公开(公告)号：CN118317598A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410011413.3

申请日：2024-01-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金康仁 ,  金炅桓 ,  孙朠佑 ,  安相彬 ,  李相旼 ,  曹永丞

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供一种具有改进的性能和可靠性的半导体存储器装置。该半导体存储器装置包括：衬底，其具有单元区域和外围区域；单元区域隔离层，其将单元区域与外围区域分离；以及多个单元栅极结构，其各自包括在第一方向上延伸的单元栅电极。单元区域包括多个有源区域，其在不同于第一方向的第二方向上延伸，并且在相应单元元件隔离层和单元区域隔离层之间。每个有源区域包括通过单元栅极结构分离的第一部分和第二部分，有源区域的第二部分在有源区域的第一部分中的相应一个的两侧。有源区域包括正常有源区域和虚设有源区域。

公开(公告)号：CN119907300A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202411261501.5

申请日：2024-09-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金康仁 ,  金炅桓

IPC: H10D84/83 ,  H10D62/17 ,  H10D64/27

Abstract: 一种半导体器件包括：在衬底上沿第一方向延伸的栅极沟槽；从栅极沟槽的底部突出的第一有源鳍，每个第一有源鳍的上表面具有第一垂直水平；在栅极沟槽中的第二有源鳍；第二有源鳍的上表面具有高于第一垂直水平的第二垂直水平；以及在填充栅极沟槽的隔离图案上的栅极结构。栅极结构的与第一有源鳍的上部重叠的第一部分包括第一电极。栅极结构的与第二有源鳍的上部重叠的第二部分包括第二电极。第二电极的垂直高度大于第一电极的垂直高度。

公开(公告)号：CN118280822A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202311765917.6

申请日：2023-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金康仁 ,  金时年 ,  朴志皓 ,  孙朠佑 ,  李知恩 ,  曹永丞

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/308

Abstract: 一种制造半导体器件的方法可以包括：在基板上形成有源图案；在基板上顺序形成基底掩模、第一掩模层、第一盖层、第二掩模层、第二盖层、第三掩模层、第三盖层、第四掩模层和第四盖层；形成第一间隔物；形成第二间隔物；形成第三间隔物；以及使用第三间隔物作为掩模来图案化第一掩模层和第一盖层。形成第三间隔物可以包括形成间隔物层以完全填充图案化的第二掩模层的图案的侧壁之间的空间。

公开(公告)号：CN118073316A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202311406051.X

申请日：2023-10-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金宗赫 ,  金康仁 ,  金奎完 ,  金民澈 ,  金永锡 ,  吴泰雄

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768 ,  H01L29/36 ,  H01L29/04

Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底，具有在第一方向上延伸的衬底凹槽；栅极绝缘层，共形地覆盖衬底凹槽的内壁；含金属图案，设置在栅极绝缘层上并填充衬底凹槽的下部；硅图案，设置在衬底凹槽中的含金属图案上；以及在衬底凹槽中的硅图案上的字线覆盖图案，硅图案包括覆盖含金属图案的上表面和栅极绝缘层的侧表面并具有形成在其上的图案凹槽的第一硅图案以及填充图案凹槽的第二硅图案，第一硅图案具有第一杂质浓度，第二硅图案具有比第一杂质浓度小的第二杂质浓度。