-
公开(公告)号：CN115036390A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210434537.3
申请日：2022-04-24
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明提供了一种焊点柱的制备方法，其包括如下步骤：在具有焊盘的基板上涂覆第一光刻胶层，对第一光刻胶层进行曝光显影，去除焊盘上方的第一光刻胶层，露出焊盘；在基板上沉积覆盖第一光刻胶层与焊盘的打底金属层；在基板上涂覆第二光刻胶层，第二光刻胶层的厚度比第一光刻胶层厚，对第二光刻胶层进行曝光显影，去除焊盘上方的部分第二光刻胶层；在焊盘上的打底金属层上电镀焊点金属；去除第一光刻胶层与第二光刻胶层，使第二光刻胶层上的焊点金属随第二光刻胶层脱落，焊盘上的焊点金属形成焊点柱。该制备方法通过各步骤的彼此搭配，实现了通过电镀的方式在焊盘表面制备焊点柱，能够有效减少金属源的消耗量。
-
公开(公告)号：CN115014496A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210429434.8
申请日：2022-04-22
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种光纤水听器阵列的可靠性确定方法、装置和计算机设备，所述方法包括：根据获取的待分析光纤水听器阵列的阵列规模信息和复用方式，确定待分析光纤水听器阵列对应的基础节点的类型和各类型的基础节点的节点数目，进而得到待分析光纤水听器阵列对应的基础阵列；基于基础阵列的第一理论寿命指标和待分析光纤水听器阵列的第二理论寿命指标，得到指标映射系数；获取基础阵列实际试验得到的第一试验寿命指标，基于第一试验寿命指标和指标映射系数，得到待分析光纤水听器阵列的第二试验寿命指标，基于第二试验寿命指标，确定针对待分析光纤水听器阵列的可靠性。该方法可提高对光纤水听器阵列的可靠性分析结果的准确性。
-
公开(公告)号：CN114720165A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210197053.1
申请日：2022-03-01
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本公开涉及一种光纤水听器封装检测方法、装置、系统、计算机设备，所述方法包括：确定光纤水听器的第一待测样本处于第一检测环境中的第一试验时间；实时监测所述第一待测样本的第一光路数据，根据所述第一光路数据获取所述第一待测样本在所述第一试验时间内的第一光路损耗数据；确定所述第一待测样本中所述第一光路损耗数据小于第一阈值的第二待测样本；实时监测所述第二待测样本处于第二检测环境的第二光路数据，根据所述第二光路数据获取所述第二待测样本在第二试验时间内的第二光路损耗数据；将所述第二待测样本中所述第二光路损耗数据小于第二阈值的第二待测样本记录为合格样本。本公开可以准确评价长期海水环境下光纤水听器封装退化情况。
-
公开(公告)号：CN114300370A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111367378.1
申请日：2021-11-18
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H01L21/66 , H01L29/778
Abstract: 本发明提供一种耗尽电压获取方法，耗尽电压获取方法用于获取半导体器件中二维电子气沟道内电子耗尽时的耗尽电压，耗尽电压获取方法包括：获取半导体器件的电容‑反向偏置电压特性曲线；获取电容‑反向偏置电压特性曲线中的电容对反向偏置电压的二阶微分，并得到半导体器件的二阶微分特性曲线；根据半导体器件的二阶微分特性曲线，获取半导体器件中二维电子气沟道内电子耗尽时的耗尽电压，此方法简单直观，可以快速获取半导体器件中二维电子气沟道内电子耗尽时的耗尽电压，方便研发人员使用此方法进行快速试验，加快研发进展，提升企业研发竞争力。
-
公开(公告)号：CN109506785A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811563095.2
申请日：2018-12-20
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01J5/02
Abstract: 本发明涉及一种红外探测器杜瓦的真空特性检测装置，包括：穿刺针、穿刺管道及质谱仪；穿刺针内部开设有通路，穿刺针用于穿透红外探测器杜瓦的光窗玻璃后，与红外探测器杜瓦内部气体连通，以采集红外探测器杜瓦内部的气体；穿刺管道的一端与穿刺针内部的通路连通，另一端与质谱仪连通，用于将穿刺针采集的气体输送至质谱仪；质谱仪用于对穿刺管道输送的穿刺针采集的气体进行检测，以得到红外探测器杜瓦的真空特性。本发明利用穿刺针穿透红外探测器杜瓦的光窗玻璃，采集红外探测器杜瓦内部的气体，将采集到的气体通过穿刺管道输送至质谱仪，质谱仪对采集到的气体进行检测，能够直接得到红外探测器杜瓦的真空特性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116913953A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202311094893.6
