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公开(公告)号：CN118685751A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410763373.8
申请日：2024-06-13
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供了一种超高导电掺杂石墨烯/铜复合导线制备方法，该制备方法包括，对铜丝电化学抛光和于管式炉中进行卷对卷化学气相沉积和掺杂；所述管式炉分别与碳源、还原性气体源和掺杂源连接；所述掺杂源包括使石墨烯产生p型掺杂效应的材料或使石墨烯产生n型掺杂效应的材料。该石墨烯沉积过程包括铜前处理‑掺杂生长‑快速冷却过程。本发明提供的技术方案不仅实现了超高导电掺杂石墨烯的高质量合成，还获得了可与基底材料界面结合优异的掺杂石墨烯/铜复合导线，其导电性可达110％IACS。
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