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公开(公告)号：CN104926748B
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201510043403.9
申请日：2015-01-28
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C07D263/57 , C07D235/18 , C07C251/24 , C07C233/80 , G03F7/00
CPC classification number: C09D7/63 , C07C233/80 , C07C251/24 , C07C2603/18 , C07C2603/24 , C07C2603/50 , C09D5/006 , G03F7/0752 , G03F7/094
Abstract: 本发明提供一种由以下化学式1表示的用于硬掩模组合物的单体、一种包含所述单体的硬掩模组合物以及一种使用所述硬掩模组合物形成图案的方法。[化学式1]A、B、B'、L、L'、X以及X'与具体实施方式中所定义的相同。基于此，本发明提供的单体具有改良的耐热性和抗蚀刻性。
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公开(公告)号：CN104749886B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201410705160.6
申请日：2014-11-27
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明提供一种硬掩模组合物、形成图案的方法与半导体集成电路装置。所述硬掩模组合物包含：聚合物，所述聚合物包含由以下化学式1a到化学式1c中的一个表示的部分；由以下化学式2表示的单体；以及溶剂。[化学式1a][化学式1b][化学式1c][化学式2]在上述化学式1a、化学式1b、化学式1c和化学式2中，R1a、R1b、R4a、R4b、R2a、R2b、R5a、R5b和R3与说明书中定义的相同。
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公开(公告)号：CN104749886A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201410705160.6
申请日：2014-11-27
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明提供一种硬掩模组合物、形成图案的方法与半导体集成电路装置。所述硬掩模组合物包含：聚合物，所述聚合物包含由以下化学式1a到化学式1c中的一个表示的部分；由以下化学式2表示的单体；以及溶剂。[化学式1a][化学式1b][化学式1c][化学式2]在上述化学式1a、化学式1b、化学式1c和化学式2中，R1a、R1b、R4a、R4b、R2a、R2b、R5a、R5b和R3与说明书中定义的相同。
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公开(公告)号：CN105093833B
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201510046738.6
申请日：2015-01-29
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明提供了一种硬掩模组合物和使用所述硬掩模组合物形成图案的方法，所述硬掩模组合物包括聚合物和溶剂，所述聚合物包含由以下化学式1表示的部分。本发明的硬掩模组合物能满足耐蚀刻性，同时确保对于溶剂的可溶性、间隙填充特征以及平面化特征。[化学式1]在以上化学式1中，M1、M2、a以及b与具体实施方式中所定义相同。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105575775A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510426921.9
申请日：2015-07-20
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor： 金旼秀 , 宋炫知 , 姜善惠 , 金成旻 , 金瑆焕 , 金永珉 , 金润俊 , 金惠廷 , 南沇希 , 白载烈 , 尹星莉 , 尹龙云 , 李忠宪 , 郑瑟基 , 赵妍熹 , 洪承希 , 黄善民 , 黄元宗 , 李松世 , 金命九 , 刘奈莉
IPC: H01L21/027 , H01L21/308 , G03F1/46 , G03F1/76 , G03F7/00
Abstract: 本发明提供一种层结构及制造其的方法、形成图案的方法以及半导体装置，其中，制造层结构的方法包含通过将包含第一有机化合物的第一组合物涂覆到具有多个图案的衬底上形成第一有机层(S1)；将溶剂涂覆到第一有机层上以去除第一有机层的一部分(S2)；以及将包含第二有机化合物的第二组合物涂覆到其中的一部分被去除的第一有机层上并且经由固化过程形成第二有机层(S3)；从而可制造具有卓越平坦化特征的层结构，且无需单独的回蚀刻制程或化学机械抛光制程。
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公开(公告)号：CN105093833A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510046738.6
申请日：2015-01-29
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明提供了一种硬掩模组合物和使用所述硬掩模组合物形成图案的方法，所述硬掩模组合物包括聚合物和溶剂，所述聚合物包含由以下化学式1表示的部分。本发明的硬掩模组合物能满足耐蚀刻性，同时确保对于溶剂的可溶性、间隙填充特征以及平面化特征。[化学式1]在以上化学式1中，M1、M2、a以及b与具体实施方式中所定义相同。
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公开(公告)号：CN105575775B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201510426921.9
申请日：2015-07-20
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor： 金旼秀 , 宋炫知 , 姜善惠 , 金成旻 , 金瑆焕 , 金永珉 , 金润俊 , 金惠廷 , 南沇希 , 白载烈 , 尹星莉 , 尹龙云 , 李忠宪 , 郑瑟基 , 赵妍熹 , 洪承希 , 黄善民 , 黄元宗 , 李松世 , 金命九 , 刘奈莉
IPC: H01L21/027 , H01L21/308 , G03F1/46 , G03F1/76 , G03F7/00
Abstract: 本发明提供一种层结构及制造其的方法、形成图案的方法以及半导体装置，其中，制造层结构的方法包含通过将包含第一有机化合物的第一组合物涂覆到具有多个图案的衬底上形成第一有机层(S1)；将溶剂涂覆到第一有机层上以去除第一有机层的一部分(S2)；以及将包含第二有机化合物的第二组合物涂覆到其中的一部分被去除的第一有机层上并且经由固化过程形成第二有机层(S3)；从而可制造具有卓越平坦化特征的层结构，且无需单独的回蚀刻制程或化学机械抛光制程。
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公开(公告)号：CN104926748A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510043403.9
申请日：2015-01-28
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C07D263/57 , C07D235/18 , C07C251/24 , C07C233/80 , G03F7/00
CPC classification number: C09D7/63 , C07C233/80 , C07C251/24 , C07C2603/18 , C07C2603/24 , C07C2603/50 , C09D5/006 , G03F7/0752 , G03F7/094
Abstract: 本发明提供一种由以下化学式1表示的用于硬掩模组合物的单体、一种包含所述单体的硬掩模组合物以及一种使用所述硬掩模组合物形成图案的方法。[化学式1]A、B、B'、L、L'、X以及X'与具体实施方式中所定义的相同。基于此，本发明提供的单体具有改良的耐热性和抗蚀刻性。
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