申请日：2023-08-28
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H01L29/417 , H01L21/28 , H01L29/872
Abstract: 本申请涉及一种金属电极结构及其制备方法、肖特基势垒二极管，金属电极结构包括基材，所述基材的表面形成有间隔布置的第一圆柱体和第二圆柱体，所述第二圆柱体的顶面分别形成有缺口窗和欧姆接触电极，所述第一圆柱体的顶面形成有第一肖特基接触电极，所述缺口窗的底面形成有第二肖特基接触电极；以及肖特基电极空气桥，所述肖特基电极空气桥的一端与所述第一肖特基接触电极电连接，所述肖特基电极空气桥的另一端与所述第二肖特基接触电极电连接；其中，所述第一肖特基接触电极和所述第二肖特基接触电极均为圆形。能显著减小圆形金属电极的边缘电容对总电容的影响，进而提升器件的截止效率。
-
公开(公告)号：CN108710002B
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN201810433118.1
申请日：2018-05-08
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01P21/00
Abstract: 本发明涉及一种加速度计可靠性测试方法、装置以及测试用加速度计，所述加速度计可靠性测试方法包括采集加速度计在上电正常工作时的第一电压信号；加速度计为包括敏感结构单元的加速度计；敏感结构单元包括设置在敏感结构单元的质量块两侧的第一加力极板和第二加力极板；在第一加力极板加载第一电压、且第二加力极板加载第二电压时，采集加速度计的第二电压信号；处理第一电压信号和第二电压信号，得到加速度计的第一加速度值；根据第一加速度值，确认加速度计的当前工作情况,从而利用本发明各实施例中加速度计可靠性测试方法能够测试出输入加速度对加速度计的可靠性的影响。
-
公开(公告)号：CN111413560A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN202010160624.5
申请日：2020-03-10
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种圆片键合质量可靠性测试结构及可靠性测试方法；其中，圆片键合质量可靠性测试结构，包括依次相接触串联固定在机械支撑层上的多个圆片键合结构组件；还包括设于首个圆片键合结构组件处的第一测试位点，和设于末端圆片键合结构组件处的第二测试位点；圆片键合结构组件包括通过导电的桥梁结构连接的两个圆片键合结构；圆片键合结构包括依次层叠在机械支撑层上的金属层、结构层；任一圆片键合结构的结构层通过桥梁结构连接另一圆片键合结构的结构层；任一圆片键合结构的金属层与相邻圆片键合结构组件中任一圆片键合结构的金属层通过金属布线相接触；本申请可通过测试圆片键合结构的接触电阻，实现对圆片键合的无损检测。
-
公开(公告)号：CN119573895A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411894280.5
申请日：2024-12-20
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01J5/90
Abstract: 本申请涉及一种红外探测器NETD不确定度计算方法、装置、设备、存储介质和程序产品。所述方法包括：首先，在满足测试条件的情况下，获取目标红外设备上各像元的测试温度、响应电压和噪声电压，然后，根据各像元的测试温度、响应电压和噪声电压确定各像元的噪声等效温差的扩展不确定度，最后，根据各像元的噪声等效温差的扩展不确定度，确定用于表征目标红外设备的噪声等效温差的可信程度的总体噪声等效温差的扩展不确定度。采用本方法能够实现对目标红外设备的噪声等效温差的扩展不确定度的计算。
-
公开(公告)号：CN119439538A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411869382.1
申请日：2024-12-17
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明公开了一种阶梯状三层电极结构的薄膜铌酸锂调制器及制备方法，所述阶梯状三层电极结构的薄膜铌酸锂调制器自下而上依次包括衬底层、缓冲层、铌酸锂薄膜层、两条铌酸锂脊形波导、金属行波电极以及介质层；金属行波电极分布于两条铌酸锂脊形波导两侧，采用地‑信号‑地推挽形式，包括三层电极，其中，下层地‑信号‑地电极紧贴铌酸锂脊形波导的基底区域，用于提供均匀的初始电场分布；中层地‑信号‑地电极宽度大于下层地‑信号‑地电极，用于调整电场分布，增加导体面积以降低微波损耗；上层地‑信号‑地电极宽度大于中层地‑信号‑地电极，用于降低阻抗并增强电场分布的均匀性。本发明能够在保持低半波电压的同时显著提升调制带宽。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
47
records
(took 0.063 seconds)
