公开(公告)号：CN1749354B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200510106764.X

申请日：2005-08-25

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东友半导体株式会社

Inventor： 赵弘济 ,  李承傭 ,  李俊雨 ,  李在连 ,  千承焕 ,  崔容硕 ,  朴英哲 ,  金珍洙 ,  金圭祥 ,  崔东旭 ,  林官泽

IPC: C09K13/04 ,  C23F1/16

CPC classification number: C09K13/06

Abstract: 一种用于除去铟氧化物层的蚀刻剂，包括主氧化剂硫酸，诸如H3PO4、HNO3、CH3COOH、HClO4、H2O2和混合物A的辅助氧化剂，含有铵-基材料的蚀刻抑制剂，及水，其中所述混合物A由过一硫酸钾(2KHSO5)、硫酸氢钾(KHSO4)和硫酸钾(K2SO4)按5∶3∶2的比例混合得到。这种蚀刻剂可以除去铟氧化物层需要去除的部分，而不破坏光刻胶图案或铟氧化物层下面的各层。

公开(公告)号：CN1749354A

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN200510106764.X

申请日：2005-08-25

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东友半导体株式会社

Inventor： 赵弘济 ,  李承傭 ,  李俊雨 ,  李在连 ,  千承焕 ,  崔容硕 ,  朴英哲 ,  金珍洙 ,  金圭祥 ,  崔东旭 ,  林官泽

IPC: C09K13/04 ,  C23F1/16

CPC classification number: C09K13/06

Abstract: 一种用于除去铟氧化物层的蚀刻剂，包括主氧化剂硫酸，诸如H3PO4、HNO3、CH3COOH、HClO4、H2O2和混合物A的辅助氧化剂，含有铵－基材料的蚀刻抑制剂及水，其中所述混合物A由过一硫酸钾(2KHSO5)、硫酸氢钾(KHSO4)和硫酸钾(K2SO4)按5∶3∶2的比例混合得到。这种蚀刻剂可以除去铟氧化物层需要去除的部分，而不破坏光刻胶图案或铟氧化物层下面的各层。

公开(公告)号：CN102827611A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201210102583.X

申请日：2012-04-09

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东友精细化工有限公司

Inventor： 郑钟铉 ,  金善一 ,  朴智荣 ,  金湘甲 ,  宋溱镐 ,  崔新逸 ,  权五柄 ,  朴英哲 ,  刘仁浩 ,  李昔准 ,  林玟基 ,  张尚勋 ,  秦荣晙

IPC: C09K13/08 ,  C23F1/16 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/32134 ,  C09K13/08 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明提供了一种蚀刻剂以及制造金属线和使用其的薄膜晶体管基板的方法。所述蚀刻剂包含过硫酸盐、氟化物、无机酸、环胺、磺酸、以及有机酸及其盐中的一种。

公开(公告)号：CN102747367A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201210034420.2

申请日：2012-02-15

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东友精细化工有限公司

Inventor： 金善一 ,  崔新逸 ,  朴智荣 ,  金湘甲 ,  权五柄 ,  金童基 ,  金相泰 ,  朴英哲 ,  刘仁浩 ,  尹暎晋 ,  李昔准 ,  李俊雨 ,  林玟基 ,  张*勋 ,  秦荣晙

IPC: C23F1/16 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L51/0023 ,  H01L2251/308

Abstract: 本发明的示例性实施例公开了一种用于蚀刻铟氧化物层的非卤化蚀刻剂和一种使用该非卤化蚀刻剂制造显示基底的方法，所述非卤化蚀刻剂包括硝酸、硫酸、含有铵的缓蚀剂、基于环胺的化合物和水。