公开(公告)号：CN115939231A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202211485089.6

申请日：2022-11-24

Applicant: 上海大学

Inventor： 叶楠 ,  胡志涛 ,  陈昌 ,  王兆璁 ,  赵金杨 ,  王柱天 ,  欧阳越华 ,  程强

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/09 ,  A61B5/145 ,  A61B5/1455

Abstract: 本发明公开了一种硅基光电探测器，包括硅波导层(012)，硅波导层(012)上表面有脊型的硅母线波导(001)和硅微环(006)，硅微环(006)靠近硅母线波导(001)的一段为耦合区(020)，除耦合区(020)外硅微环(006)的上表面有锗吸收层(004)。本发明利用半导体材料的双光子吸收效应，并利用硅基平台以及微环谐振腔结构，实现了低成本、高集成度的2μm波段光电探测器，并对光电探测器的结构做出了优化，将单层硅微环改为Ge‑on‑Si双层微环，并对耦合区的锗微环进行了部分刻蚀的处理，处理后的微环探测器在保留了与成熟的互补金属氧化物半导体技术兼容的特点的同时，在数值仿真中取得了良好的探测效果。

公开(公告)号：CN115576054A

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN202211405474.5

申请日：2022-11-10

Applicant: 上海大学

Inventor： 叶楠 ,  赵金杨 ,  王柱天 ,  陈健 ,  李迎春 ,  张俊杰 ,  张倩武 ,  曹炳尧 ,  肖悦娱 ,  庞拂飞 ,  汪敏

IPC: G02B6/14 ,  G02B6/122

Abstract: 本发明公开了基于渐变折射率波导和二维倒锥形波导集成的模斑转换器，包括硅衬底、渐变折射率波导、二氧化硅衬底、二维倒锥形波导以及包层，所述二氧化硅衬底、二维倒锥形波导、包层依次位于二氧化硅衬底上方一侧，渐变折射率波导位于硅衬底上方另一侧并与二维倒锥形波导贴合；所述渐变折射率波导相对面分别设置有第一输入端口和第一输出端口，二维倒锥形波导的长轴两端设置有第二输入端口和第二输出端口，第一输出端口与第二的输入端口贴合；入射光从第一输入端口入射，经由渐变折射率波导进行聚束后从第一输出端口输出，然后经由第二输入端口入射到二维倒锥形波导中进行绝热传输，最后经由由第二输出端口输出与集成硅波导耦合。