公开(公告)号：CN108336225A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201810151503.7

申请日：2018-02-14

Applicant: 上海大学

Inventor： 汪琳 ,  张电 ,  李泰然 ,  姜亦杨 ,  王林军

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L45/149 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1625

Abstract: 本发明公开了一种具有多态阻变特性的非晶碳基阻变存储单元及其制备方法，该单元结构由底电极、阻变介质层、顶电极组成。其中所述底电极为位于衬底上的FTO，阻变介质层为非晶碳膜，顶电极为铝。本发明公开了其制备方法，具体是采用直流磁控溅射在FTO/SiO2衬底上生长a-C膜，然后使用热蒸发制备Al电极；本发明同时公开了多态阻变功能的实现方法，即通过设置不同限流，以达到多态存储功能。本发明的多态阻变单元具有良好的开关特性、稳定性和可重复性，其制备方法简单，成本低。

公开(公告)号：CN109811303A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201910060964.8

申请日：2019-01-23

Applicant: 上海大学

Inventor： 汪琳 ,  李泰然 ,  姜亦杨 ,  黄健 ,  王林军

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/02 ,  C23C14/16 ,  C23C14/22 ,  C23C14/34 ,  C23C16/27 ,  C23C28/00

Abstract: 本发明公开了一种基于类金刚石薄膜中间层的纳米金刚石薄膜制备方法，利用离子束复合中频溅射法在单晶硅衬底上预先沉积一层类金刚石薄膜作为中间层；随后在类金刚石薄膜中间层上利用微波等离子体气相沉积法，外加负偏压辅助沉积得到纳米金刚石薄膜。本发明利用类金刚石薄膜产生高浓度的碳源，增加碳的过饱和度，从而提高了纳米金刚石薄膜的形核密度；在偏压形核过程中引入大量的原子氢，增加刻蚀效率，对降低纳米金刚石薄膜的晶粒尺寸，提高异质外延纳米金刚石薄膜的形核密度，以及制备高质量纳米金刚石薄膜有很大意义。

公开(公告)号：CN106278250A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610749886.9

申请日：2016-08-29

Applicant: 上海大学

Inventor： 朱兴文 ,  任慧茹 ,  牛伟鉴 ,  李晨 ,  姜亦杨 ,  姜文中 ,  周晓

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B35/634 ,  C04B35/64 ,  H01C7/02

CPC classification number: C04B35/4682 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63416 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/658 ,  H01C7/023

Abstract: 本发明涉及一种大气氛下烧结的高居里温度、高升阻比、低室温电阻率无铅正温度系数热敏电阻陶瓷的制备方法的制备方法，该方法采用以下配方：x(Bi1/2Na1/2)TiO3- yCaTiO3-(1-x-y)BaTiO3+aLi2CO3+bSb2O3粉体，其中，x=0.01~0.12,y=0~0.20,a=0～0.5 mol%,b=0～0.20 mol%，Nb2O5、La2O3、Sm2O3、Nd2O3化合物中的一种或多种为半导化剂；Al2O3和TiO2为烧结助剂，采用的工艺是：将上述所列材料压制的圆片在大气气氛中1250-1380℃下保温10～30分钟烧结，使其充分烧结和实现固相反应；对烧结后的圆片表面进行研磨，上电极，制得PTCR陶瓷材料。该陶瓷材料的室温电阻率低至30Ω•cm，居里温度Tc高达155℃，升阻比高达106以上。该无铅材料已达到实用化要求。