公开(公告)号：CN105321883B

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201510313914.8

申请日：2015-06-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金柱然 ,  安智焕 ,  李光烈 ,  河泰元 ,  韩政男

IPC: H01L21/8238

Abstract: 本公开提供了制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成具有彼此间隔开的第一沟槽和第二沟槽的金属层间电介质层；沿着第一沟槽的侧部和底部形成第一电介质层；沿着第二沟槽的侧部和底部形成第二电介质层；分别在第一电介质层和第二电介质层上形成第一下导电层和第二下导电层；分别在第一下导电层和第二下导电层上形成第一覆盖层和第二覆盖层；在形成第一和第二覆盖层之后，进行热处理；在进行热处理之后，去除第一和第二覆盖层以及第一和第二下导电层；以及分别在第一和第二电介质层上形成第一和第二金属栅极结构。

公开(公告)号：CN105990232B

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN201610149691.0

申请日：2016-03-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金柱然 ,  姜尚廷 ,  安智焕

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括半导体衬底上的至少一个第一栅极结构和至少一个第二栅极结构。所述至少一个第一栅极结构具有在第一方向上延伸的平坦上表面和在垂直于第一方向的第二方向上的第一宽度。所述至少一个第二栅极结构具有在第一方向上延伸的凸上表面和在第二方向上的第二宽度，第二宽度大于第一宽度。

公开(公告)号：CN105990232A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201610149691.0

申请日：2016-03-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金柱然 ,  姜尚廷 ,  安智焕

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7856 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/82385 ,  H01L27/0924

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括半导体衬底上的至少一个第一栅极结构和至少一个第二栅极结构。所述至少一个第一栅极结构具有在第一方向上延伸的平坦上表面和在垂直于第一方向的第二方向上的第一宽度。所述至少一个第二栅极结构具有在第一方向上延伸的凸上表面和在第二方向上的第二宽度，第二宽度大于第一宽度。

公开(公告)号：CN105321883A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510313914.8

申请日：2015-06-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金柱然 ,  安智焕 ,  李光烈 ,  河泰元 ,  韩政男

IPC: H01L21/8238

Abstract: 本公开提供了制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成具有彼此间隔开的第一沟槽和第二沟槽的金属层间电介质层；沿着第一沟槽的侧部和底部形成第一电介质层；沿着第二沟槽的侧部和底部形成第二电介质层；分别在第一电介质层和第二电介质层上形成第一下导电层和第二下导电层；分别在第一下导电层和第二下导电层上形成第一覆盖层和第二覆盖层；在形成第一和第二覆盖层之后，进行热处理；在进行热处理之后，去除第一和第二覆盖层以及第一和第二下导电层；以及分别在第一和第二电介质层上形成第一和第二金属栅极结构。