公开(公告)号：CN114497345A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202210050861.5

申请日：2022-01-17

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 刘悦 ,  马有草 ,  宋健 ,  赵玉垚

IPC: H01L41/047 ,  H01L41/08 ,  H01L41/257 ,  H01L41/29

Abstract: 本申请公开一种具有压电薄膜的偏置结构及其形成方法，所偏置结构包括：底电极；位于所述底电极表面的压电薄膜；所述底电极与所述压电薄膜之间的指标参数的差异大于等于最低阈值，所述指标参数与压电薄膜的自发极化相关。本方案提出以功函数差异为核心，综合考虑晶格失配和热失配等各项指标参数，通过采用性质不完全相同的底电极材料和顶电极材料，得到底电极‑压电薄膜‑顶电极的偏置结构设计，改变压电薄膜的电学边界条件和机械边界条件，增强压电薄膜的自发极化，从而获得性能更加优异的压电薄膜材料。

公开(公告)号：CN115684084A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202211254821.9

申请日：2022-10-13

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 刘悦 ,  赵玉垚 ,  马有草 ,  王浩沣

IPC: G01N21/41 ,  G01N21/84 ,  G01N21/01 ,  G01D21/02 ,  G01B11/255

Abstract: 本发明提供一种半导体薄膜均匀性无损检测方法及系统，待测样品包括基底及设置在所述基底表面的半导体薄膜，所述方法包括：入射光以设定入射角入射至所述待测样品表面的测量点，获得所述测量点在设定波长或设定波长范围内的光学参数，所述光学参数包括所述半导体薄膜的折射率及消光系数和/或待测样品的曲率半径；以所述待测样品的光学参数作为已知参数，应用物理模型获得所述半导体薄膜的测量参数，所述测量参数包括半导体薄膜的相对介电常数、压电系数、厚度及应力；重复上述步骤，获得多个测量点的所述测量参数；对多个测量点的同一所述测量参数进行均匀性评价。本发明方法能够实现无损测量，且获得的测量参数不单一，满足多样化需求。

公开(公告)号：CN114835081A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202210273151.9

申请日：2022-03-18

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 王续博 ,  马有草 ,  赵玉垚 ,  刘悦

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02

Abstract: 本申请公开一种岛形薄膜结构的形成方法和MEMS器件，所述形成方法包括：提供基底；提供掩模板，所述掩模板上具有通孔；将所述掩模板贴合固定于所述基底表面，所述通孔暴露出基底的部分表面；在所述通孔内以及所述掩模板表面沉积薄膜层；将所述掩模板与所述基底表面分离，在所述基底表面保留位于所述通孔内的岛形薄膜结构。上述岛形薄膜结构的形成方法具有工艺步骤简单、成本低、工艺稳定性高的优点。

公开(公告)号：CN114438450A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202210039023.8

申请日：2022-01-13

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 刘悦 ,  马有草 ,  宋健 ,  赵玉垚

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  C23C14/02

Abstract: 本申请公开一种钙钛矿薄膜及其制备方法和一种器件，包括：制备缓冲层，所述缓冲层的表层材料具有钙钛矿结构；在所述缓冲层表面制备具有钙钛矿结构的核心薄膜；所述缓冲层的制备温度小于等于所述核心薄膜的制备温度。所述制备方法能够在较低的制备温度下获得高质量的钙钛矿结构薄膜。

公开(公告)号：CN114906797A

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN202210389455.1

申请日：2022-04-13

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 刘悦 ,  马有草 ,  吴史俊博 ,  宋健 ,  赵玉垚

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02

Abstract: 本申请公开一种基底及其形成方法，一种功能薄膜器件，所述方法包括：提供基板；在所述基板表面形成粘附层；在所述氮化物黏附层表面形成电极层，所述粘附层与所述电极层、所述基板之间的晶格适配率小于等于25％；和/或，所述粘附层与所述电极层、所述基板之间的热失配小于等于15％。上述方法提高电极层与基板之间的粘附性，提高所述电极层的质量。