公开(公告)号：CN119439538A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411869382.1

申请日：2024-12-17

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 廖文渊 ,  王凰帆 ,  杨少华

IPC: G02F1/03 ,  G02F1/035 ,  G02B6/12 ,  G02B6/13 ,  G02B6/132

Abstract: 本发明公开了一种阶梯状三层电极结构的薄膜铌酸锂调制器及制备方法，所述阶梯状三层电极结构的薄膜铌酸锂调制器自下而上依次包括衬底层、缓冲层、铌酸锂薄膜层、两条铌酸锂脊形波导、金属行波电极以及介质层；金属行波电极分布于两条铌酸锂脊形波导两侧，采用地‑信号‑地推挽形式，包括三层电极，其中，下层地‑信号‑地电极紧贴铌酸锂脊形波导的基底区域，用于提供均匀的初始电场分布；中层地‑信号‑地电极宽度大于下层地‑信号‑地电极，用于调整电场分布，增加导体面积以降低微波损耗；上层地‑信号‑地电极宽度大于中层地‑信号‑地电极，用于降低阻抗并增强电场分布的均匀性。本发明能够在保持低半波电压的同时显著提升调制带宽。

公开(公告)号：CN119276351A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202411270105.9

申请日：2024-09-11

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 廖文渊 ,  王凰帆 ,  李树旺 ,  赖灿雄 ,  路国光

IPC: H04B10/077 ,  H04B10/079 ,  G01M11/02

Abstract: 本申请涉及一种调制器故障定位方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：控制光频域反射设备，向待测调制器出射第一光线，得到待测调制器的反射光谱数据；根据反射光谱数据，确定待测调制器中的故障区域；控制激光器向待测调制器的故障区域出射第二光线；控制光发射显微设备采集故障区域在第二光线下的照射图像；根据照射图像，确定故障区域中的故障位置。采用本方法能够通过光频域反射设备粗略确定出待测调制器中的故障区域，再通过光发射显微设备精准确定出待测调制器中的故障位置，提高了待测调制器中故障定位的准确性和定位效率。