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公开(公告)号：CN113998664A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111212038.1
申请日：2021-10-18
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本申请公开一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供衬底，所述衬底包括支撑层、位于所述支撑层一侧表面的停止层以及位于所述停止层表面的器件层；在所述支撑层另一侧表面上形成图形化掩膜层，所述图形化掩膜层内形成有若干不同尺寸的背腔开口；沿各个所述背腔开口进行第一刻蚀，以刻蚀所述支撑层至各背腔开口对应位置处先后均暴露出所述停止层后停止，在所述支撑层内形成若干尺寸不同的背腔。上述方法降低了工艺复杂性。
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公开(公告)号：CN114864806A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210623023.2
申请日：2022-06-01
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L41/083 , H01L41/113 , H01L41/332 , H01L41/312 , A61B8/00 , H01L41/04
Abstract: 本申请公开一种具有短波导结构的超声换能器及其制造方法和超声检测装置，所述制造方法包括：提供第一基底，包括第一支撑层和形成于所述第一支撑层表面的第一器件层；图形化所述第一器件层，形成贯穿所述第一器件层的开口；提供第二基底，包括第二支撑层、位于所述第二支撑层上的第二器件层；将所述第二器件层朝向所述第一基底，键合于所述第一器件层表面；去除所述第二支撑层，在所述第二器件层背离所述第一器件层的一侧上形成压电传感单元，所述压电传感单元位置与所述开口位置相对；去除所述第一支撑层，暴露出所述开口，所述开口作为波导。上述制造方法能够形成具有短波导结构，适用于柔性超声换能器的大规模制造，提高超声换能器的性能。
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公开(公告)号：CN113993048A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111212025.4
申请日：2021-10-18
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本申请公开一种超声换能器及其形成方法和控制方法，所述超声换能器包括：形成于基底上的超声换能单元，所述超声换能单元包括：位于所述基底上的支撑层，所述支撑层内具有空腔；位于所述支撑层表面，且悬空于所述空腔上的压电振膜；位于所述压电振膜与所述基底之间的支撑层内的电容结构，所述电容结构包括：相对的上极板和下极板，至少部分空腔位于所述上极板和下极板之间。上述超声换能器的制备工艺简单，性能较高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114007175B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202111215531.9
申请日：2021-10-19
Applicant: 上海交通大学
IPC: H04R17/00
Abstract: 本申请公开一种超声换能器阵列及其形成方法，所述超声换能器阵列的组成单元包括：支撑层，所述支撑层内具有背腔；位于所述支撑层表面上与所述背腔位置相对的压电传感单元，以及位于所述压电传感单元顶部的活塞结构，所述活塞结构包括位于所述压电传感单元顶部的支撑柱以及由所述支撑柱支撑于所述压电传感单元上方的活塞板；位于所述支撑层的表面，围设于所述压电传感单元外围的气缸壁。所述超声换能器阵列具有较高的超声波发射效率和带宽，且单元间具有较低的串扰水平。
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公开(公告)号：CN114947946A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210623024.7
申请日：2022-06-01
Applicant: 上海交通大学
IPC: A61B8/00
Abstract: 本申请公开一种柔性超声换能器及其制造方法以及一种超声检测装置，所述制造方法包括：提供第一基底，所述第一基底包括第一顶层半导体层；图形化所述第一顶层半导体层，形成贯穿所述第一顶层半导体层的第一开口，并且在所述第一顶层半导体层表面以及第一开口侧壁表面形成隔离层；提供第二基底，所述第二基底包括第二顶层半导体层；将所述第二顶层半导体层朝向所述第一基底，键合于所述第一基底表面的隔离层表面；去除所述第二衬底层后，在所述第二介质层表面形成压电传感单元，所述第一开口位于所述压电传感单元的正投影区域内；去除所述第一衬底层和所述第一介质层。
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公开(公告)号：CN113993048B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202111212025.4
申请日：2021-10-18
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本申请公开一种超声换能器及其形成方法和控制方法，所述超声换能器包括：形成于基底上的超声换能单元，所述超声换能单元包括：位于所述基底上的支撑层，所述支撑层内具有空腔；位于所述支撑层表面，且悬空于所述空腔上的压电振膜；位于所述压电振膜与所述基底之间的支撑层内的电容结构，所述电容结构包括：相对的上极板和下极板，至少部分空腔位于所述上极板和下极板之间。上述超声换能器的制备工艺简单，性能较高。
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公开(公告)号：CN114835081A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210273151.9
申请日：2022-03-18
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本申请公开一种岛形薄膜结构的形成方法和MEMS器件，所述形成方法包括：提供基底；提供掩模板，所述掩模板上具有通孔；将所述掩模板贴合固定于所述基底表面，所述通孔暴露出基底的部分表面；在所述通孔内以及所述掩模板表面沉积薄膜层；将所述掩模板与所述基底表面分离，在所述基底表面保留位于所述通孔内的岛形薄膜结构。上述岛形薄膜结构的形成方法具有工艺步骤简单、成本低、工艺稳定性高的优点。
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公开(公告)号：CN114007175A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111215531.9
申请日：2021-10-19
Applicant: 上海交通大学
IPC: H04R17/00
Abstract: 本申请公开一种超声换能器阵列及其形成方法，所述超声换能器阵列的组成单元包括：支撑层，所述支撑层内具有背腔；位于所述支撑层表面上与所述背腔位置相对的压电传感单元，以及位于所述压电传感单元顶部的活塞结构，所述活塞结构包括位于所述压电传感单元顶部的支撑柱以及由所述支撑柱支撑于所述压电传感单元上方的活塞板；位于所述支撑层的表面，围设于所述压电传感单元外围的气缸壁。所述超声换能器阵列具有较高的超声波发射效率和带宽，且单元间具有较低的串扰水平。
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