公开(公告)号：CN1749354B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200510106764.X

申请日：2005-08-25

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东友半导体株式会社

Inventor： 赵弘济 ,  李承傭 ,  李俊雨 ,  李在连 ,  千承焕 ,  崔容硕 ,  朴英哲 ,  金珍洙 ,  金圭祥 ,  崔东旭 ,  林官泽

IPC: C09K13/04 ,  C23F1/16

CPC classification number: C09K13/06

Abstract: 一种用于除去铟氧化物层的蚀刻剂，包括主氧化剂硫酸，诸如H3PO4、HNO3、CH3COOH、HClO4、H2O2和混合物A的辅助氧化剂，含有铵-基材料的蚀刻抑制剂，及水，其中所述混合物A由过一硫酸钾(2KHSO5)、硫酸氢钾(KHSO4)和硫酸钾(K2SO4)按5∶3∶2的比例混合得到。这种蚀刻剂可以除去铟氧化物层需要去除的部分，而不破坏光刻胶图案或铟氧化物层下面的各层。

公开(公告)号：CN1749354A

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN200510106764.X

申请日：2005-08-25

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东友半导体株式会社

Inventor： 赵弘济 ,  李承傭 ,  李俊雨 ,  李在连 ,  千承焕 ,  崔容硕 ,  朴英哲 ,  金珍洙 ,  金圭祥 ,  崔东旭 ,  林官泽

IPC: C09K13/04 ,  C23F1/16

CPC classification number: C09K13/06

Abstract: 一种用于除去铟氧化物层的蚀刻剂，包括主氧化剂硫酸，诸如H3PO4、HNO3、CH3COOH、HClO4、H2O2和混合物A的辅助氧化剂，含有铵－基材料的蚀刻抑制剂及水，其中所述混合物A由过一硫酸钾(2KHSO5)、硫酸氢钾(KHSO4)和硫酸钾(K2SO4)按5∶3∶2的比例混合得到。这种蚀刻剂可以除去铟氧化物层需要去除的部分，而不破坏光刻胶图案或铟氧化物层下面的各层。

公开(公告)号：CN102747367A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201210034420.2

申请日：2012-02-15

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东友精细化工有限公司

Inventor： 金善一 ,  崔新逸 ,  朴智荣 ,  金湘甲 ,  权五柄 ,  金童基 ,  金相泰 ,  朴英哲 ,  刘仁浩 ,  尹暎晋 ,  李昔准 ,  李俊雨 ,  林玟基 ,  张*勋 ,  秦荣晙

IPC: C23F1/16 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L51/0023 ,  H01L2251/308

Abstract: 本发明的示例性实施例公开了一种用于蚀刻铟氧化物层的非卤化蚀刻剂和一种使用该非卤化蚀刻剂制造显示基底的方法，所述非卤化蚀刻剂包括硝酸、硫酸、含有铵的缓蚀剂、基于环胺的化合物和水。

公开(公告)号：CN114446962A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202111283513.4

申请日：2021-11-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙镛赫 ,  李俊雨 ,  赵星东

IPC: H01L27/108

Abstract: 一种半导体存储器装置，包括：衬底，其包括单元区域和外围区域；多个电容器，其包括布置在单元区域中的多个下电极、覆盖多个下电极的多个电容器介电层和位于多个电容器介电层上的上电极；蚀刻停止层，其覆盖上电极；填充绝缘层，其覆盖蚀刻停止层，并且布置在单元区域和外围区域中；多条布线，其位于填充绝缘层上；以及第一布线接触插塞，其将多条布线中的至少一条电连接到上电极。上电极包括第一上电极层和第二上电极层，第一上电极层覆盖多个电容器介电层并且包括半导体材料，第二上电极层覆盖第一上电极层并且包括金属材料。

公开(公告)号：CN113541916A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110257766.8

申请日：2021-03-09

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团 ,  朝鲜大学校产学协力团

Inventor： 卢宗善 ,  李勇雨 ,  金荣植 ,  李俊雨

IPC: H04L9/00 ,  G06F17/11

Abstract: 一种基于同态加密的密文处理方法和装置。该方法包括：基于从用于自举密文的模归约提取的样本，确定与该模归约相对应的近似多项式；以及基于该近似多项式自举密文。

公开(公告)号：CN115223991A

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202111492723.4

申请日：2021-12-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李多怜 ,  李俊雨 ,  赵星东

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/532

Abstract: 一种半导体器件包括：下结构，所述下结构包括衬底和位于所述衬底上的单元结构；以及多个互连层，所述多个互连层在与所述衬底的顶表面垂直延伸的第一方向上堆叠在所述下结构上。所述多个互连层中的最上面的互连层包括最上面的导电线。每条所述最上面的导电线包括在所述第一方向上顺序堆叠的下金属化合物图案、金属图案、上金属化合物图案和覆盖图案。所述下金属化合物图案、所述金属图案和所述上金属化合物图案包括相同的金属元素。

公开(公告)号：CN113541918A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110438433.5

申请日：2021-04-22

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团 ,  朝鲜大学校产学协力团

Inventor： 卢宗善 ,  李勇雨 ,  李恩相 ,  李俊雨 ,  金荣植

IPC: H04L9/00

Abstract: 一种基于使用函数的复合的同态加密的加密方法及装置。所述加密方法包括：通过对数据进行加密来生成密文；以及，通过针对与密文相对应的模基于函数的复合执行模约减，来对密文进行自举。

公开(公告)号：CN112599488A

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN202010704750.2

申请日：2020-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李周益 ,  慎重垣 ,  张志熏 ,  韩正勋 ,  李俊雨

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/48 ,  H01L21/60

Abstract: 提供了一种半导体器件,所述半导体器件包括设置在层间绝缘层中并且设置在基底上的多个中间互连件和多个中间插塞。上绝缘层设置在层间绝缘层上。第一上插塞、第一上互连件、第二上插塞和第二上互连件设置在上绝缘层中。所述多个中间互连件中的每个具有第一厚度。第一上互连件具有大于第一厚度的第二厚度。第二上互连件具有大于第一厚度的第三厚度。第三厚度是第一厚度的2倍至100倍。第二上互连件包括与第二上插塞的材料不同的材料。

公开(公告)号：CN113630234A

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202110400670.2

申请日：2021-04-14

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团 ,  朝鲜大学校产学协力团

Inventor： 卢宗善 ,  李俊雨 ,  金荣植 ,  李勇雨 ,  李恩相

IPC: H04L9/00 ,  G06F21/60

Abstract: 本申请提供了使用同态加密的加密方法及装置以及执行同态加密方案的装置。使用同态加密的加密方法可以包括：通过对数据进行加密来生成密文；以及，通过针对与密文相对应的模基于对一个或多个目标点的选择执行模约减，来对密文进行自举。

公开(公告)号：CN113630233A

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202110380217.X

申请日：2021-04-08

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团 ,  朝鲜大学校产学协力团

Inventor： 卢宗善 ,  李俊雨 ,  金荣植 ,  李勇雨 ,  李恩相

IPC: H04L9/00

Abstract: 一种基于使用奇函数性质的同态加密的加密方法及装置。所述加密方法包括：通过对数据进行加密来生成密文；以及通过针对与密文相对应的模基于奇函数性质执行模约减，对密文进行自举。