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公开(公告)号：CN115223991A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202111492723.4
申请日：2021-12-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L23/532
Abstract: 一种半导体器件包括：下结构，所述下结构包括衬底和位于所述衬底上的单元结构；以及多个互连层，所述多个互连层在与所述衬底的顶表面垂直延伸的第一方向上堆叠在所述下结构上。所述多个互连层中的最上面的互连层包括最上面的导电线。每条所述最上面的导电线包括在所述第一方向上顺序堆叠的下金属化合物图案、金属图案、上金属化合物图案和覆盖图案。所述下金属化合物图案、所述金属图案和所述上金属化合物图案包括相同的金属元素。
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