公开(公告)号：CN105321883B

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201510313914.8

申请日：2015-06-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金柱然 ,  安智焕 ,  李光烈 ,  河泰元 ,  韩政男

IPC: H01L21/8238

Abstract: 本公开提供了制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成具有彼此间隔开的第一沟槽和第二沟槽的金属层间电介质层；沿着第一沟槽的侧部和底部形成第一电介质层；沿着第二沟槽的侧部和底部形成第二电介质层；分别在第一电介质层和第二电介质层上形成第一下导电层和第二下导电层；分别在第一下导电层和第二下导电层上形成第一覆盖层和第二覆盖层；在形成第一和第二覆盖层之后，进行热处理；在进行热处理之后，去除第一和第二覆盖层以及第一和第二下导电层；以及分别在第一和第二电介质层上形成第一和第二金属栅极结构。

公开(公告)号：CN107039424A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201611062755.X

申请日：2016-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高镛璿 ,  朴相真 ,  赵学柱 ,  朴炳哉 ,  韩政男

IPC: H01L27/04

Abstract: 半导体器件可以包括：在第一方向上彼此间隔开的成对的有源图案；在交叉第一方向的第二方向上交叉所述成对的有源图案的成对栅电极；在成对的有源图案的侧壁上的栅间隔物；在成对的栅电极之间位于成对的有源图案上的源极/漏极区；在成对的栅电极之间以及在成对的有源图案之间的间隔物保护图案。间隔物保护图案可以共同连接到栅间隔物。

公开(公告)号：CN101643648A

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：CN200910164078.6

申请日：2009-08-10

Applicant: 第一毛织株式会社 ,  三星电子株式会社

Inventor： 金古恩 ,  李晓山 ,  朴明国 ,  梁浩锡 ,  韩政男 ,  洪昌基

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明披露了一种用于蚀刻氧化硅层的组合物，蚀刻半导体器件的方法，以及用于蚀刻包括氧化硅层和氮化物层的半导体器件的组合物，该组合物氟化氢、阴离子型聚合物以及去离子水，其中，基于所述用于蚀刻氧化硅层的组合物的总重量，阴离子型聚合物的含量为约0.001至约2wt％，并且氧化硅层相对于氮化物层的蚀刻选择比为约80或更高。

公开(公告)号：CN1855446A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610077306.2

申请日：2006-04-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩政男 ,  金东灿 ,  姜昌珍 ,  池京求 ,  沈雨宽 ,  李晓山 ,  洪昌基 ,  崔相俊

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/11526 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11543

Abstract: 提供一种具有U－形浮栅的快闪存储器的制造方法。该方法包括形成被间隙隔开的相邻隔离层以及在该间隙中形成隧道氧化物层。在隧道氧化物层上形成导电层至不填充间隙的厚度之后，在导电层上形成抛光牺牲层。隔离层上的牺牲层和导电层被除去，由此形成在间隙中自对准的U－形浮栅，以及同时在浮栅内部内形成牺牲层图形。然后凹陷选择的隔离层，以露出浮栅的侧壁。然后从浮栅除去牺牲层图形，以露出浮栅的上表面。

公开(公告)号：CN1581493A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN200410057456.8

申请日：2004-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈雨宽 ,  洪昌基 ,  崔相俊 ,  韩政男

IPC: H01L27/108 ,  H01L29/00 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L27/10852 ,  Y10S438/978

Abstract: 在一个实施例中，半导体器件包括基底和在该基底上形成的倾斜壁。该壁具有中线以及内侧壁和外侧壁。内侧壁和外侧壁相对于该中线互相基本对称。因此，可以提高半导体电容器结构的可靠性，而且可以提高生产能力。此外，利用本发明原理，有助于进一步缩小半导体器件。

公开(公告)号：CN101643648B

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN200910164078.6

申请日：2009-08-10

Applicant: 第一毛织株式会社 ,  三星电子株式会社

Inventor： 金古恩 ,  李晓山 ,  朴明国 ,  梁浩锡 ,  韩政男 ,  洪昌基

IPC: H01L21/311

Abstract: 本发明披露了一种用于蚀刻氧化硅层的组合物，蚀刻半导体器件的方法，以及用于蚀刻包括氧化硅层和氮化物层的半导体器件的组合物，该组合物氟化氢、阴离子型聚合物以及去离子水，其中，基于所述用于蚀刻氧化硅层的组合物的总重量，阴离子型聚合物的含量为约0.001至约2wt％，并且氧化硅层相对于氮化物层的蚀刻选择比为约80或更高。

公开(公告)号：CN100454549C

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200410057456.8

申请日：2004-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈雨宽 ,  洪昌基 ,  崔相俊 ,  韩政男

IPC: H01L27/108 ,  H01L29/00 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L27/10852 ,  Y10S438/978

Abstract: 在一个实施例中，半导体器件包括基底和在该基底上形成的倾斜壁。该壁具有中线以及内侧壁和外侧壁。内侧壁和外侧壁相对于该中线互相基本对称。因此，可以提高半导体电容器结构的可靠性，而且可以提高生产能力。此外，利用本发明原理，有助于进一步缩小半导体器件。

公开(公告)号：CN104752508B

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201410768392.6

申请日：2014-12-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相真 ,  尹普彦 ,  全夏英 ,  赵炳权 ,  韩政男

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供了包括具有多倾角的沟槽壁的半导体器件。半导体器件包括限定沟槽的栅极间隔物，栅极间隔物包括顺序地位于基板上的第一部分和第二部分。第一部分的内表面具有相对于基板的锐角倾角，第二部分的内表面具有相对于基板的直角倾角或钝角倾角。栅极电极填充沟槽的至少一部分。

公开(公告)号：CN105321883A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510313914.8

申请日：2015-06-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金柱然 ,  安智焕 ,  李光烈 ,  河泰元 ,  韩政男

IPC: H01L21/8238

Abstract: 本公开提供了制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成具有彼此间隔开的第一沟槽和第二沟槽的金属层间电介质层；沿着第一沟槽的侧部和底部形成第一电介质层；沿着第二沟槽的侧部和底部形成第二电介质层；分别在第一电介质层和第二电介质层上形成第一下导电层和第二下导电层；分别在第一下导电层和第二下导电层上形成第一覆盖层和第二覆盖层；在形成第一和第二覆盖层之后，进行热处理；在进行热处理之后，去除第一和第二覆盖层以及第一和第二下导电层；以及分别在第一和第二电介质层上形成第一和第二金属栅极结构。

公开(公告)号：CN1740396B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200510088504.4

申请日：2005-08-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金有京 ,  洪昌基 ,  崔相俊 ,  韩政男

IPC: C23F1/16

CPC classification number: C23F1/28 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  C23F1/16 ,  C23F1/26 ,  C23F1/44 ,  H01F41/308 ,  H01F41/34 ,  H01L21/32134 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明提供了一种包括去离子水和有机酸的蚀刻剂溶液，该有机酸具有羧基和氢氧基。还公开了用于形成磁存储器件的方法。