公开(公告)号：CN117520212A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202310422983.7

申请日：2023-04-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜宇现 ,  金真怜 ,  金炫我 ,  朴世桓 ,  徐荣德 ,  吴玄教 ,  李熙元 ,  林东厚

IPC: G06F12/02

Abstract: 一种操作非易失性存储器设备的方法，所述非易失性存储器设备被配置为与存储控制器通信，所述方法包括：从存储控制器接收指示读取回收确定并包括环境信息的第一请求，基于第一请求执行第一片上读取操作以用于生成第一分布信息，基于第一分布信息确定是否需要读取回收，以及响应于确定需要读取回收，向存储控制器提供具有第一位值的确定结果。

公开(公告)号：CN115129630A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202111546316.7

申请日：2021-12-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜宇现 ,  金炫我 ,  金珉奎 ,  姜东协

IPC: G06F13/28 ,  G06F11/10 ,  G06F13/16 ,  G06N20/00 ,  G11C16/26 ,  G11C16/34 ,  G11C29/42

Abstract: 一种操作与非易失性存储器件通信的存储控制器的方法，包括：基于第一读取电压对存储在所述非易失性存储器件中的数据执行第一直接存储器存取(DMA)读取操作；基于所述第一DMA读取操作更新DMA寄存器的页计数值；确定通过所述第一DMA读取操作读取的数据是否包括不可纠正的错误；当确定通过所述第一DMA读取操作读取的数据包括不可纠正的错误时，基于所述DMA寄存器的经更新的页计数值确定与所述第一读取电压不同的第二读取电压，而无需对存储在所述非易失性存储器件中的数据进行附加的读取操作；以及基于所述第二读取电压对存储在所述非易失性存储器件中的数据执行第二DMA读取操作。

公开(公告)号：CN117437965A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202310301818.6

申请日：2023-03-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜宇现 ,  全秀昶 ,  金洙贤 ,  金炫我 ,  徐荣德 ,  吴玄教 ,  林东厚 ,  田炳宽

IPC: G11C29/42 ,  G11C16/34

Abstract: 公开了一种操作与非易失性存储器设备通信的存储控制器的方法。该方法包括向非易失性存储器设备提供读取命令，从非易失性存储器设备接收与读取命令相对应的第一读取数据和第一分布信息，确定第一读取数据的错误是否可纠正，以及响应于确定第一读取数据的错误可纠正，基于第一分布信息更新存储控制器中的历史表的偏移信息。

公开(公告)号：CN115203081A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210025928.X

申请日：2022-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜宇现 ,  金炫我 ,  金珉奎 ,  林东厚 ,  崔相炫

IPC: G06F12/1027

Abstract: 存储控制器与非易失性存储器件通信，并且该存储控制器的操作方法包括：确定第一读取电压是否被注册在历史表处；当确定第一读取电压被注册在历史表处时，基于第一读取电压对存储在非易失性存储器件中的数据执行第一直接存储器存取(DMA)读取操作；基于第一DMA读取操作获得页计数值；基于页计数值与空闲计数值之差来确定与第一读取电压不同的第二读取电压，而无需针对存储在非易失性存储器件中的数据的附加读取操作；以及基于第二读取电压更新历史表中的第一读取电压。

公开(公告)号：CN115938440A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202210858214.7

申请日：2022-07-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜宇现 ,  徐荣德 ,  金炫我 ,  吴玄教 ,  李熙元 ,  林东厚

IPC: G11C16/26

Abstract: 公开一种操作与非易失性存储器件通信的存储控制器的方法。该方法包括：向非易失性存储器件输出包括对非易失性存储器件的存储区域的片上谷搜索OVS计数数据的请求的第一命令，其中OVS计数数据包括第一读取电压的第一计数值和第二读取电压的第二计数值；从非易失性存储器件接收OVS计数数据；基于OVS计数数据来确定针对第一读取电压的第一错误计数值和针对第二读取电压的第二错误计数值；以及基于第一错误计数值和第二错误计数值来确定后续操作。

公开(公告)号：CN115831200A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202210776544.1

申请日：2022-06-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜宇现 ,  徐荣德 ,  金炫我 ,  吴玄教 ,  林东厚

IPC: G11C16/26

Abstract: 公开了一种操作与非易失性存储器件通信的存储控制器的方法。所述方法包括：向非易失性存储器件输出第一命令，该第一命令包括对非易失性存储器件的存储区域的片上谷搜索(OVS)计数数据的请求，其中，OVS计数数据包括具有第一读取电压的第一计数值和第二计数值以及具有第二读取电压的第三计数值和第四计数值；从非易失性存储器件接收OVS计数数据；基于OVS计数数据从多个分布类型中确定存储区域的分布类型以作为预测分布类型；以及基于预测分布类型来确定后续操作。