一种超高导电掺杂石墨烯/铜复合导线制备方法

    公开(公告)号:CN118685751A

    公开(公告)日:2024-09-24

    申请号:CN202410763373.8

    申请日:2024-06-13

    Abstract: 本发明提供了一种超高导电掺杂石墨烯/铜复合导线制备方法,该制备方法包括,对铜丝电化学抛光和于管式炉中进行卷对卷化学气相沉积和掺杂;所述管式炉分别与碳源、还原性气体源和掺杂源连接;所述掺杂源包括使石墨烯产生p型掺杂效应的材料或使石墨烯产生n型掺杂效应的材料。该石墨烯沉积过程包括铜前处理‑掺杂生长‑快速冷却过程。本发明提供的技术方案不仅实现了超高导电掺杂石墨烯的高质量合成,还获得了可与基底材料界面结合优异的掺杂石墨烯/铜复合导线,其导电性可达110%IACS。

    界面热导测试样品及其形成方法

    公开(公告)号:CN114324458B

    公开(公告)日:2024-05-03

    申请号:CN202111618128.0

    申请日:2021-12-27

    Abstract: 本申请公开一种对待检测材料进行预处理,得到片状样品,以所述片状样品垂直于厚度方向上的一侧表面作为目标表面,所述片状样品内具有增强相颗粒;选择所述目标表面内暴露的增强相颗粒作为目标颗粒,所述目标颗粒暴露的表面作为参考面;将所述片状样品置于镶样槽内,调整所述目标表面与槽底之间的夹角为预设倾斜角度;向所述镶样槽内注入镶样胶体并固化,得到包裹有所述片状样品的镶嵌试样;沿所述镶嵌试样的一侧表面向所述目标颗粒方向对所述镶嵌试样进行磨抛,直至磨抛至磨抛面与所述目标颗粒的参考面的边缘之间的距离小于等于预设距离,得到测试样品,所述磨抛面作为测试样品的被测表面。上述方法能够制备满足TDTR测试的测试样品。

    具有压电薄膜的偏置结构及其形成方法

    公开(公告)号:CN114497345A

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN202210050861.5

    申请日:2022-01-17

    Abstract: 本申请公开一种具有压电薄膜的偏置结构及其形成方法,所偏置结构包括:底电极;位于所述底电极表面的压电薄膜;所述底电极与所述压电薄膜之间的指标参数的差异大于等于最低阈值,所述指标参数与压电薄膜的自发极化相关。本方案提出以功函数差异为核心,综合考虑晶格失配和热失配等各项指标参数,通过采用性质不完全相同的底电极材料和顶电极材料,得到底电极‑压电薄膜‑顶电极的偏置结构设计,改变压电薄膜的电学边界条件和机械边界条件,增强压电薄膜的自发极化,从而获得性能更加优异的压电薄膜材料。

    多维度导热性能测试系统及其测试方法

    公开(公告)号:CN114295670A

    公开(公告)日:2022-04-08

    申请号:CN202111599189.7

    申请日:2021-12-24

    Abstract: 本申请公开一种多维度导热性能的测试方法及其测试系统,所述测试方法,采用激光时域热反射测量方法进行热导率测量,包括:将待测热导率对应的目标方向作为热敏感方向,所述热敏感方向为被测样品在泵浦光照射下的产生的热流的主方向;在所述热敏感方向所对应的热传导模式下进行热导率测量,以获得目标方向上的热导率,不同的热传导模式对应于不同的热敏感方向。

    半导体结构及其形成方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113998664A

    公开(公告)日:2022-02-01

    申请号:CN202111212038.1

    申请日:2021-10-18

    Inventor: 王续博 刘悦

    Abstract: 本申请公开一种半导体结构及其形成方法,所述半导体结构的形成方法包括:提供衬底,所述衬底包括支撑层、位于所述支撑层一侧表面的停止层以及位于所述停止层表面的器件层;在所述支撑层另一侧表面上形成图形化掩膜层,所述图形化掩膜层内形成有若干不同尺寸的背腔开口;沿各个所述背腔开口进行第一刻蚀,以刻蚀所述支撑层至各背腔开口对应位置处先后均暴露出所述停止层后停止,在所述支撑层内形成若干尺寸不同的背腔。上述方法降低了工艺复杂性。

    金属表面具有多相复合碳源的石墨烯制备方法及装置

    公开(公告)号:CN113699503A

    公开(公告)日:2021-11-26

    申请号:CN202111016218.2

    申请日:2021-08-31

    Abstract: 本发明提供一种金属表面具有多相复合碳源的石墨烯制备方法及装置,所述制备方法包括如下步骤:提供固态有机碳源、液态有机碳源及气态有机碳源中的至少一种,形成碳源混合物;加热,使所述碳源混合物裂解为气态活性含碳基团;将所述气态活性含碳基团通入反应腔内,所述反应腔内放置有金属基底,在生长温度及生长压力下,所述气态活性含碳基团沉积在所述金属基底上,形成石墨烯层,以形成石墨烯金属复合结构。本发明制备方法先使碳源高温裂解,从而不需要金属基底对所述碳源进行催化,扩大了所述金属基底材料的可选范围,使得所述金属基底可为对碳源具有催化作用的材料也可为对碳源不具备催化作用的材料。

    表面具有复合涂覆Gr的复合金属丝及其制备方法

    公开(公告)号:CN111118470B

    公开(公告)日:2021-03-30

    申请号:CN201911158757.2

    申请日:2019-11-22

    Abstract: 一种表面具有复合涂覆Gr的复合金属丝及其制备方法,所述制备方法包括:提供金属丝,所述金属丝包括金属丝基材以及沉积于所述金属丝基材表面的初始石墨烯层;在所述金属丝表面涂覆固体碳源;利用卷对卷传输方式传输表面涂覆有固体碳源的金属丝,并且在传输过程中通过原位生长工艺,在所述金属丝表面形成增厚石墨烯层。上述方法能够连续制备表面具有超厚Gr的复合金属丝,提高复合金属丝的性能。

    原子尺度应变计算方法和原子尺度应变计算装置

    公开(公告)号:CN110487225B

    公开(公告)日:2020-10-23

    申请号:CN201910793669.3

    申请日:2019-08-27

    Abstract: 一种原子尺度应变计算方法和一种原子尺度应变计算装置,所述原子尺度应变计算方法包括:提供分析对象的电镜照片;定位待分析区域内各原子位置;根据晶体结构特征,将原子划分为不同的特征层;对不同特征层内原子分别进行应变计算。所述原子尺度应变计算方法能够适用于各种晶格结构,提高应变计算的准确性。

    具有复合电镀纳米碳金属膜的复合金属丝及其制备方法

    公开(公告)号:CN111041542A

    公开(公告)日:2020-04-21

    申请号:CN201911158894.6

    申请日:2019-11-22

    Abstract: 一种具有复合电镀纳米碳金属膜的复合金属丝及其制备方法,所述制备方法包括:提供金属丝;将分散的纳米碳粉末和金属盐分散在溶剂中,配置成复合电镀液;通过卷对卷传输方式,使金属丝连续通过所述复合电镀液,同时对所述金属丝表面进行复合电镀处理,形成覆盖所述金属丝表面的纳米碳金属膜,所述纳米碳金属膜内至少部分纳米碳之间通过金属连接,所述复合电镀处理包括同时进行的电泳沉积和电镀沉积。上述方法能够连续制备表面具有复合电镀纳米碳金属膜的复合金属丝,提高复合金属丝的性能。

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