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公开(公告)号：CN108630656A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810228911.8
申请日：2018-03-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/5286 , H01L21/31111 , H01L21/3212 , H01L21/32133 , H01L21/76805 , H01L21/7684 , H01L21/76843 , H01L21/76877 , H01L23/5226 , H01L23/5283 , H01L23/53209 , H01L23/53228 , H01L23/53242 , H01L27/0207 , H01L2027/11881 , H01L23/522 , H01L24/27
Abstract: 本公开提供了半导体集成电路以及形成电源轨的方法。一种半导体集成电路包括衬底、一系列金属层和一系列绝缘层。金属层和绝缘层在衬底上交替地布置成堆叠。半导体集成电路还包括在衬底中的至少两个标准单元以及跨过所述至少两个标准单元的边界的至少一个电源轨。电源轨包括连续地延伸穿过所述堆叠的至少两个竖直层级的导电材料的竖直部分。所述堆叠的所述至少两个竖直层级包括一个金属层和一个绝缘层。该绝缘层在该金属层之下。
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公开(公告)号：CN111081549B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201910987651.7
申请日：2019-10-17
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 洪俊顾 , B.J.奥布拉多维奇 , M.S.罗德尔
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明涉及场效应晶体管和制造其的方法以及包括其的片上系统。该制造场效应晶体管的方法包括在衬底上形成鳍、在鳍的彼此相反的侧面上形成源电极和漏电极、在鳍的位于源电极和漏电极之间的沟道部分上形成栅极堆叠、在鳍的位于栅极堆叠的彼此相反的侧面上的延伸部分上形成栅极间隔物、去除栅极间隔物的至少部分以暴露鳍的延伸部分、以及对鳍的延伸部分进行氢退火。在对鳍的延伸部分进行氢退火之后，鳍的沟道部分具有第一宽度，并且鳍的延伸部分具有大于第一宽度的第二宽度。
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公开(公告)号：CN108630656B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN201810228911.8
申请日：2018-03-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L21/60
Abstract: 本公开提供了半导体集成电路以及形成电源轨的方法。一种半导体集成电路包括衬底、一系列金属层和一系列绝缘层。金属层和绝缘层在衬底上交替地布置成堆叠。半导体集成电路还包括在衬底中的至少两个标准单元以及跨过所述至少两个标准单元的边界的至少一个电源轨。电源轨包括连续地延伸穿过所述堆叠的至少两个竖直层级的导电材料的竖直部分。所述堆叠的所述至少两个竖直层级包括一个金属层和一个绝缘层。该绝缘层在该金属层之下。
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公开(公告)号：CN111081549A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201910987651.7
申请日：2019-10-17
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 洪俊顾 , B.J.奥布拉多维奇 , M.S.罗德尔
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明涉及场效应晶体管和制造其的方法以及包括其的片上系统。该制造场效应晶体管的方法包括在衬底上形成鳍、在鳍的彼此相反的侧面上形成源电极和漏电极、在鳍的位于源电极和漏电极之间的沟道部分上形成栅极堆叠、在鳍的位于栅极堆叠的彼此相反的侧面上的延伸部分上形成栅极间隔物、去除栅极间隔物的至少部分以暴露鳍的延伸部分、以及对鳍的延伸部分进行氢退火。在对鳍的延伸部分进行氢退火之后，鳍的沟道部分具有第一宽度，并且鳍的延伸部分具有大于第一宽度的第二宽度。
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