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公开(公告)号：CN110689599B
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN201910849986.2
申请日：2019-09-10
Applicant: 上海大学
IPC: G06V10/46 , G06V10/80 , G06V10/82 , G06N3/0455 , G06N3/0464 , G06N3/0475 , G06N3/084 , G06N3/094 , G06N3/096
Abstract: 本发明公开了一种基于非局部增强的生成对抗网络的3D视觉显著性预测方法。具体步骤为：（1）非局部密集增强的编解码器网络生成器：输入是RGB图和深度图，经过网络提取图像的多尺度特征，非局部增强网络可结合局部信息与全局信息和实现特征重用。（2）判别网络：将RGB图、深度图和显著性图作为鉴别器的输入，输出表示输入的图片为人眼显著性的概率。（3）基于非局部增强的生成对抗网络模型训练：在训练过程中，使用双路编码器分别对RGB图像和深度图像分别训练，且深度图像采用迁移训练；采用了多尺度生成损失函数和对抗损失函数联合作为最终损失函数来指导训练。（4）、最后，利用步骤（3）训练好的网络模型进行测试，可得到显著性图。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106876516B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201710079697.X
申请日：2017-02-15
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/115 , H01L31/0296 , H01L31/18 , G01T3/06
Abstract: 本发明公开了一种基于ZnO薄膜晶体管的集成式全固态中子探测器及其制备方法，在Si衬底上采用射频磁控溅射法制备一层高质量的ZnO薄膜，在此基础上采用光刻工艺制备ZnO薄膜晶体管紫外光探测器，再在其上采用磁控溅射法制备表面均匀，结晶质量和闪烁性能良好的B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜，从而制备了硼镓共掺ZnO闪烁体薄膜‑ZnO薄膜晶体管紫外光探测器‑Si衬底结构的中子探测器。本发明采用B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜作为中子转化层将中子转化成α粒子，α粒子进一步激发B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜产生紫外线，再利用ZnO薄膜晶体管紫外光探测器对紫外光进行探测，从而实现对中子的探测，检测精度高，可靠性高。
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公开(公告)号：CN105158791B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201510365453.9
申请日：2015-06-29
Applicant: 上海大学
IPC: G01T3/06
Abstract: 本发明公开了一种基于ZnO薄膜的集成式中子探测器及其制备方法，首先制备ZnO薄膜光导型紫外探测器，并在其上采用射频磁控溅射法制备表面均匀，结晶质量和闪烁性能良好的B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜，从而为实现一种B、Ga共掺ZnO闪烁体薄膜/ZnO薄膜光导紫外探测器结构的中子探测器提供了方法。本发明中子探测器采用B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜作为中子转化层将中子转化成α粒子，α粒子进一步激发B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜产生紫外线，再利用ZnO薄膜光导型紫外探测器探测紫外线，从而实现中子探测。
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公开(公告)号：CN106876516A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710079697.X
申请日：2017-02-15
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/115 , H01L31/0296 , H01L31/18 , G01T3/06
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/115 , G01T3/06 , H01L31/0296 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于ZnO薄膜晶体管的集成式全固态中子探测器及其制备方法，在Si衬底上采用射频磁控溅射法制备一层高质量的ZnO薄膜，在此基础上采用光刻工艺制备ZnO薄膜晶体管紫外光探测器，再在其上采用磁控溅射法制备表面均匀，结晶质量和闪烁性能良好的B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜，从而制备了硼镓共掺ZnO闪烁体薄膜‑ZnO薄膜晶体管紫外光探测器‑Si衬底结构的中子探测器。本发明采用B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜作为中子转化层将中子转化成α粒子，α粒子进一步激发B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜产生紫外线，再利用ZnO薄膜晶体管紫外光探测器对紫外光进行探测，从而实现对中子的探测，检测精度高，可靠性高。
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公开(公告)号：CN110689599A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910849986.2
申请日：2019-09-10
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种基于非局部增强的生成对抗网络的3D视觉显著性预测方法。具体步骤为：（1）非局部密集增强的编解码器网络生成器：输入是RGB图和深度图，经过网络提取图像的多尺度特征，非局部增强网络可结合局部信息与全局信息和实现特征重用。（2）判别网络：将RGB图、深度图和显著性图作为鉴别器的输入，输出表示输入的图片为人眼显著性的概率。（3）基于非局部增强的生成对抗网络模型训练：在训练过程中，使用双路编码器分别对RGB图像和深度图像分别训练，且深度图像采用迁移训练；采用了多尺度生成损失函数和对抗损失函数联合作为最终损失函数来指导训练。（4）、最后，利用步骤（3）训练好的网络模型进行测试，可得到显著性图。
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公开(公告)号：CN105158791A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510365453.9
申请日：2015-06-29
Applicant: 上海大学
IPC: G01T3/06
Abstract: 本发明公开了一种基于ZnO薄膜的集成式中子探测器及其制备方法，首先制备ZnO薄膜光导型紫外探测器，并在其上采用射频磁控溅射法制备表面均匀，结晶质量和闪烁性能良好的B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜，从而为实现一种B、Ga共掺ZnO闪烁体薄膜/ZnO薄膜光导紫外探测器结构的中子探测器提供了方法。本发明中子探测器采用B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜作为中子转化层将中子转化成α粒子，α粒子进一步激发B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜产生紫外线，再利用ZnO薄膜光导型紫外探测器探测紫外线，从而实现中子探测。
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