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公开(公告)号:CN110590404A
公开(公告)日:2019-12-20
申请号:CN201910983022.7
申请日:2019-10-16
Applicant: 中国矿业大学
IPC: C04B41/87
Abstract: 本发明公开了一种碳基材料表面HfB2-SiC抗氧化涂层的制备方法,称量一定比例的HfB2、SiC粉体并均匀混合,在石墨模具内用均匀混合的粉体包裹碳基体,将装好试样的模具放入放电等离子烧结炉中进行烧结处理,烧结温度为1200-1900℃,升温速率为5-200℃/min,压力为5-50MPa,保温时间5-300min,在碳基体表面得到HfB2-SiC抗氧化涂层。本发明中将放电等离子烧结法应用到碳基材料表面HfB2-SiC抗氧化涂层的制备中,能够在较低的温度下快速烧结制备出高致密、低缺陷HfB2-SiC抗氧化涂层。
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公开(公告)号:CN110590404B
公开(公告)日:2022-02-01
申请号:CN201910983022.7
申请日:2019-10-16
Applicant: 中国矿业大学
IPC: C04B41/87
Abstract: 本发明公开了一种碳基材料表面HfB2‑SiC抗氧化涂层的制备方法,称量一定比例的HfB2、SiC粉体并均匀混合,在石墨模具内用均匀混合的粉体包裹碳基体,将装好试样的模具放入放电等离子烧结炉中进行烧结处理,烧结温度为1200‑1900℃,升温速率为5‑200℃/min,压力为5‑50MPa,保温时间5‑300min,在碳基体表面得到HfB2‑SiC抗氧化涂层。本发明中将放电等离子烧结法应用到碳基材料表面HfB2‑SiC抗氧化涂层的制备中,能够在较低的温度下快速烧结制备出高致密、低缺陷HfB2‑SiC抗氧化涂层。
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公开(公告)号:CN113087530A
公开(公告)日:2021-07-09
申请号:CN202110416686.2
申请日:2021-04-19
Applicant: 中国矿业大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/645
Abstract: 本发明公开了一种基于ZrB2非平衡态合金化修饰的高阻氧涂层及制备方法,适用于碳材料技术领域使用。以质量分数:5‑30%锆粉,5‑30%钼粉,10‑60%硅粉,10‑60%硼粉混合并制成圆柱坯体,在燃烧合成反应釜内以自蔓延高温合成法制备获得具有合金化特性的非平衡态合金化前驱体ZrB2‑MoSi2的混合体,将ZrB2‑MoSi2混合体破碎干燥,利用模具将非平衡态合金化前驱体包裹在需要制备高阻氧涂层的碳基体外侧,之后对碳基体进行放电等离子SPS烧结,最终在碳基体表面上生成ZrB2‑MoSi2高阻氧涂层。方法简单实用,可以显著提升ZrB2‑MoSi2涂层的抗氧化性能,提升对碳基体的氧化防护,且涂层综合性能优异,具有广阔的发展前景。
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