公开(公告)号：CN108630656B

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN201810228911.8

申请日：2018-03-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： R.森古普塔 ,  A.P.胡佛 ,  M.S.罗德尔 ,  M.贝尔津什 ,  S.托尔

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/60

Abstract: 本公开提供了半导体集成电路以及形成电源轨的方法。一种半导体集成电路包括衬底、一系列金属层和一系列绝缘层。金属层和绝缘层在衬底上交替地布置成堆叠。半导体集成电路还包括在衬底中的至少两个标准单元以及跨过所述至少两个标准单元的边界的至少一个电源轨。电源轨包括连续地延伸穿过所述堆叠的至少两个竖直层级的导电材料的竖直部分。所述堆叠的所述至少两个竖直层级包括一个金属层和一个绝缘层。该绝缘层在该金属层之下。

公开(公告)号：CN108630656A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201810228911.8

申请日：2018-03-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： R.森古普塔 ,  A.P.胡佛 ,  M.S.罗德尔 ,  M.贝尔津什 ,  S.托尔

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/5286 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53242 ,  H01L27/0207 ,  H01L2027/11881 ,  H01L23/522 ,  H01L24/27

Abstract: 本公开提供了半导体集成电路以及形成电源轨的方法。一种半导体集成电路包括衬底、一系列金属层和一系列绝缘层。金属层和绝缘层在衬底上交替地布置成堆叠。半导体集成电路还包括在衬底中的至少两个标准单元以及跨过所述至少两个标准单元的边界的至少一个电源轨。电源轨包括连续地延伸穿过所述堆叠的至少两个竖直层级的导电材料的竖直部分。所述堆叠的所述至少两个竖直层级包括一个金属层和一个绝缘层。该绝缘层在该金属层之下。