高于所述平板部；所述脊型波导中形成有第一轻掺杂区和第二轻掺杂区，所述第一轻掺杂区形成于所述凸条中间，且沿所述凸条的延伸方向延伸；所述第二轻掺杂区形成于所述第一轻掺杂区两侧的凸条中和与所述凸条两侧相连的平板部中；所述第一轻掺杂区和所述第二轻掺杂区的掺杂类型相反。在本发明的技术方案中，在脊型波导的凸条内由第一轻掺杂区和第二轻掺杂区形成两个背对背的PN结，在硅基光调制器工作时可以形成两个耗尽区，弥补解决离子注入对准误差的问题，并且提高了硅基光调制器的调制效率。
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