公开(公告)号：CN106876516B

公开(公告)日：2019-02-01

申请号：CN201710079697.X

申请日：2017-02-15

Applicant: 上海大学

Inventor： 唐可 ,  王宇彤 ,  黄健 ,  陆元曦 ,  胡尘 ,  邹天宇 ,  张佳迪 ,  王林军

IPC: H01L31/115 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/18 ,  G01T3/06

Abstract: 本发明公开了一种基于ZnO薄膜晶体管的集成式全固态中子探测器及其制备方法，在Si衬底上采用射频磁控溅射法制备一层高质量的ZnO薄膜，在此基础上采用光刻工艺制备ZnO薄膜晶体管紫外光探测器，再在其上采用磁控溅射法制备表面均匀，结晶质量和闪烁性能良好的B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜，从而制备了硼镓共掺ZnO闪烁体薄膜‑ZnO薄膜晶体管紫外光探测器‑Si衬底结构的中子探测器。本发明采用B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜作为中子转化层将中子转化成α粒子，α粒子进一步激发B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜产生紫外线，再利用ZnO薄膜晶体管紫外光探测器对紫外光进行探测，从而实现对中子的探测，检测精度高，可靠性高。

公开(公告)号：CN106876516A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201710079697.X

申请日：2017-02-15

Applicant: 上海大学

Inventor： 唐可 ,  王宇彤 ,  黄健 ,  陆元曦 ,  胡尘 ,  邹天宇 ,  张佳迪 ,  王林军

IPC: H01L31/115 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/18 ,  G01T3/06

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/115 ,  G01T3/06 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种基于ZnO薄膜晶体管的集成式全固态中子探测器及其制备方法，在Si衬底上采用射频磁控溅射法制备一层高质量的ZnO薄膜，在此基础上采用光刻工艺制备ZnO薄膜晶体管紫外光探测器，再在其上采用磁控溅射法制备表面均匀，结晶质量和闪烁性能良好的B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜，从而制备了硼镓共掺ZnO闪烁体薄膜‑ZnO薄膜晶体管紫外光探测器‑Si衬底结构的中子探测器。本发明采用B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜作为中子转化层将中子转化成α粒子，α粒子进一步激发B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜产生紫外线，再利用ZnO薄膜晶体管紫外光探测器对紫外光进行探测，从而实现对中子的探测，检测精度高，可靠性高。