公开(公告)号：CN115558890A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202211379912.5

申请日：2022-11-04

Applicant: 上海大学

Inventor： 黄健 ,  邓洁 ,  黄浩斐 ,  王梦倩 ,  王世琳 ,  刘尊 ,  顾客云 ,  李洪伟 ,  丽娜.阿扎提 ,  张磊 ,  唐可 ,  王林军

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开了一种Ta掺杂的Ga2O3薄膜的可控制备工艺方法，通过磁控溅射法共溅射氧化钽和氧化镓，生成掺钽的氧化镓薄膜；将所述的掺钽的氧化镓薄膜进行退火。本发明所制备的钽掺杂的氧化镓薄膜表面分布均匀，结构致密，且薄膜厚度可控。本发明的制备方法操作简单，工艺可控性强。该工艺对发展光电探测器、高功率器件、场效应晶体管等器件具有重要意义，在航空航天、轨道交通、能源转换、通信及汽车领域具有广阔的应用前景。