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公开(公告)号：CN115259111A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210498314.3
申请日：2022-05-09
Applicant: 上海交通大学
IPC: C01B21/064
Abstract: 本发明涉及一种氮化硼纳米管的制备方法，其包括在氮气或氨气气体保护下，于有机介质的球磨罐中球磨硼源和含锂催化剂，干燥箱中真空干燥；于含氮气体的管式炉中对经球磨的硼源和含锂催化剂混合料进行化学气相沉积得初级氮化硼纳米管，和对初级氮化硼纳米管酸洗和热处理，得终极氮化硼纳米管。本发明提供的技术方案在大批量制备氮化硼纳米管的同时，利用酸洗和热处理结合的纯化方式又提高了氮化硼纳米管的纯度和结晶性。
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公开(公告)号：CN114007175B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202111215531.9
申请日：2021-10-19
Applicant: 上海交通大学
IPC: H04R17/00
Abstract: 本申请公开一种超声换能器阵列及其形成方法，所述超声换能器阵列的组成单元包括：支撑层，所述支撑层内具有背腔；位于所述支撑层表面上与所述背腔位置相对的压电传感单元，以及位于所述压电传感单元顶部的活塞结构，所述活塞结构包括位于所述压电传感单元顶部的支撑柱以及由所述支撑柱支撑于所述压电传感单元上方的活塞板；位于所述支撑层的表面，围设于所述压电传感单元外围的气缸壁。所述超声换能器阵列具有较高的超声波发射效率和带宽，且单元间具有较低的串扰水平。
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公开(公告)号：CN112708863B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202011493238.4
申请日：2020-12-16
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种提高金刚石/铜界面热导的表面改性方法，该方法为：选取富含金刚石(100)面的金刚石片，先采用氩离子对其表面进行轰击，然后通过磁控溅射的方式在其表面镀铜膜。与现有技术相比，本发明提供一种低成本、简易的提升金刚石/铜界面热导的手段，进而提升金刚石/铜复材的热导率，本发明无需添加中间层结构，节省了原材料，简化了工艺工程。
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公开(公告)号：CN111058017B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201911157000.1
申请日：2019-11-22
Applicant: 上海交通大学
IPC: C23C16/54 , C23C16/505 , C23C16/26
Abstract: 一种石墨烯金属复合丝材及其低温连续化制备方法，所述制备方法包括：提供金属丝；利用卷对卷沉积方式，在对卷输入端和对卷输出端之间传输金属丝，并且在金属丝传输过程中，通过等离子体增强化学气相沉积工艺在所述金属丝表面沉积石墨烯层，所述等离子体增强化学气相沉积工艺的沉积温度为700℃～850℃。上述制备方法提高形成的石墨烯金属复合丝材的性能。
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公开(公告)号：CN111118470A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911158757.2
申请日：2019-11-22
Applicant: 上海交通大学
IPC: C23C16/26 , C23C16/505 , C23C16/54
Abstract: 一种表面具有复合涂覆Gr的复合金属丝及其制备方法，所述制备方法包括：提供金属丝，所述金属丝包括金属丝基材以及沉积于所述金属丝基材表面的初始石墨烯层；在所述金属丝表面涂覆固体碳源；利用卷对卷传输方式传输表面涂覆有固体碳源的金属丝，并且在传输过程中通过原位生长工艺，在所述金属丝表面形成增厚石墨烯层。上述方法能够连续制备表面具有超厚Gr的复合金属丝，提高复合金属丝的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110512187A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910822067.6
申请日：2019-09-02
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种二维材料增强金属基复合材料及其连续化制备方法，所述制备方法包括：采用卷对卷化学气相沉积工艺，在金属箔表面沉积单层或多层二维材料，形成复合箔；沉积过程中，通过卷对卷的传输，将所述复合箔逐层卷覆于沉积设备一端的内模上；在完成卷覆的复合箔外包覆外模，并进行抽真空处理；将所述复合箔进行热等静压处理，冷却至室温，获得块状金属基复合材料。上述方法能够实现大规模连续制备，且形成的金属基复合材料性能得到提高。
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公开(公告)号：CN118685751A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410763373.8
申请日：2024-06-13
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供了一种超高导电掺杂石墨烯/铜复合导线制备方法，该制备方法包括，对铜丝电化学抛光和于管式炉中进行卷对卷化学气相沉积和掺杂；所述管式炉分别与碳源、还原性气体源和掺杂源连接；所述掺杂源包括使石墨烯产生p型掺杂效应的材料或使石墨烯产生n型掺杂效应的材料。该石墨烯沉积过程包括铜前处理‑掺杂生长‑快速冷却过程。本发明提供的技术方案不仅实现了超高导电掺杂石墨烯的高质量合成，还获得了可与基底材料界面结合优异的掺杂石墨烯/铜复合导线，其导电性可达110％IACS。
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公开(公告)号：CN114324458B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202111618128.0
申请日：2021-12-27
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本申请公开一种对待检测材料进行预处理，得到片状样品，以所述片状样品垂直于厚度方向上的一侧表面作为目标表面，所述片状样品内具有增强相颗粒；选择所述目标表面内暴露的增强相颗粒作为目标颗粒，所述目标颗粒暴露的表面作为参考面；将所述片状样品置于镶样槽内，调整所述目标表面与槽底之间的夹角为预设倾斜角度；向所述镶样槽内注入镶样胶体并固化，得到包裹有所述片状样品的镶嵌试样；沿所述镶嵌试样的一侧表面向所述目标颗粒方向对所述镶嵌试样进行磨抛，直至磨抛至磨抛面与所述目标颗粒的参考面的边缘之间的距离小于等于预设距离，得到测试样品，所述磨抛面作为测试样品的被测表面。上述方法能够制备满足TDTR测试的测试样品。
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公开(公告)号：CN114497345A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210050861.5
申请日：2022-01-17
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L41/047 , H01L41/08 , H01L41/257 , H01L41/29
Abstract: 本申请公开一种具有压电薄膜的偏置结构及其形成方法，所偏置结构包括：底电极；位于所述底电极表面的压电薄膜；所述底电极与所述压电薄膜之间的指标参数的差异大于等于最低阈值，所述指标参数与压电薄膜的自发极化相关。本方案提出以功函数差异为核心，综合考虑晶格失配和热失配等各项指标参数，通过采用性质不完全相同的底电极材料和顶电极材料，得到底电极‑压电薄膜‑顶电极的偏置结构设计，改变压电薄膜的电学边界条件和机械边界条件，增强压电薄膜的自发极化，从而获得性能更加优异的压电薄膜材料。
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